Вышедшие номера
Полупроводниковые гетероструктуры первого рода с непрямой зоной проводимости
Шамирзаев Т.С.1
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Поступила в редакцию: 20 мая 2010 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2010 г.

Несмотря на огромное количество публикаций, посвященных изучению полупроводниковых гетероструктур, до последнего времени слабо изученными остаются полупроводниковые гетероструктуры I рода с основным электронным состоянием, принадлежащим непрямым (X и L) минимумам зоны проводимости. В работе обсуждается возможность создания полупроводниковых гетероструктур I рода с электронными состояниями, принадлежащими непрямым минимумам зоны проводимости на основе полупроводниковых соединений A III-B V.