Вышедшие номера
Подвижность неосновных носителей заряда при низком уровне инжекции в полупроводниках
Поморцева Л.И.1
1Федеральное государственное унитарное предприятие "Всероссийский электротехнический институт им. В.И. Ленина", Москва, Россия
Поступила в редакцию: 19 августа 2010 г.
Выставление онлайн: 19 марта 2011 г.

Из кинетических уравнений получены функции распределения основных и неосновных носителей заряда при низком уровне инжекции. Для описания электронно-дырочных столкновений носителей использовался интеграл столкновения Ландау. Учтено рассеяние носителей на ионизованной, нейтральной примесях и на акустических фононах. Функция распределения основных носителей заряда представлена в аналитическом виде. Вычислена и проанализирована подвижность неосновных носителей заряда, и выявлены особенности ее поведения при низких температурах. Из развитой теории следует, что подвижность дырок в материале n-типа проводимости возрастает при увеличении легирования и концентрации нейтральной примеси. Этот эффект объясняется влиянием взаимных столкновений носителей заряда и различием эффективных масс носителей разного знака.