Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Влияние gamma-облучения на электрофизические свойства термообработанных монокристаллов Tb_xSn_1-xSe

Гусейнов Дж.И.¹, Джафаров Т.А.¹

¹Азербайджанский государственный педагогический университет, Баку, Азербайджан Azerbaijan State Pedagogical University, Baku, Azerbaijan

Azerbaijan State Pedagogical University, Baku, Azerbaijan

Поступила в редакцию: 4 августа 2011 г.

Выставление онлайн: 20 марта 2012 г.

PDF версия

Исследовано влияние gamma-облучения на электрофизические свойства термообработанных монокристаллов Tb_0.01Sn_0.99Se и Tb_0.05Sn_0.95Se. Обнаружено, что после облучения gamma-лучами с энергией 1.25 МэВ концентрация носителей заряда уменьшается на 17 и 6.3% соответственно в интервале температур T=77-200 K. Предполагается, что при облучении gamma-квантами примеси тербия располагаются между узлами кристаллической решетки и дополнительно возникают дефекты по Френкелю.

Г.Г. Гаджиев. В сб.: Актуальные вопросы физики и химии редкоземельных полупроводников (Махачкала, 1988) с. 24
К.П. Белов. Магнитотепловые явления в редкоземельных магнетиках (М., Наука, 1990) с. 96
Физические свойства халькогенидов редкоземельных элементов, под ред. В.П. Жузе (Л., Наука, 1973)
Г.Г. Алексеева, М.В. Ведерников, Е.А. Гуриева, П.П. Константинов, Л.В. Прокофьева, Ю.П. Равич. ФТП, 32 (7), 806 (1998)
В.Ю. Ирхин, Ю.П. Ирхин. Электронная структура, физические свойства и корреляционные эффекты в d- и f-металлах и их соединениях (М., Наука, 2011)
В.Я. Шевченко, В.Ф. Дворякин и др. В сб.: Кристаллохимические проблемы материаловедения пролупроводников (М., Наука, 1975)
Конфигурационная модель вещества, под ред Г.Б. Самсонова, И.Ф. Прядко, Л.Ф. Прядко (Киев, Наук. думка, 1975)
В.С. Вавилов, Н.П. Кокелидзе, Л.С. Смирнов. Действие излучений на полупроводники (М., Наука, 1988)
Д.И. Гусейнов, М.И. Мургузов, Ш.С. Исмаилов. Изв. РАН. Неорг. матер., 44 (5), 542 (2008)
Х.А. Адгезалова, М.И. Мургузов, О.М. Гасанов, Ш.С. Исмаилов. Изв. РАН. Неорг. матер., 47 (1), 21 (2011)
И. Касумоглу, Т.Г. Керимова, И.А. Мамедова. ФТП, 45 (1), 32 (2011)
Е.И. Ярембаш, А.А. Елисеев. Халькогениды редкоземельных элементов (М., Наука, 1975)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель