Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Подвижность и дрейфовая скорость электронов в селективно-легированных гетероструктурах InAlAs/InGaAs/ InAlAs

Васильевский И.С.^1,2, Галиев Г.Б.^1,2, Климов Е.А.¹, Пожела К.³, Пожела Ю.³, Юцене В.³, Сужеделис А.³, Жураускене Н.³, Кершулис С.³, Станкевич В.³

¹Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ", Москва, Россия National Research Nuclear University “MEPhI”, Moscow, Russia

²Институт СВЧ полупроводниковой электроники Российской академии наук, Москва, Россия
³Институт физики полупроводников Центра физических и технологических наук, Вильнюс, Литва

Поступила в редакцию: 15 февраля 2011 г.

Выставление онлайн: 20 августа 2011 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Экспериментально получено повышение подвижности и дрейфовой скорости электронов в сильных электрических полях в квантовых ямах селективно-легированных гетероструктур InAlAs/InGaAs/InAlAs путем регулирования состава полупроводников, составляющих интерфейс. В метаморфной структуре In_0.8Ga_0.2As/In_0.7Al_0.3As с высокой мольной долей In (0.7-0.8) на интерфейсе подвижность электронов достигает 12.3·10³ см²·B^-1·с^-1 при комнатной температуре. Получено увеличение подвижности электронов в 1.1-1.4 раза при введении тонких (1-3 нм) слоев InAs в квантовую яму селективно-легированных гетероструктур In_0.53Ga_0.47As/In_0.52Al_0.48As. Максимальная дрейфовая скорость достигает 2.5·10⁷ см/с в электрических полях 2-5 кВ/см. Величина порогового поля F_th для междолинного Gamma-L переброса электронов (эффект Ганна) в квантовой яме InGaAs в 2.5-3 раза выше, чем в объемном материале. Установлен эффект двух/трехкратного снижения величины порогового поля F_th в квантовой яме InGaAs при увеличении мольной доли In в барьере InAlAs, а также при введении тонких InAs-вставок в квантовую яму InGaAs.

B.K. Ridley. Phys. Rev. B, 39, 5282 (1989)
R. Haupt, L. Wendler. Phys. Rev. B, 44, 1850 (1991)
J. Povzela, A. Namajunas, K. Povzela, V. Juciene. J. Appl. Phys., 81, 1775 (1997)
M.A. Stroscio, M. Dutta. Phonons in Nanostructures (Cambridge University Press, Cambridge, 2001)
Ю. Пожела, К. Пожела, В. Юцене. ФТП, 41, 1093 (2007)
Ю. Пожела, К. Пожела, Р. Рагуотис, В. Юцене. ФТП, 45, 778 (2011)
D.R. Anderson, N.A. Zakhleniuk, M. Babiker, B.K. Ridley, C.R. Bennet. Phys. Rev. B, 63, 245 313 (2001)
V.A. Kulbachinskii, I.S. Vasil'evskii, R.A. Lunin, G. Galistu, A. de Visser, G.B. Galiev, S.S. Shirokov, V.G. Mokerov. Semicond. Sci. Technol., 22, 222 (2007)
Г.Б. Галиев, И.С. Васильевский, Е.А. Климов, В.Г. Мокеров, А.А. Черечукин. ФТП, 40, 1479 (2006)
И.С. Васильевский, Г.Б. Галиев, Е.А. Климов, В.Г. Мокеров, С.С. Широков, Р.М. Имамов, И.А. Субботин. ФТП, 42, 1102 (2008)
В.Г. Мокеров, И.С. Васильевский, Г.Б. Галиев, Ю. Пожела, К. Пожела, А. Сужеделис, В. Юцене, Ч. Пашкевич. ФТП, 43, 478 (2009)
J. Povzela, K. Povzela, A. Shkolnik, A. Suvziedelis, V. Juciene, S. Mikhrin, V. Mikhrin. Phys. Status Solidi C, 6, 2713 (2009)
И.С. Васильевский, Г.Б. Галиев, Ю.А. Матвеев, Е.А. Климов, Ю. Пожела, К. Пожела, А. Сужеделис, Ч. Пашкевич, В. Юцене. ФТП, 44, 928 (2010)
J. Povzela, K. Povzela, V. Juciene, A. Shkolnik. Semicond. Sci. Technol., 26, 014 025 (2011)
J. Povzela, K. Povzela, A. Suvziedelis, V. Juciene, vC. Pavskevivc. Lithuan. J. Phys., 50, 397 (2010)
X. Wallart, B. Pinsard, F. Mollot. J. Appl. Phys., 97, 053 706 (2005)
V. Drouot, M. Gendry, C. Santinelli, P. Victorovitch, G. Hollinger. J. Appl. Phys., 77, 1810 (1995)
M. Tacano, Y. Sugiyama, Y. Takeuchi, Y. Ueno. J. Electron. Mater., 20, 1081 (1991)
K. Onda, A. Fujihara, A. Vakejima, E. Mizuki, T. Nakayama, H. Miyamoto, Y. Ando, M. Kanamori. IEEE Electron. Dev. Lett., 19, 300 (1998)
H. Zhao, Y-T. Chen, J.H. Yum, Y. Wang, F. Zhou, F. Xue, J.C. Lee. Appl. Phys. Lett., 96, 102 101 (2010)
M. Dyakonov, M. Shur. Phys. Rev. Lett., 71, 2465 (1993)
N. Dyakonova, A. El Fatimy, J. Lusakowski, W. Knap. Appl. Phys. Lett., 88, 141 906 (2006)
N. Dyakonova, F. Teppe, J. Lusakowski, W. Knap, M. Levinshtein, A.P. Dmitriev, M. Shur, S. Bollaert, A. Cappy. J. Appl. Phys., 97, 114 313 (2005).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель