Вышедшие номера
Исследование гетероперехода p-Ge-n-GaAs при всестороннем давлении
Гаджиалиев М.М.1, Пирмагомедов З.Ш.1, Эфендиева Т.Н.1
1Институт физики им. Х.И. Амирханова Дагестанского научного центра РАН, Махачкала, Россия
Поступила в редакцию: 23 ноября 2009 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2010 г.

Экспериментально исследована вольт-амперная характеристика гетероперехода p-Ge-n-GaAs при всестороннем давлении до 8 ГПа и температуре 300 K. С использованием результатов эксперимента вычислен барический коэффициент края валентной зоны германия.