Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Гетероструктуры HgCdTe на подложках Si(310) для инфракрасных фотоприемников средневолнового спектрального диапазона
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия 
Поступила в редакцию: 5 августа 2010 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 2011 г.
Представлены результаты исследований процессов роста твердых растворов HgCdTe на подложках из кремния диаметром до 100 мм методом молекулярно-лучевой эпитаксии. Определены оптимальные условия получения гетероструктур HgCdTe/Si(310) приборного качества для спектрального диапазона 3-5 мкм. Представлены результаты измерений и обсуждение фотоэлектрических параметров инфракрасного фотоприемника форматом 320x 256 элементов с шагом 30 мкм на основе гибридной сборки матричного фоточувствительного элемента с кремниевым мультиплексором. Показана высокая стабильность параметров фотоприемника к термоциклированию от комнатной температуры до температуры жидкого азота.
- M. Reddy, J.M. Peterson, D.D. Lofgreen, J.A. Franklin, T. Vang, E.P.G. Smith, J.G.A. Wehner, I. Kasai, J.W. Bangs, S.M. Jonson. J. Electron. Mater., 37 (9), 1274 (2008)
- S. Sivananthan, X. Chu, J. Reno, J.P. Faurie. J. Appl. Phys., 60 (4), 1359 (1986)
- R.J. Koestner, H.F. Schaake, J. Vac. Sci. Technol. A, 6 (4), 2834 (1988)
- Y.S. Ryu, B.S. Song, T.W. Kang, T.W. Kim. J. Mater. Sci., 39, 1147 (2004)
- M. Carmody, J.G. Pasko, D. Edwall, E. Piquette, M. Kangas, S. Freeman, J. Arias, R. Jacobs, W. Mason, A. Stoltz, Y. Chen, N.K. Dhar. J. Electron. Mater., 37 (9), 1184 (2008)
- М.В. Якушев, А.А. Бабенко, Ю.Г. Сидоров. Неорг. матер., 45 (1), 15 (2009)
- Ю.Г. Сидоров, С.А. Дворецкий, Н.Н. Михайлов, М.В. Якушев, В.С. Варавин, А.П. Анциферов. Оптич. журн., 67 (1), 39 (2000)
- W. Kern, D.A. Puotinen. RCA Rev., 31, 187 (1970)
- D.B. Fenner, D.K. Biegelsen, R.D. Bringans. J. Appl. Phys., 66, 419 (1989)
- P. Mackett. In: Properties of Narrow Gap Cadmium-based Compounds, ed. by P. Capper (London, EMIS Data Review Series, 1994) v. 10. p. 188
- I.V. Sabinina, A.K. Gutakovsky, Yu.G. Sidorov, S.A. Dvoretsky, V.D. Kuzmin. J. Cryst. Growth, 117 ( 1-- 4), 238 (1992)
- T. Aoki, Y. Chang, G. Badano, J. Zhao, C. Grein, S. Sivananthan, D.J. Smith. J. Electron. Mater., 32, 703 (2003)
- I.V. Sabinina, A.K. Gutakovsky, Yu.G. Sidorov, A.V. Latyshev. J. Crystal Growth, 274, 339 (2005)
- И.В. Сабинина, А.К. Гутаковский, Ю.Г. Сидоров, М.В. Якушев, В.С. Варавин, А.В. Латышев. Письма ЖЭТФ, 82 (5-6), 326 (2005)
- М.В. Якушев, Д.В. Брунев, К.Н. Романюк, А.Е. Долбак, А.С. Дерябин, Л.В. Миронова, Ю.Г. Сидоров. Поверхность, 2, 41 (2008)
- A.D. van Rheenen, H. Syversen, R. Haakenaasen, H. Steen, L. Trosdahl-Iversen, T. Lorentzen. Phys. Scripta T, 126, 101 (2006)
- А. Рогальский. Инфракрасные детекторы (Новосибирск, Наука, 2003) ч. 3, гл. 8, с. 195
- R. Haakenaasen, T. Moen, T. Colin, H. Steen, L. Trosdahl-Iversen. J. Appl. Phys., 91, 427 (2002)
- M.F. Vilela, A.A. Buell, M.D. Newton, G.M. Venzor, A.C. Childs, J.M. Peterson, J.J. Franklin, R.E. Bornfreund, W.A. Radford, S.M. Johnson. J. Electron. Mater., 34 (6), 898 (2005)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
