Вышедшие номера
Сравнение гомоэпитаксиального роста кристаллов AIN на Al- и N-поверхностях
Вольфсон А.А.1, Мохов Е.Н.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 17 мая 2011 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2011 г.

С помощью специальной экспериментальной методики, позволяющей исключить влияние различий источников, кристаллов-подложек и параметров ростового процесса, проведено корректное сравнение качества гомоэпитаксиальных слоев AlN, выращенных методом сублимации на Al- и N-поверхностях кристалла-подложки, имеющего ориентацию < 0001>. Установлено, что в большинстве случаев качество слоев, выращенных на N-поверхности несколько выше, однако в отдельных случаях никакого различия не наблюдалось. Отсюда можно заключить, что окно параметров ростового процесса для N-стороны существенно больше, чем для Al-стороны.