Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

AlGaInN-светодиоды с прозрачным p-контактом на основе тонких пленок ITO

Смирнова И.П.¹, Марков Л.К.¹, Павлюченко А.С.¹, Кукушкин М.В.²

¹Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

²ЗАО Инновационная фирма "ТЕТИС", Санкт-Петербург, Россия

Поступила в редакцию: 25 июля 2011 г.

Выставление онлайн: 18 февраля 2012 г.

PDF версия

Разработан способ получения прозрачных проводящих пленок ITO (indium tin oxide), предназначенных для использования в светодиодах синего спектрального диапазона. Максимальный внешний квантовый выход светодиодов с p-контактом на основе полученных пленок достигает 25%, в то время как для аналогичных светодиодов со стандартным полупрозрачным металлическим контактом он составляет <10%. Наблюдаемое увеличение прямого падения напряжения с 3.15 до 3.37 В не оказывает существенного влияния на возможность применения данных пленок в светодиодах, так как величина оптической мощности светодиодов с прозрачным p-контактом на основе пленок ITO почти в 2.5 раза превышает оптическую мощность кристаллов с металлическими полупрозрачными p-контактами при рабочем токе 20 мА. Светодиоды с p-контактами на основе пленок ITO успешно выдерживали токи накачки, в 5 раз превышающие их расчетный рабочий ток, не обнаруживая признаков деградации.

Л.М. Марков, И.П. Смирнова, А.С. Павлюченко, Е.М. Аракчеева, М.М. Кулагина. ФТП, 43, 1564 (2009)
T. Margalith, O. Buchinsky, D.A. Cohen, A.C. Abare, M. Hansen, S.P. DenBaars, L.A. Coldren. Appl. Phys. Lett., 74, 3930 (1999)
C.S. Chang, S.J. Chang, Y.K. Su, Y.C. Lin, Y.P. Hsu, S.C. Shei, S.C. Chen, C.H. Liu, U.H. Liaw. Semicond. Sci. Technol., 18, L21 (2003)
Y.C. Lin, S.J. Chang, Y.K. Su, T.Y. Tsai, C.S. Chang, S.C. Shei, C.W. Kuo, S.C. Chen. Solid-State Electron., 47, 849 (2003)
Y.C. Lin, S.J. Chang, Y.K. Su, C.S. Chang, S.C. Shei, J.C. Ke, H.M. Lo, S.C. Chen, C.W. Kuo. Solid-State Electron., 47, 1565 (2003)
C.H. Kuo, S.J. Chang, Y.K. Su, R.W. Chuang, C.S. Chang, L.W. Wu, W.C. Lai, J.F. Chen, J.K. Sheu, H.M. Lo, J.M. Tsai. Mater. Sci. Engin. B, 106, 69 (2004)
И.П. Смирнова, Д.А. Закгейм, М.М. Кулагина, Л.К. Марков. Тез. докл. 4-й Всерос. конф. "Нитриды галлия, индия и алюмния --- структуры и приборы" (СПб., 2005) с. 134
X.A. Cao, S.J. Pearton, A.P. Zhang, G.T. Dang, F. Ren, R.J. Shul, L. Zhang, R. Hickman, J.M. Van Hove. Appl. Phys. Lett., 75, 2569 (1999)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель