Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Год 2011, выпуск 9 » Статья стр. 1266
<<<>>>
Снижение омических потерь и повышение мощности фотоэлектрических преобразователей на основе антимонида галлия
Солдатенков Ф.Ю1, Сорокина С.В.1, Тимошина Н.Х.1, Хвостиков В.П.1, Задиранов Ю.М.1, Растегаева М.Г.1, Усикова А.А.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 14 февраля 2011 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2011 г.
PDF версия
С использованием методики TLM (transmission line model) с радиальной и прямоугольной геометрией контактных площадок исследованы контактные системы Cr-Au, Cr-Au-Ag-Au, Ti-Pt-Au, Pt-Ti-Pt-Au, Pt-Au, Ti-Au, Ti-Pt-Ag, Ti-Pt-Ag-Au, Pt-Ag, осажденные на поверхность p-GaSb методами магнетронного распыления и резистивного испарения. Установлено, что контактные системы Ti-Pt-Ag-Au и Ti-Pt-Ag характеризуются наиболее низкими значениями удельного переходного контактного сопротивления (rhoc=<10-6 Ом·см2), что позволяет использовать их для создания фотоэлектрических преобразователей, генерирующих фототоки до 15 А/см2.
  1. C.H. Heinz. J. Electronics, 54 (2), 247 (1983)
  2. A. Subekti, V.W. Chin, T.L. Tansley. Solid-State Electron., 39 (3), 329 (1996)
  3. A.G. Milnes, M. Ye, M. Stam. Solid-State Electron., 37 (1), 37 (1994)
  4. J.B.B. Oliveira, C.A. Olivieri, J.C. Galzerani, A.A. Pasa, F.C. de Prince. J. Appl. Phys., 66 (11), 5484 (1989)
  5. B. Tadayon, C.S. Kyono, M. Fatemi, S. Tadayon, J.A. Mittereder. J. Vac. Sci. Technol. B, 13, 1 (1995)
  6. В.П. Хвостиков, М.Г. Растегаева, О.А. Хвостикова, С.В. Сорокина, А.В. Малевская, М.З. Шварц, А.Н. Андреев, Д.В. Давыдов, В.М. Андреев. ФТП, 40 (10), 1275 (2006)
  7. A. Vogt, H.L. Hartnagel, G. Miehe, H. Fuess, J. Schmitz. J. Vac. Sci. Technol. B, 14 (6), 3514 (1996)
  8. A.W. Bett, S. Keser, G. Stollwerck, O.V. Sulima, W. Wettling. 26 IEEE Photovoltaic Specialists Conf. (Anaheim, USA, 1997) p. 931
  9. А.Л. Закгейм, Н.Д. Ильинская, С.А. Карандашев, Б.А. Матвеев, М.А. Ременный, А.Е. Черняков, А.А. Шленский. ФТП, 43 (5), 689 (2009)
  10. Н.Д. Стоянов, Б.Е. Журтанов, А.П. Астахова, А.Н. Именков, Ю.П. Яковлев. ФТП, 37 (8), 996 (2003)
  11. G.E. Bulman, G.F. Gwilliam III, F.A. Chambers. J. Electrochem. Soc., 136 (8), 2423 (1989)
  12. G. Stareev, H. Kunzel, G. Dortmann. J. Appl. Phys., 74 (12), 7344 (1993)
  13. V. Malina, K. Vogel, P. Ressel, W.O. Barnard, A. Knauer. Semicond. Sci. Technol., 12, 1298 (1997)
  14. В.М. Андреев, С.В. Сорокина, Н.Х. Тимошина, В.П. Хвостиков, М.З. Шварц. ФТП, 43 (5), 695 (2009)
  15. V.M. Andreev, V.P. Khvostikov, V.R. Larionov, V.D. Rumyantsev, S.V. Sorokina, M.Z. Shvarts, V.I. Vasil'ev, A.S. Vlasov, O.I. Chosta. Proc. 5th Eur. Space Power Conf. (Tarragona, Spain, 1998) p. 527
  16. G.K. Reeves. Solid-State Electron., 23 (5), 487 (1980)
  17. G. Boberg, L. Stolt, P.A. Tove, H. Norde. Physica Scripta, 24, 405 (1981)
  18. А.Н. Андреев, М.Г. Растегаева, В.П. Растегаев, С.А. Решанов. ФТП, 32, 832 (1998)
  19. В.Н. Шеремет. Изв. вузов. Радиоэлектроника, 53 (3), 3 (2010)
  20. H.H. Berger. Solid-State Electron., 15, 145 (1972)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme