Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Электрические характеристики структуры CdTe--n-CdHgTe, полученной в едином процессе молекулярно-лучевой эпитаксии

Машуков Ю.П.¹, Михайлов Н.Н.¹, Васильев В.В.¹

¹Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences, Novosibirsk, Russia

Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences, Novosibirsk, Russia

Поступила в редакцию: 21 января 2010 г.

Выставление онлайн: 20 августа 2010 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Обнаружен необычный вид вольт-фарадных характеристик структуры CdTe-CdHgTe - они имели в области инверсии характерный "горб", высота которого многократно увеличивалась при освещении. Дополнительные измерения с использованием светового зонда, измерения вольт-амперных характеристик, а также анализ зонной диаграммы структуры показали следующее: CdTe в отличие от CdHgTe имеет p-тип проводимости с концентрацией акцепторов 1·10¹⁶ см^-3; в CdHgTe на границе с CdTe имеется инверсионный слой дырок, который и является причиной появления "горба"; высота барьера для дырок на границе CdTe-Cd_0.43Hg_0.57Te оказалась равной 0.13 эВ.

А. Рогальский. Инфракрасные детекторы (Новосибирск, Наука, 2003)
G. Sarusi, G. Cinader, A. Zemel, G. Eger, Y. Shapira. J. Appl. Phys., 71 (10), 5070 (1992)
G. Bahir, V. Ariel, V. Garber, D. Rosenfeld, A. Sher. Appl. Phys. Lett., 65 (21), 2725 (1994)
N. Nemirovsky, N. Amir, G. Goren, G. Asa, N. Mainzer, E. Weiss. J. Electron. Mater., 24 (9), 1161 (1995)
A. Jozwikowska, K. Jozwikowski, A. Antoszewski, C.A. Muska, T. Nguyen, R.H. Sewell, J.M. Dell, L. Faraone, Z. Orman. J. Appl. Phys., 98, 014504 (2005)
R. Pal, Amit Malik, Vany Srivastav, B.L. Sharma, V.R. Balakrishnan, V. Dhar, H.P. Vyas. IEEE Trans. Electron. Dev., 53 (11), 2727 (2006)
А.А. Гузев, В.С. Варавин, С.А. Дворецкий, А.П. Ковчавцев, Г.Л. Курышев, И.И. Ли, З.В. Панова, Ю.Г. Сидоров, М.В. Якушев. Прикл. физика, N 2, 92 (2009)
В.В. Васильев, А.Ф. Кравченко, Ю.П. Машуков. ФТП, 36 (9), 1068 (2002)
J. Shilz, J. Thompson. J. Mater. Sci., 28, 6462 (1993)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель