Оптические свойства квантово-размерных гетероструктур на основе твердых растворов GaPxNyAs1-x-y
Егоров А.Ю.1, Крыжановская Н.В.2, Соболев М.С.1
1Санкт-Петербургский Академический университет --- научно-образовательный центр нанотехнологий Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 11 февраля 2011 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2011 г.
Представлены результаты расчета ширины запрещенной зоны в твердых растворах GaPxNyAs1-x-y, а также оценочные значения параметра гибридизации зоны проводимости GaP и локализованного уровня азота. Методом фотолюминесценции в диапазоне температур 15-300 K исследованы оптические свойства квантово-размерных гетероструктур на основе твердых растворов GaPxNyAs1-x-y, синтезированных на поверхности подложки GaP(100). Исследованные гетероструктуры представляют собой квантовые ямы GaP0.814N0.006As0.18 толщиной 5 нм, разделенные барьерными слоями GaP толщиной 5 нм, с различным числом периодов. При оптическом возбуждении структур наблюдается интенсивная линия фотолюминесценции в спектральном диапазоне 620-650 нм. Спектры фотолюминесценции квантовых ям GaP0.814N0.006As0.18/GaP сильно уширены вследствие неоднородности по составу четверного твердого раствора. Установлено, что увеличение числа слоев квантовых ям от 10 до 25 не приводит к деградации фотолюминесцентных свойств гетероструктур. Результаты исследований подтверждают возможность создания эффективных приборов оптоэлектроники на основе твердых растворов GaPxNyAs1-x-y.
- H. Yonezu. Semicond. Sci. Technol., 17, 762 (2002)
- W. Shan, W. Walukiewicz, K.M. Yu, J. Wu, J.W. Ager III, E.E. Haler, X.P. Xin, C.W. Tu. Appl. Phys. Lett., 76, 3251 (2000)
- I.A. Buyanova, G. Pozina, J.P. Bergman, W.M. Chen, X.P. Xin, C.W. Tu. Appl. Phys. Lett., 52, 81 (2002)
- А.Ю. Егоров, Н.В. Крыжановская, Е.В. Пирогов, М.М. Павлов. ФТП, 44 (7), 886 (2010)
- W. Shan, W. Walukiewicz, J.W. Ager III, E.E. Haller, J.F. Geisz, D.J. Friedman, J.M. Olson, S.R. Kurtz. Phys. Rev. Lett., 82, 1221 (1999)
- W. Shan, W. Walukiewicz, K.M. Yu, J.W. Ager III, E.E. Haller, J.F. Geisz, D.J. Friedman, J.M. Olson, S.R. Kurtz, H.P. Xin, C.W. Tu. Phys. Status Solidi B, 223, 75 (2001)
- B. Kunert, K. Volz, W. Stolz. Phys. Status Solidi B, 244, 2730 (2007)
- R. Kudrawiec. J. Appl. Phys., 101, 116 101 (2007)
- J. Chamings, S. Ahmed, A.R. Adams, S.J. Sweeney, V.A. Odnoblyudov, Ch.W. Tu, B. Kunert, W. Stolz. Phys. Status Solidi B, 246, 527 (2009)
- А.Ю. Егоров, Е.С. Семенова, В.М. Устинов, Y.G. Hong. C. Tu. ФТП, 36, 1056 (2002)
- E.F. Schubert. Light-emitting diodes (Cambridge University Press, 2007)
- Н.В. Крыжановская, А.Ю. Егоров, В.В. Мамутин, Н.К. Поляков, А.Ф. Цацульников, А.Р. Ковш, Н.Н. Леденцов, В.М. Устинов, Д. Бимберг. ФТП. 39, 735 (2005)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
