Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Гетероструктуры HgCdTe на подложках Si(310) для инфракрасных фотоприемников средневолнового спектрального диапазона
Якушев М.В.1, Брунев Д.В.1, Варавин В.С.1, Васильев В.В.1, Дворецкий С.А.1, Марчишин И.В.1, Предеин А.В.1, Сабинина И.В.1, Сидоров Ю.Г.1, Сорочкин А.В.1
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия 
Поступила в редакцию: 5 августа 2010 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 2011 г.
Представлены результаты исследований процессов роста твердых растворов HgCdTe на подложках из кремния диаметром до 100 мм методом молекулярно-лучевой эпитаксии. Определены оптимальные условия получения гетероструктур HgCdTe/Si(310) приборного качества для спектрального диапазона 3-5 мкм. Представлены результаты измерений и обсуждение фотоэлектрических параметров инфракрасного фотоприемника форматом 320x 256 элементов с шагом 30 мкм на основе гибридной сборки матричного фоточувствительного элемента с кремниевым мультиплексором. Показана высокая стабильность параметров фотоприемника к термоциклированию от комнатной температуры до температуры жидкого азота.
- M. Reddy, J.M. Peterson, D.D. Lofgreen, J.A. Franklin, T. Vang, E.P.G. Smith, J.G.A. Wehner, I. Kasai, J.W. Bangs, S.M. Jonson. J. Electron. Mater., 37 (9), 1274 (2008)
- S. Sivananthan, X. Chu, J. Reno, J.P. Faurie. J. Appl. Phys., 60 (4), 1359 (1986)
- R.J. Koestner, H.F. Schaake, J. Vac. Sci. Technol. A, 6 (4), 2834 (1988)
- Y.S. Ryu, B.S. Song, T.W. Kang, T.W. Kim. J. Mater. Sci., 39, 1147 (2004)
- M. Carmody, J.G. Pasko, D. Edwall, E. Piquette, M. Kangas, S. Freeman, J. Arias, R. Jacobs, W. Mason, A. Stoltz, Y. Chen, N.K. Dhar. J. Electron. Mater., 37 (9), 1184 (2008)
- М.В. Якушев, А.А. Бабенко, Ю.Г. Сидоров. Неорг. матер., 45 (1), 15 (2009)
- Ю.Г. Сидоров, С.А. Дворецкий, Н.Н. Михайлов, М.В. Якушев, В.С. Варавин, А.П. Анциферов. Оптич. журн., 67 (1), 39 (2000)
- W. Kern, D.A. Puotinen. RCA Rev., 31, 187 (1970)
- D.B. Fenner, D.K. Biegelsen, R.D. Bringans. J. Appl. Phys., 66, 419 (1989)
- P. Mackett. In: Properties of Narrow Gap Cadmium-based Compounds, ed. by P. Capper (London, EMIS Data Review Series, 1994) v. 10. p. 188
- I.V. Sabinina, A.K. Gutakovsky, Yu.G. Sidorov, S.A. Dvoretsky, V.D. Kuzmin. J. Cryst. Growth, 117 ( 1-- 4), 238 (1992)
- T. Aoki, Y. Chang, G. Badano, J. Zhao, C. Grein, S. Sivananthan, D.J. Smith. J. Electron. Mater., 32, 703 (2003)
- I.V. Sabinina, A.K. Gutakovsky, Yu.G. Sidorov, A.V. Latyshev. J. Crystal Growth, 274, 339 (2005)
- И.В. Сабинина, А.К. Гутаковский, Ю.Г. Сидоров, М.В. Якушев, В.С. Варавин, А.В. Латышев. Письма ЖЭТФ, 82 (5-6), 326 (2005)
- М.В. Якушев, Д.В. Брунев, К.Н. Романюк, А.Е. Долбак, А.С. Дерябин, Л.В. Миронова, Ю.Г. Сидоров. Поверхность, 2, 41 (2008)
- A.D. van Rheenen, H. Syversen, R. Haakenaasen, H. Steen, L. Trosdahl-Iversen, T. Lorentzen. Phys. Scripta T, 126, 101 (2006)
- А. Рогальский. Инфракрасные детекторы (Новосибирск, Наука, 2003) ч. 3, гл. 8, с. 195
- R. Haakenaasen, T. Moen, T. Colin, H. Steen, L. Trosdahl-Iversen. J. Appl. Phys., 91, 427 (2002)
- M.F. Vilela, A.A. Buell, M.D. Newton, G.M. Venzor, A.C. Childs, J.M. Peterson, J.J. Franklin, R.E. Bornfreund, W.A. Radford, S.M. Johnson. J. Electron. Mater., 34 (6), 898 (2005)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
