Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Влияние отжига на люминесценцию кристаллов CuI p-типа проводимости

Грузинцев А.Н.¹, Загороднев В.Н.¹

¹Институт проблем технологии микроэлектроники Российской академии наук, Черноголовка, Россия Institute of Microelectronic Technology and High Purity Materials, Russian Academy of Sciences, Chernogolovka, Moscow oblast, Russia

Institute of Microelectronic Technology and High Purity Materials, Russian Academy of Sciences, Chernogolovka, Moscow oblast, Russia

Поступила в редакцию: 15 июня 2011 г.

Выставление онлайн: 20 января 2012 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Исследование спектров фотолюминесценции образцов CuI с различным содержанием собственных дефектов были выполнены при температуре 80K с использованием непрерывного и импульсного оптического возбуждения. Обнаружены пики свечения связанных и свободных экситонов, а также рекомбинации электронов на мелкие и глубокие уровни кристаллических дефектов. Установлено наличие включений гексагональной фазы в кристаллах иодида меди после высокотемпературного отжига.

I. Tanaka, M. Nakayama. J. Appl. Phys., 92, 3511 (2002)
B. Bounhafs, Y. Heirache, W. Sekkal, H. Aourag, M. Certier. Phys. Lett. A 240, 257 (1998)
A. Yanase, Y. Segawa. Surf. Sci., 367, L 1 (1996)
C. Schwab, A. Goltzene. Prog. Cryst. Growth Charact., 5, 233 (1982)
S. Kondo, H. Ohsawa, H. Asada, T. Saito. J. Appl. Phys., 107, 103 526 (2010)
A.N. Gruzintsev, V.T. Volkov, C. Barthou, P. Benallou, J.M. Frigerio. Thin Sol. Films, 459, 262 (2004)
M. Cardona. Phys. Rev., 129, 69 (1963)
В.А. Никитенко, С.Г. Стоюхин. Опт. и спектр., 54, 111 (1983)
T. Goto, T. Takahashi, M. Ueta. J. Phys. Soc. Jpn., 24, 314 (1968)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель