Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Год 2011, выпуск 11 » Статья стр. 1579
<<<
Квантово-химические исследования адсорбции молекул изопропилового спирта на поверхности GaAs (100)
Лебедев М.В.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 3 марта 2011 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2011 г.
PDF версия
Квантово-химические кластерные расчеты в рамках теории функционала плотности использованы для исследования механизма адсорбции молекул изопропилового спирта на галлиевой поверхности GaAs (100). Показано, что на поверхности GaAs (100) может происходить либо молекулярная, либо диссоциативная адсорбция изопропилового спирта. Диссоциация молекулы спирта на поверхности GaAs (100) может происходить как с разрывом связи O-H, так и с разрывом связи C-OH. Состояние с разрывом связи C-OH имеет наименьшую энергию из всех возможных состояний адсорбции, но для перехода в это состояние необходимо преодолеть очень высокий барьер, что возможно только на границе полупроводник/жидкость. Рассчитанная траектория реакции адсорбции соответствует имеющимся экспериментальным данным по взаимодействию изопропилового спирта с поверхностью GaAs (100).
  1. S. Licht. J. Phys. Chem. B, 105, 6281 (2001)
  2. W. Jaegermann. In: Modern Aspects of Electrochemistry, ed. by White. R.E. (Plenum Press, N.Y., 1996) Vol. 30
  3. O. Henrion, T. Loher, A. Klein, C. Pettenkofer, W. Jaegermann. Surf. Sci., 366, L685 (1996)
  4. M. Beerbom, O. Henrion, A. Klein, T. Mayer, W. Jaegermann. Electrochim. Acta, 45, 4663 (2000)
  5. O. Henrion, A. Klein, W. Jaegermann. Surf. Sci., 457, L337 (2000)
  6. C.-H. Chung, S.I. Yi, W.H. Weinberg. J. Vac. Sci. Technol. A, 16, 1785 (1998)
  7. N. Gayathri, S. Izvekov, G.A. Voth. J. Chem. Phys., 117, 872 (2002)
  8. R.P. Vasquez, B.F. Lewis, F.J. Grunthaner. J. Vac. Sci. Technol. B, 1, 791 (1983)
  9. O.E. Tereshchenko, S.I. Chikichev, A.S. Terekhov. J. Vac. Sci. Technol. A, 17, 2655 (1999)
  10. Y. Jun, X.-Y. Zhu, J. W. P. Hsu. Langmuir, 22, 3627 (2006)
  11. O.E. Tereshchenko, D. Paget, P. Chiaradia, J.E. Bonnet, F. Wiame, A. Taleb-Ibrahimi, Appl. Phys. Lett., 82, 4280 (2003)
  12. K. Akita, M. Taneya, Y. Sugimoto, H. Hidaka. J. Electrochem. Soc., 137, 2081 (1990)
  13. V.L. Alperovich, O.E. Tereshchenko, N.S. Rudaya, D.V. Sheglov, A.V. Latyshev, A.S. Terekhov. Appl. Surf. Sci., 235, 249 (2004)
  14. V.N. Bessolov, E.V. Konenkova, M.V. Lebedev. J. Vac. Sci. Technol. B, 14, 2761 (1996)
  15. M. Kemerink, J.W. Gerritsen, P.M. Koenraad, H. van Kempen, J.H. Wolter. Appl. Phys. Lett., 75, 3656 (1999)
  16. M.V. Lebedev. Appl. Surf. Sci., 254, 8016 (2008)
  17. M.V. Lebedev, E. Mankel, T. Mayer, W. Jaegermann. J. Phys. Chem. C, 114, 21 385 (2010)
  18. M.V. Lebedev, E. Mankel, T. Mayer, W. Jaegermann. J. Phys. Chem. C, 113, 20421 (2009)
  19. J.G. McLean, P. Kruse, G.-P. Jiang, H.E. Ruda, A.C. Kummel. J. Phys. Chem. A, 103, 10 364 (1999)
  20. Q. Fu, L. Li, R.F. Hicks. Phys. Rev. B, 61, 11 034 (2000)
  21. S. Tang, Z. Cao. J. Phys. Chem. A, 113, 5685 (2009)
  22. J.Z. Sexton, A.C. Kummel. J. Vac. Sci. Technol. B, 21, 1908 (2003)
  23. M.J. Frisch, G.W. Trucks, H.B. Schlegel, G.E. Scuseria, M.A. Robb, J.R. Cheeseman, J.A. Montgomery, Jr., T. Vreven, K.N. Kudin, J.C. Burant, J.M. Millam, S.S. Iyengar, J. Tomasi, V. Barone, B. Mennucci, M. Cossi, G. Scalmani, N. Rega, G.A. Petersson, H. Nakatsuji, M. Hada, M. Ehara, K. Toyota, R. Fukuda, J. Hasegawa, M. Ishida, T. Nakajima, Y. Honda, O. Kitao, H. Nakai, M. Klene, X. Li, J.E. Knox, H.P. Hratchian, J.B. Cross, C. Adamo, J. Jaramillo, R. Gomperts, R.E. Stratmann, O. Yazyev, A.J. Austin, R. Cammi, C. Pomelli, J.W. Ochterski, P.Y. Ayala, K. Morokuma, G.A. Voth, P. Salvador, J.J. Dannenberg, V.G. Zakrzewski, S. Dapprich, A.D. Daniels, M.C. Strain, O. Farkas, D.K. Malick, A.D. Rabuck, K. Raghavachari, J.B. Foresman, J.V. Ortiz, Q. Cui, A.G. Baboul, S. Clifford, J. Cioslowski, B.B. Stefanov, G. Liu, A. Liashenko, P. Piskorz, I. Komaromi, R.L. Martin, D.J. Fox, T. Keith, M.A. Al-Laham, C.Y. Peng, A. Nanayakkara, M. Challacombe, P.M.W. Gill, B. Johnson, W. Chen, M.W. Wong, C. Gonzalez, J.A. Pople. GAUSSIAN 03: Revision C.01 (Gaussian Inc., Wallingford, CT, 2004)
  24. J.P. Perdew, K. Burke, Y. Wang. Phys. Rev. B, 54, 16 533 (1996)
  25. C. Adamo, V. Barone. J. Chem. Phys., 108, 664 (1998)
  26. R.G. Parr, W. Yang. Density functional theory of atoms and molecules (Oxford University Press and Clarendon Press, N.Y.-Oxford, 1989)
  27. М.В. Лебедев. ФТП, 42, 1065 (2008)
  28. K.-I. Tanaka, Y. Nomoto, Z.-X. Xie. J. Chem. Phys., 120, 4486 (2004)
  29. W. Zhou, Y. Yuan, J. Zhang. J. Chem. Phys., 119, 7179 (2003)
  30. M. Bowker, R.J. Madix. Surf. Sci., 116, 549 (1982)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme