Вышедшие номера
Оптимизация конфигурации симметричной трехбарьерной резонансно-туннельной структуры как активного элемента квантового каскадного детектора
Ткач Н.В.1, Сети Ю.А.1
1Черновицкий национальный университет им. Ю. Федьковича, Черновцы, Украина
Поступила в редакцию: 14 июля 2010 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 2011 г.

В модели прямоугольных потенциалов и различных эффективных масс электрона в ямах и барьерах открытой трехбарьерной резонансно-туннельной структуры с одинаковыми внешними барьерами развита теория и выполнен расчет динамической проводимости, возникающей из-за взаимодействия электромагнитного поля с проходящими сквозь структуру электронами. На примере трехбарьерной резонансно-туннельной структуры с ямами In0.53Ga0.47As и барьерами In0.52Al0.48As показано, что независимо от геометрических размеров потенциальных ям и барьеров существует три геометрические конфигурации (положения внутреннего барьера относительно внешних), при которых наносистема как активный элемент обеспечивает оптимальный режим работы квантового каскадного детектора.