Влияние концентрации нескомпенсированных примесей на свойства детекторов рентгеновского и gamma-излучения на основе CdTe
Косяченко Л.А.1, Склярчук В.М.1, Мельничук С.В.1, Маслянчук О.Л.1, Грушко Е.В.1, Склярчук О.В.1
1Черновицкий национальный университет, Черновцы, Украина
Поступила в редакцию: 4 августа 2011 г.
Выставление онлайн: 18 февраля 2012 г.
Из измерений спектров излучения изотопа 55Fe и фоточувствительности CdTe-детекторов с диодом Шоттки, а также из температурной зависимости удельного сопротивления кристалла CdTe ((2-3)·109 Ом·см при 300 K) найдена концентрация нескомпенсированных доноров (1-3)·1012 см-3. Аналогичные измерения, проведенные на кристаллах Cd0.9Zn0.1Te с удельным сопротивлением (3-5)·1010 Ом·см при 300 K, показали, что концентрация нескомпенсированных дононов в этом случае примерно на 4 порядка ниже. Результаты расчетов показывают, что из-за столь значительного уменьшения концентрации нескомпенсированных доноров эффективность детектирования рентгеновского и gamma-излучения в интервале энергий фотонов от 59 до 662 кэВ может уменьшиться на 1-3 порядка (в зависимости от энергии фотонов и времени жизни носителей заряда в области пространственного заряда). Полученные результаты объясняют наблюдаемые неудовлетворительные детектирующие свойства Cd0.9Zn0.1Te-детекторов.
- R.H. Redus, A.C. Huber, J.A. Pantazis. Nucl. Instrum. Meth. A, 458, 214 (2001)
- T. Takahashi, S. Watanabe. IEEE Trans. Nucl. Sci. 48 (4), 950 (2001)
- G. Mandel. Phys. Rev., 134, A1073 (1964)
- F.F. Morehead, G. Mandel. Phys. Rev., 137, A924 (1965)
- W. Stadler, D.M. Hofmann, H.C. Alt, T. Muschik, B.K. Meyer, E. Weigel, G. Muller-Vogt, M. Salk, E. Rupp, K.W. Benz. Phys. Rev. B, 51, 10 619 (1995)
- S. Lany, H. Wolf, Th. Wichert. Mater. Res. Soc. Symp. Proc., 763, B1.3.1 (2003)
- Y. Eizen. Nucl. Instrum. Meth. A, 322, 596 (1992)
- L.A. Kosyachenko, O.L. Maslyanchuk, V.A. Gnatyuk, C. Lambropoulos, I.M. Rarenko, V.M. Skhyarchuk, O.F. Sklyarchuk, Z.I. Zakharuk. Semicond. Sci. Technol., 23, 075 024 (2008)
- L.A. Kosyachenko, A.I. Savchuk, E.V. Grushko. Thin Sol. Films, 517, 2386 (2009)
- S.M. Sze. Physics of Semiconductor Devices, 2nd edn (N.Y., Wiley-Interscience, 1981)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.