Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Полупроводниковые гетероструктуры первого рода с непрямой зоной проводимости

Шамирзаев Т.С.¹

¹Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences, Novosibirsk, Russia

Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences, Novosibirsk, Russia

Поступила в редакцию: 20 мая 2010 г.

Выставление онлайн: 20 декабря 2010 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Несмотря на огромное количество публикаций, посвященных изучению полупроводниковых гетероструктур, до последнего времени слабо изученными остаются полупроводниковые гетероструктуры I рода с основным электронным состоянием, принадлежащим непрямым (X и L) минимумам зоны проводимости. В работе обсуждается возможность создания полупроводниковых гетероструктур I рода с электронными состояниями, принадлежащими непрямым минимумам зоны проводимости на основе полупроводниковых соединений A III-B V.

Ж.И. Алфёров. УФН 172, 1068 (2002)
R. Tsu. Supelattice to Nanoelectronics (Amsterdam, Elsevier, 2005)
D. Bimberg, M Grundmann, N.N. Ledentsov. Quantum Dot Heterostructures (N. Y., Wiley, 1999)
A.D. Yoffe. Adv. Phys., 50, 1 (2001)
H.W. van Kesteren, E.C. Cosman, P. Dawson, K.J. Moore, C.T. Foxon. Phys. Rev. B, 39, 13 426 (1989)
K. Suzuki, R.A. Hogg, Y. Arakawa. J. Appl. Phys., 85, 8349 (1999)
F. Hatami, M. Grundmann, N.N. Ledentsov, F. Heinrichsdorff, R. Heitz, J. Bohrer, D. Bimberg, S.S. Ruvimov, P. Werner, V.M. Ustinov, P.S. Kop'ev, Zh.I. Alferov. Phys. Rev. B, 57, 4635 (1998)
G.H. Yeap, S.I. Rybchenko, I.E. Itskevich, S.K. Haywood. Phys. Rev. B, 79, 075 305 (2009)
D. Kovalev, M. Ben Chorin, J. Diener, F. Koch, Al.L. Efros, M. Rosen, N.A. Gippius, S.G. Tikhodeev. Appl. Phys. Lett., 67, 1585 (1995)
S.I. Rybchenko, R. Gupta, K.T. Lai, I.E. Itskevich, S.K. Haywood, V. Tasco, N. Deguffroy, A.N. Baranov, E. Tournie. Phys. Rev. B, 76, 193 309 (2007)
T. Wang, F. Kieseling, A. Forchel. Phys. Rev. B, 58, 3594 (1998)
T.S. Shamirzaev, A.M. Gilinsky, A.K. Kalagin, A.V. Nenashev, K.S. Zhuravlev. Phys. Rev. B, 76, 155 309 (2007)
T.S. Shamirzaev, A.V. Nenashev, A.K. Gutakovskii, A.K. Kalagin, K.S. Zhuravlev, M. Larsson, P.O. Holtz. Phys. Rev. B, 78, 085 323 (2008)
T.S. Shamirzaev, A.V. Nenashev, K.S. Zhuravlev. Appl. Phys. Lett., 92, 213 101 (2008)
C.G. Van de Walle. Phys. Rev. B, 39, 1871 (1989)
A. Stroppa, M. Peressi. Phys. Rev. B, 71, 205 303 (2005)
S.H. Wei, A. Zunger. Phys. Rev. B, 60, 5404 (1999)
M.C. Munoz, G. Armelles. Phys. Rev. B, 48, 2839 (1993)
I. Vurgaftman, J.R. Meyer, L.R. Ram-Mohan. J. Appl. Phys., 89, 5815 (2001)
Semiconductor Optics and Transport Phenomena, ed. by W. Schafer, M. Wegener (Berlin; Springer 2002)
T.B. Boykin. Phys. Rev. B, 56, 9613 (1997)
New Semiconductor Materials. Characteristics and Properties http: //www.ioffe.ru/SVA/NSM/Semicond/InSb/bandstr.html
H. Pettersson, R.J. Warburton, J.P. Kotthaus, N. Carlsson, W. Seifert, M.-E. Pistol, L. Samuelson. Phys. Rev. B, 60, R11 289 (1999)
M. Yano, M. Okuizumi, Y. Iwai, M. Inoue. J. Appl. Phys., 74, 7472 (1993)
E.L. Ivchenko, M.O. Nestoklon. Phys. Rev. B, 70, 235 332 (2004)
L. He, G. Bester, A. Zunger. Phys. Rev. Lett., 94, 016 801 (2005)
J.M. Rorison. Phys. Rev. B, 48, 4643 (1993)
R. Magri, A. Zunger. Phys. Rev. B, 65, 165 302 (2002)
J.A. Prieto, G. Armelles, T. Utzmeier, F. Briones, J.C. Ferrer, F. Peiro, A. Cornet, J.R. Morante. Phys. Rev. Lett., 80, 1094 (1998)
E.R. Glaser, B.R. Bennett, B.V. Shanabrook, R. Magno. Appl. Phys. Lett., 68, 3614 (1996)
A.R. Goni, C. Krstukat, F. Hatami, S. Dreb ler, W.T. Masselink, C. Thomsen. Phys. Rev. B, 67, 075 306 (2003)
A.V. Khaetskii, Yu.V. Nazarov. Phys. Rev. B, 61, 12 639 (2000)
A.V. Khaetskii, Yu.V. Nazarov. Phys. Rev. B, 64, 125 316 (2001)
D. Gammon, E. Snow, B.V. Shanabrook, D. Katzer, D. Park. Science, 273, 87 (1996)
M. Paillard, X. Marie, P. Renucci, T. Amand, A. Jbeli, J.M. Gerard. Phys. Rev. Lett., 86, 1634 (2001)
Т.С. Шамирзаев, А.М. Гилинский, А.К. Бакаров, А.И. Торопов, Д.А. Тэннэ, К.С. Журавлев, К. фон Барцисковски, Д.Р.Т. Цан. Письма ЖЭТФ, 77, 459 (2003)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель