Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Исследование процессов самокаталитического роста GaAs нитевидных кристаллов на модифицированных поверхностях Si(111), полученных методом молекулярно-пучковой эпитаксии

Самсоненко Ю.Б.^1,2,3, Цырлин Г.Э.^1,2,3, Хребтов А.И.², Буравлев А.Д.^2,3, Поляков Н.К.^1,2,3, Улин В.П.³, Дубровский В.Г.^2,3, Werner P.⁴

¹Институт аналитического приборостроения Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия Institute for Analytical Instrumentation of the Russian Academy of Sciences, Saint Petersburg, Russia

Institute for Analytical Instrumentation of the Russian Academy of Sciences, Saint Petersburg, Russia

²Санкт-Петербургский Академический университет --- научно-образовательный центр нанотехнологий Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия Nanotechnology Center, St. Petersburg Academic University, Russian Academy of Sciences, St. Petersburg, Russia

Nanotechnology Center, St. Petersburg Academic University, Russian Academy of Sciences, St. Petersburg, Russia

³Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

⁴Max-Plank Institute for Microstructure Physics, Halle/Saale D, Germany

Поступила в редакцию: 19 октября 2010 г.

Выставление онлайн: 19 марта 2011 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Исследованы процессы роста самокаталитических GaAs нитевидных нанокристаллов, выращенных на модифицированных 3 различными методами поверхностях Si(111). В качестве технологического метода получения нанокристаллов была использована молекулярно-пучковая эпитаксия. Установлено, что в интервале температур подложки 610-630^oC имеет место резкое увеличение поверхностной плотности и диаметра нанокристаллов, в то время как температурная зависимость длины нанокристаллов имеет максимум при 610^oC. Повышение температуры до 640^oC приводит к подавлению формирования нитевидных нанокристаллов. Описан метод, позволяющий получать чисто кубические GaAs нитевидные нанокристаллы. Дано теоретическое обоснование появления кубической фазы в самокаталитических GaAs нитевидных нанокристаллах.

F. Glas. Phys. Rev. B, 74, 121 302 (2006)
L.C. Chuang, M. Moewe, S. Crankshaw, C. Chang-Hasnain. Appl. Phys. Lett., 92, 013 121 (2008)
G.E. Cirlin, V.G. Dubrovskii, I.P. Soshnikov, N.V. Sibirev, Yu.B. Samsonenko, A.D. Bouravleuv, J.C. Harmand, F. Glas. Phys. Status Solidi RRL, 3 (4) (2009)
M. Moewe, L.C. Chuang, V.G. Dubrovskii, C. Chang-Hasnain. J. Appl. Phys., 104, 044 313 (2008)
A. Fontcuberta i Morral, C. Colombo, G. Abstreiter. Appl. Phys. Lett., 92, 063 112 (2008)
G.E. Cirlin, V.G. Dubrovskii, Yu.B. Samsonenko, A.D. Bouravleuv, K. Durose, Y.Y. Proskuryakov, Budhikar Mendes, L. Bowen, M.A. Kaliteevski, R.A. Abram, Dagou Zeze. Phys. Rev. B, 82, 035 302 (2010)
M. Mattila, T. Hakkarainen, H. Lipsanen. Appl. Phys. Lett., 89, 063 119 (2006)
M. Moewe, L.C. Chuang, S. Crankshow, C. Chase, C. Chang-Hasnain. Appl. Phys. Lett., 93, 023 116 (2008)
В.Г. Дубровский, Г.Э. Цырлин, В.М. Устинов. ФТП, 43, 1585 (2009)
A.I. Persson, M.W. Larsson, S. Stengstrom, B.J. Ohlsson, L. Samuelson, L.R. Wallenberg. Nature Mater., 3, 677 (2004)
И.П. Сошников, Г.Э. Цырлин, А.А. Тонких, Ю.Б. Самсоненко, В.Г. Дубровский, В.М. Устинов, О.М. Горбенко, D. Litvinov, D. Gerthsen. ФТТ, 47, 2121 (2005)
J.C. Harmand, G. Patriarche, N. Pere-Laperne, M.-N. Merat-Combes, L. Travers, F. Glas. Appl. Phys. Lett., 87, 203 101 (2005)
V.G. Dubrovskii, G.E. Cirlin, I.P. Soshnikov, A.A. Tonkikh, N.V. Sibirev, Yu.B. Samsonenko, V.M. Ustinov. Phys. Rev. B, 71, 205 325 (2005)
Г.Э. Цырлин, В.Г. Дубровский, Н.В. Сибирев, И.П. Сошников, Ю.Б. Самсоненко, А.А. Тонких, В.М. Устинов. ФТП, 39, 587 (2005)
F. Glas, J.C. Harmand, G. Patriarche. Phys. Rev. Lett., 99, 146 101 (2007)
V.G. Dubrovskii, N.V. Sibirev, J.C. Harmand, F. Glas. Phys. Rev. B, 78, 235 301 (2008)
J. Johansson, L.S. Karlsson, K.A. Dick, J. Bolinsson, B.A. Wacaser, K. Deppert, L. Samuelson. Cryst. Growth. and Design, 9, 766 (2009)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель