Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Температурно-зависимое экситонное поглощение в длиннопериодных структурах множественных квантовых ям InxGa1-xAs/GaAs
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
Поступила в редакцию: 24 мая 2010 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2010 г.
Исследована температурная зависимость края фундаментального поглощения длиннопериодных структур InxGa1-xAs/GaAs с различным числом квантовых ям в образцах с близким составом квантовых ям, шириной ям и периодом структуры. Экспериментальные результаты интерпретируются при помощи механизма экситон-поляритонного светопереноса с участием локализованных экситонов в ограниченных структурах с конечным числом квантовых ям. Обнаруженная низкотемпературная аномалия интегрального поглощения связывается с переизлучением резонансных локализованных экситонов вдоль конечной цепочки квантовых ям в отсутствие экситонного переноса. Получена экспериментальная оценка значения радиационного затухания экситона в одиночной квантовой яме. Продемонстрировано, что в области низких температур основной вклад в наблюдаемую ширину линии поглощения основного экситонного состояния уровней перехода тяжелой дырки определяется неоднородным уширением поля флуктуирующего потенциала, обусловленного композиционной неупорядоченностью твердого раствора. При низких температурах неоднородное уширение существенно превышает значения радиационного и нерадиационного истинного диссипативного затухания.
- А.С. Давыдов. Теория твердого тела. (М.: Наука, 1976); Н.Н. Ахмедиев. ЖЭТФ, 79 (10), 1534 (1980); J.S. Nkoma. Phys. Status Solidi B, 97, 657 (1980); G. Battaglia, A. Quattropani, P. Schwendimann. Phys. Rev. B, 34, 8258 (1986)
- R. Loudon. J. Phys. A, 3, 233 (1970)
- J. Voigt. Phys. Status Solidi B, 64 (2), 549 (1974)
- Н.Н. Ахмедиев, Г.П. Голубев, В.С. Днепровский, Е.А. Жуков. ФТТ, 7, 2225 (1983)
- V.A. Kosobukin, R.P. Seisyan, S.A. Vaganov. Semicond. Sci. Techn., 8 (7), 1235 (1993)
- Г.Н. Алиев, О.С. Кощуг, Р.П. Сейсян. ФТТ, 36 (2), 373 (1994)
- R.M. Datsiev, V.A. Kosobukin, N.V. Luk'yanova, R.P. Seisyan, M.R. Vladimirova. In: Electrochemical Society Proceedings ed. by R.T. Williams, W.M. Yen (1998) vol. 98--25
- W.S. Shen, S.C. Shen, W.G. Tang, S.M. Wang, T.G. Anderson. J. Appl. Phys., 78, 1178 (1995)
- G.N. Aliev, N.V. Lukyanova, R.P. Seisyan, M.R. Vladimirova, H. Hibbs, G. Hitrova. Phys. Status Solidi A, 93, 164 (1997)
- В.А. Кособукин, М.М. Моисеева. ФТТ, 37 (12), 3694 (1995)
- В.А. Кособукин. ФТТ, 45 (6), 1091 (2003)
- V.A. Kosobukin. Phys. Status Solidi B, 108, 271 (1998)
- В.А. Кособукин. А.Н. Поддубный. ФТТ, 49 (10), 1883 (2007)
- R.P. Seisyan, V.A. Kosobukin, S.A. Vaganov, M.A. Markosov, T.A. Shamirzaev, K.S. Zhuravlev, A.K. Bakanov, A.I. Toropov. Phys. Status Solidi C, 2, 900 (2005)
- Р.П. Сейсян, В.А. Кособукин, М.С. Маркосов. ФТП, 40 (11), 1321 (2006)
- R.P. Seisyan, Kh. Moumanis, S.I. Kokhanovskii, M.E. Sasin, A.V. Kavokin, H.M. Gibbs, G. Khitrova. In: Recent Research Developments in Physics ed. by S.G. Pandalai (Trivandrum, Transworld Research Network, 2001) vol.2, pt. II
- Р.П. Сейсян. Спектроскопия диамагнитных экситонов (М., Наука, 1984)
- С.А. Марков, Р.П. Сейсян, В.А. Кособукин. ФТП, 38 (2), 230 (2004)
- А.Н. Зайдель, Г.В. Островская, Ю.И. Островский. Техника и практика спектроскопии (М., Наука, 1976)
- М.С. Маркосов, Р.П. Сейсян. ФТП, 43 (5), 656 (2008)
- Л.Б. Воробьев, Е.Л. Ивченко, Д.А. Фирсов, В.А. Шалыгин. Оптические свойства наноструктур (СПб., Наука, 2001)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
