Поступила в редакцию: 5 августа 2010 г.
Выставление онлайн: 19 марта 2011 г.
Методом лазерного осаждения при температурах подложки 480 и 580 K получены пленки тройного соединения CuGa3Se5. Исследован их состав и структура. Установлено, что как кристаллы, так и пленки соединения CuGa3Se5 кристаллизуются в структуре дефектного халькопирита. По спектрам пропускания в области края собственного поглощения определены значения энергий оптических переходов и их природа. В соответствии с квазикубической моделью Хопфилда рассчитаны величины энергий кристаллического (Deltacr) и спин-орбитального (DeltaSO) расщепления валентной зоны для тройного соединения CuGa3Se5.
- W. Honle, G. Kuhn, U.-C. Boehnke. Cryst. Res. Technol., 23, 1347 (1988)
- S.M. Wasim, C. Rincon, G. Marin. Phys. Status Solidi A, 194, 244 (2002)
- T. Negami, N. Kohara, M. Nishitani, T. Wada, T. Hirao. Appl. Phys. Lett., 67, 825 (1995)
- C. Rincon, G. Marin, S.M. Wasim, I. Molina. J. Appl. Phys., 93, 780 (2003)
- S.B. Zhang, S.H. Wei, A. Zinger. Phys. Rev. Lett., 78, 4059 (1970)
- И.В. Боднарь, Т.Л. Кушнер, В.Ю. Рудь, Ю.В. Рудь, М.В. Якушев. ЖПС, 69, 520 (2002)
- Ю.И. Уханов. Оптические свойства полупроводников (М., Наука, 1977)
- T.J. Shay, H.M. Kasper. Phys. Rev. Lett., 29, 1162 (1972)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.