Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
О переходе заряда в системе адсорбированные молекулы--монослой графена--SiC-подложка
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
Поступила в редакцию: 7 октября 2010 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2011 г.
Переходы заряда в трехслойной структуре молекула (M)-однослойный графен (G)-SiC-подложка рассматриваются поэтапно. На первом этапе предлагается простая модель плотности состояний адсорбированного на карбиде кремния монослоя графена (система G-SiC), позволяющая вычислить соответствующие числа заполнения атомов графена. Показано, что монослой G накапливает отрицательный заряд. На втором этапе система G-SiC рассматривается как подложка, на которой адсорбируются молекулы с высоким значением сродства к электрону. Вычисляется заряд этих молекул в зависимости от их поверхностной концентрации. Показано, что при монослойном покрытии плотность отрицательного поверхностного заряда молекул в системе M-G-SiC значительно превосходит плотность поверхностного заряда, перешедшего с SiC-подложки на графен. Последнее свидетельствует о возможности нейтрализации избыточного заряда в графене путем адсорбции на нем соответствующих частиц.
- A.H. Castro Nero, F. Guinea, N.M.R. Peres, K.S. Novoselov, A.K. Gaim. Rev. Mod. Phys., 81 (1), 109 (2008)
- С.Ю. Давыдов, А.А. Лебедев, Н.Ю. Смирнова. ФТТ, 51 (3), 452 (2009)
- C. Riedel, C. Coletri, T. Iwasaki, A.A. Zakharov, U. Starke. Phys. Rev. Lett., 103, 246 804 (2009)
- J. Soltys, J. Piechota, M. Lopuszynski, S. Krukovski. arXiv: 10002.4717vl
- С.Ю. Давыдов, А.А. Лебедев. Письма ЖТФ, 36 (18), 55 (2010)
- C. Coleti, C. Riedel, D.S. Lee, B. Krauss, L. Patthey, K. von Klitzing, J.H. Smet, U. Starke. Phys. Rev. B, 81, 235 401 (2010)
- W. Chen, S. Chen, D. Chen Qi, X.Y. Gao, A.T.S. Wee, J. Amer. Chem. Soc., 129 (34), 10 422 (2007)
- H. Pinto, R. Jones, J.P. Goss, P.R. Briddon. J. Phys.: Condens. Matter, 21, 402 001 (2009)
- P.W. Anderson. Phys. Rev., 124 (1), 41 (1961)
- D.M. Newns. Phys. Rev., 178 (3), 1123 (1969)
- С.Ю. Давыдов. ФТТ, 20 (6), 1752 (1978)
- С.Ю. Давыдов, А.В. Павлык. ФТТ, 35 (7), 831 (2001)
- С.Ю. Давыдов, С.В. Трошин. ФТТ, 49 (8), 1508 (2007)
- P.R. Wallace. Phys. Rev., 71 (9), 622 (1947)
- С.Ю. Давыдов, Г.И. Сабирова. ФТТ, 53 (3), (2011)
- J.P. Muscat, D.M. Newns. J. Phys. C: Sol. St. Phys., 7 (15), 2630 (1974)
- A. Mattausch, O. Pankratov. Phys. Rev. Lett., 99, 076 802 (2007)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
