Подвижность неосновных носителей заряда при низком уровне инжекции в полупроводниках
Поморцева Л.И.1
1Федеральное государственное унитарное предприятие "Всероссийский электротехнический институт им. В.И. Ленина", Москва, Россия
Поступила в редакцию: 19 августа 2010 г.
Выставление онлайн: 19 марта 2011 г.
Из кинетических уравнений получены функции распределения основных и неосновных носителей заряда при низком уровне инжекции. Для описания электронно-дырочных столкновений носителей использовался интеграл столкновения Ландау. Учтено рассеяние носителей на ионизованной, нейтральной примесях и на акустических фононах. Функция распределения основных носителей заряда представлена в аналитическом виде. Вычислена и проанализирована подвижность неосновных носителей заряда, и выявлены особенности ее поведения при низких температурах. Из развитой теории следует, что подвижность дырок в материале n-типа проводимости возрастает при увеличении легирования и концентрации нейтральной примеси. Этот эффект объясняется влиянием взаимных столкновений носителей заряда и различием эффективных масс носителей разного знака.
- Z.P. Guan, J.Z. Li, G.Y. Zhang, S.X. Jin, X.M. Ding. Semicond. Sci. Technol., 15, 51 (2000)
- J. Dziewior, D. Silber. Appl. Phys. Rev. Lett., 35, 170 (1979)
- D.E. Burk, V. De La Torre. IEEE Electron. Dev. Lett., EDL- 5, 231 (1984)
- R.P. Mertens, J.L. Meerbergen, I.P. Nijs, Van Overstraeten. IEEE Trans. Electron. Dev., ED- 27, 949 (1980)
- A. Newgroschel. IEEE Trans. Electron. Dev. Lett., EDL- 6, 425 (1985)
- E. Susi, L. Passari, M. Merly, M.C. Carrotta. Phys. Status Solidi A, 106, 835 (1988)
- C.H. Wang, K. Misiakos, A. Newgroschel. Appl. Phys. Lett., 57, 159 (1990)
- L. Chernyak, A. Osinsky, H. Temkin, J.W. Yang, Q. Chen, M.A. Khan. Appl. Phys. Lett., 69, 2531 (1996)
- O. Brandt, H. Yang, H. Kostial, K.H. Ploog. Appl. Phys. Lett., 69, 2707 (1996)
- Z.Z. Bandic, P.M. Bridger, E.C. Picuette, T.C. McGill. Appl. Phys. Lett., 72, 3166 (1998)
- A.Y. Polyakov, Q. Li, S.W. Huh, M. Skowronski, O. Lopatiuk, L. Chernyak, E. Sanchez. J. Appl. Phys., 97, 053 703 (2005)
- R.A. Hopfel, J. Shah. Phys. Rev. Lett., 56 (25), 2736 (1986)
- R.A. Hopfel, J. Shah. Appl. Phys. Lett., 49 (10), 572 (1986)
- И.М. Дыкман, П.М. Томчук. ФТТ, 6, 1388 (1964)
- З.С. Грибников, В.И. Мельников. ФТП, 2, 1352 (1968)
- В.А. Кузьмин, Т.Т. Мнацаканов, В.В. Шуман. Письма ЖТФ, 7, 689 (1980)
- T.T. Mnatsakanov. Phys. Status Solidi B, 3, 225 (1987)
- T.T. Mnatsakanov, I.L. Rostovtsev, N.I. Philatov. Sol. St. Electron., 30, 579 (1987)
- T.T. Mnatsakanov, B.N. Gresserov, L.I. Pomortseva. Sol. St. Electron., 38, 225 (1995)
- Е.М. Лифшиц, Л.П. Питаевский. Физическая кинетика (М., Наука, 1979) гл. 4
- Дж. Займан. Электроны и фононы (М., Иностр. лит., 1962)
- В.Л. Бонч-Бруевич, С.Г. Калашников. Физика полупроводников (М., Наука, 1977) гл. 13
- И.М. Дыкман, П.М. Томчук. ФТТ, 2, 2228 (1960)
- П.М. Томчук. ФТТ, 3, 1258 (1961).
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
