Увеличение интенсивности фотолюминесценции и комбинационного рассеяния света в одномерных фотонных кристаллах на основе пористого кремния
Гончар К.А.1, Мусабек Г.К.2, Таурбаев Т.И.2, Тимошенко В.Ю.1
1Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова (физический факультет), Москва, Россия
2Казахский национальный университет им. Аль-Фараби (физический факультет), Алматы, Казахстан
Поступила в редакцию: 10 ноября 2010 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2011 г.
Обнаружено увеличение интенсивности фотолюминесценции и комбинационного рассеяния света в многослойных структурах на основе пористого кремния, обладающих свойствами одномерных фотонных кристаллов, при возбуждении светом с длиной волны 1.064 мкм. Обнаружено, что при попадании возбуждающего излучения на край фотонной зоны исследуемых структур происходит многократное увеличение (более чем в 400 раз) эффективности комбинационного рассеяния света. Данный эффект объясняется частичной локализацией возбуждающего света, что приводит к значительному увеличению времени взаимодействия света с веществом в исследуемых структурах.
- B. Ziaie, A. Baldi, M.Z. Atashbar. Introduction of Mic-ro/Nanofabrication (Springer Handbook of Nanotechnology, B. Bhushan ed.) (Berlin, Springer, 2004)
- N. Daldosso, L. Pavesi. Laser \& Photon. Rev., 3, 508 (2009)
- S. John. Phys. Rev. Lett., 58, 2486 (1987)
- A.-Sh. Chu, S.H. Zaidi, S.R.J. Brueck. Appl. Phys. Lett., 63, 905 (1993)
- M. Elwenspoek, H.V. Jancen. Silicon Micromachining (Cambridge University Press, 1998)
- S.H. Zaidi, A.-Sh. Chu, S.R.J. Brueck. Appl. Phys. Lett., 80, 6997 (1996)
- O. Boyraz, B. Jalali. Opt. Express, 12, 5269 (2004)
- D. Dimitropoulos, S. Fathpour, B. Jalali. Appl. Phys. Lett., 87, 261 108 (2005)
- D.A. Mamichev, V.Yu. Timoshenko, A.V. Zoteyev, L.A. Golovan, E.Yu. Krutkova, A.V. Laktyunkin, P.K. Kashkarov, E.V. Astrova, T.S. Perova. Phys. Status Solidi B, 246, 173 (2009)
- K. Sakoda. Optical Properties of Photonic Crystals (Berlin, Springer, 2001) [Springer Ser. Opt. Sci., 80]
- E. Yablonovitch. Phys. Rev. Lett., 58, 2059 (1987)
- Л.А. Головань, В.Ю. Тимошенко, П.К. Кашкаров. УФН, 177 (6), 619 (2007)
- М. Борн, Э. Вольф. Основы оптики (М., Наука, 1973)
- V. Lehmann, R. Stengl, A. Luigart. Mater. Sci. Eng. B, 69--70, 11 (2000)
- В.Л. Бонч-Бруевич, С.Г. Калашников. Физика полупроводников (М., Наука, 1990)
- М.Г. Лисаченко, Е.А. Константинова, В.Ю. Тимошенко, П.К. Кашкаров. ФТП, 36 (3), 344 (2002)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
