Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Низкотемпературные транспортные свойства пленок мультиграфена, сформированных сублимацией на поверхности SiC

Лебедев А.А.¹, Агринская Н.В.¹, Лебедев С.П.¹, Мынбаева М.Г.¹, Петров В.Н.¹, Смирнов А.Н.¹, Стрельчук А.М.¹, Титков А.Н.¹, Шамшур Д.В.¹

¹Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

Поступила в редакцию: 2 ноября 2010 г.

Выставление онлайн: 19 апреля 2011 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Проведено исследование пленок мультиграфена, полученных сублимацией на поверхности полуизолирующей подложки 6H-SiC. Показано, что использование предростового отжига подложки в квазизамкнутой ростовой ячейке приводит к улучшению структурного совершенства пленки мультиграфена. К пленке были сделаны омические контакты и проведено исследование эффекта Холла при низких температурах. В пленках было обнаружено наличие двумерного дырочного газа. Был сделан вывод, что проводимость пленки определяется дефектами, существующими в слое графена или на интерфейсе между пленкой графена и подложкой SiC.

K.S. Novoselov, A.K. Geim, S.V. Morozov, D. Jiang, D. Zhang, S.V. Dubonos, I.V. Grigorieva, A.A. Firsov. Science, 306, 666 (2004)
J. Hass, W.A. de Harr, E.H. Conrad. J. Phys.: Condens. Matter., 20, 323 202 (2008)
А.А. Лебедев, И.С. Котоусова, А.В. Лаврентьев, С.П. Лебедев, П.А. Дементьев, В.Н. Петров, А.Н. Смирнов, А.Н. Титков. ФТТ, 52, 799 (2010)
V. Ramachandran, M.F. Brady, A.R. Smith, R.M. Feenstra, D.W. Greve. J. Electron. Mater., 27 (4), (1998)
S.P. Lebedev, V.N. Petrov, A.A. Lavrent'ev, A.V. Nashchekin, A.A. Lebedev, A.N. Smirnov, A.N. Titkov. Abstract 8th European Conf.: SiC and Related Materials, 29 Aug.-3 Sept. 2010 (Oslo, Norway), p. 57
A.C. Ferrari, J.C. Meyer, V. Scardaci, C. Casiraghi, M. Lazzeri, F. Mauri, S. Piscanec, D. Jiang, K.S. Novoselov, S. Roth, A.K. Geim. Phys. Rev. Lett., 97, 187 401 (2006)
A. Das, B. Chakraboty, A.K. Sood. Bull. Mater. Sci., 31, 579 (2008)
А.А. Лебедев, А.М. Стрельчук, Д.В. Шамшур, Г.А. Оганесян, С.П. Лебедев, М.Г. Мынбаева, А.В. Садохин. ФТП, 44, 1436 (2009)
В.Ф. Гантмахер. Электроны в неупорядоченных средах (М., Физматлит, 2003)
N. Garci a, P. Esquinazi, J. Barzola-Quiquia, B. Ming, D. Spoddig. Phys. Rev. B, 78, 035 413 (2008)
P. Mohanty, E.M.Q. Jariwala, R.A. Webb. Phys. Rev. Lett., 78, 3366 (1997)
S.V. Morozov, K.S. Novoselov, F. Schedin, D. Jiang, A.A. Firsov, A.K. Geim. Phys. Rev. B, 72, 201 401 (2005)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель