Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Явление обратного адсорбционного пьезоэлектрического эффекта в полупроводниковых материалах CdTe, CdHgTe

Федяева О.А.¹

¹Омский государственный технический университет, Омск, Россия Omsk State Technical University, Omsk, Russia

Поступила в редакцию: 7 апреля 2011 г.

Выставление онлайн: 20 января 2012 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Исследования структуры, химического состава, адсорбционных, электрофизических и оптических свойств поверхности твердых растворов системы Cd_xHg_1-xTe позволили установить неизвестное ранее явление обратного адсорбционного пьезоэлектрического эффекта. На примере полупроводниковых соединений CdTe и Cd_0.2Hg_0.2Te показано, что адсорбционное заряжение поверхности вызывает релаксацию зарядов, локализованных на медленных поверхностных состояниях, проявляющуюся в виде импульсов напряжения и обусловливающую структурные перестройки и релаксацию поверхности.

С.А. Завьялов, И.А. Мясников. Журн. физ. химии, 32 (10), 2786 (1988)
Ф.Ф. Волькенштейн, А.Н. Горбань, В.А. Соколов. Радикалокомбинационная люминесценция полупроводников (М., Наука, 1976)
В.Ф. Харламов, Н.Ф. Васильев, О.А. Иващук, Е.П. Крутовский, Ю.В. Мосин, Е.А. Злоткин. Письма ЖТФ, 24 (3), 54 (1998)
В.Ф. Харламов. Рекомбинация атомов на поверхности твердых тел и сопутствующие эффекты (Томск, Изд-во ТГУ, 1994)
В.А. Стыров. Письма ЖЭТФ, 15 (4), 275 (1972)
В.Ф. Харламов. Кинетика и катализ, 20 (4), 946 (1979)
Ю.Н. Руфов. Проблемы кинетики и катализа, 17, 69 (1979)
В.Ф. Харламов, В.Н. Лисецкий, Г.Г. Савельев. Хим. физика, 9 (5), 603 (1990)
А.Ф. Горбачев, В.В. Стыров, Ю.И. Тюрин. Письма ЖТФ, 13 (10), 630 (1987)
И.А. Кировская, О.А. Старцева (Федяева). Изв. РАН. Неорг. матер., 29 (12), 1 (1993)
О.А. Федяева. Автореф. канд. дис. (Омск, ОмГТУ, 1998)
И.А. Кировская, О.А. Федяева. Омский науч. вестн., N 3 (28), 61 (2004)
И.А. Кировская. Поверхностные свойства алмазоподобных и полупроводников. Адсорбция газов (Иркутск, ИГУ, 1984)
И.В. Крылов. Химическая электроника (М., Изд-во МГУ, 1993)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель