Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

О переходе заряда в системе адсорбированные молекулы--монослой графена--SiC-подложка

Давыдов С.Ю.¹

¹Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

Поступила в редакцию: 7 октября 2010 г.

Выставление онлайн: 19 апреля 2011 г.

PDF версия

Переходы заряда в трехслойной структуре молекула (M)-однослойный графен (G)-SiC-подложка рассматриваются поэтапно. На первом этапе предлагается простая модель плотности состояний адсорбированного на карбиде кремния монослоя графена (система G-SiC), позволяющая вычислить соответствующие числа заполнения атомов графена. Показано, что монослой G накапливает отрицательный заряд. На втором этапе система G-SiC рассматривается как подложка, на которой адсорбируются молекулы с высоким значением сродства к электрону. Вычисляется заряд этих молекул в зависимости от их поверхностной концентрации. Показано, что при монослойном покрытии плотность отрицательного поверхностного заряда молекул в системе M-G-SiC значительно превосходит плотность поверхностного заряда, перешедшего с SiC-подложки на графен. Последнее свидетельствует о возможности нейтрализации избыточного заряда в графене путем адсорбции на нем соответствующих частиц.

A.H. Castro Nero, F. Guinea, N.M.R. Peres, K.S. Novoselov, A.K. Gaim. Rev. Mod. Phys., 81 (1), 109 (2008)
С.Ю. Давыдов, А.А. Лебедев, Н.Ю. Смирнова. ФТТ, 51 (3), 452 (2009)
C. Riedel, C. Coletri, T. Iwasaki, A.A. Zakharov, U. Starke. Phys. Rev. Lett., 103, 246 804 (2009)
J. Soltys, J. Piechota, M. Lopuszynski, S. Krukovski. arXiv: 10002.4717vl
С.Ю. Давыдов, А.А. Лебедев. Письма ЖТФ, 36 (18), 55 (2010)
C. Coleti, C. Riedel, D.S. Lee, B. Krauss, L. Patthey, K. von Klitzing, J.H. Smet, U. Starke. Phys. Rev. B, 81, 235 401 (2010)
W. Chen, S. Chen, D. Chen Qi, X.Y. Gao, A.T.S. Wee, J. Amer. Chem. Soc., 129 (34), 10 422 (2007)
H. Pinto, R. Jones, J.P. Goss, P.R. Briddon. J. Phys.: Condens. Matter, 21, 402 001 (2009)
P.W. Anderson. Phys. Rev., 124 (1), 41 (1961)
D.M. Newns. Phys. Rev., 178 (3), 1123 (1969)
С.Ю. Давыдов. ФТТ, 20 (6), 1752 (1978)
С.Ю. Давыдов, А.В. Павлык. ФТТ, 35 (7), 831 (2001)
С.Ю. Давыдов, С.В. Трошин. ФТТ, 49 (8), 1508 (2007)
P.R. Wallace. Phys. Rev., 71 (9), 622 (1947)
С.Ю. Давыдов, Г.И. Сабирова. ФТТ, 53 (3), (2011)
J.P. Muscat, D.M. Newns. J. Phys. C: Sol. St. Phys., 7 (15), 2630 (1974)
A. Mattausch, O. Pankratov. Phys. Rev. Lett., 99, 076 802 (2007)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель