Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Электронные свойства и глубокие ловушки облученного электронами n-GaN
Брудный В.Н.1, Веревкин С.С.2, Говорков А.В.3, Ермаков В.С.2, Колин Н.Г.2, Корулин А.В.2, Поляков А.Я.3, Смирнов Н.Б.3
1Национальный исследовательский Томский государственный университет, Томск, Россия 
2Обнинский филиал ФГУП "НИФХИ им. Л.Я. Карпова", Обнинск, Россия
3"Гиредмет", Москва, Россия
2Обнинский филиал ФГУП "НИФХИ им. Л.Я. Карпова", Обнинск, Россия
3"Гиредмет", Москва, Россия
Поступила в редакцию: 4 августа 2011 г.
Выставление онлайн: 20 марта 2012 г.
Рассмотрено влияние облучения электронами (энергии E=7 и 10 МэВ, дозы D=1016-1018 см-2) и последующих термообработок в интервале температур 100-1000oC на электрофизические свойства и спектр глубоких ловушек нелегированных (концентрации электронов n=1·1014-1·1016 см-3), промежуточно легированных (n=(1.2-2)·1017 см-3) и сильно легированных кремнием (n=(2-3.5)·1018 см-3) эпитаксиальных слоев n-GaN, выращенных на подложке Al2O3 с использованием технологии MOCVD. Обнаружено увеличение удельного сопротивления n-GaN при электронном облучении, обусловленное смещением уровня Ферми в предельное положение вблизи Ec-0.91 эВ. Исследован спектр глубоких ловушек в исходном и облученном электронами n-GaN. Показано, что восстановление исходных свойств облученного материала имеет место в интервале температур 100-1000oC с основной стадией отжига радиационных дефектов вблизи 400oC.
- D.L. Losee. J. Appl. Phys., 46, 2204 (1975)
- G.M. Martin, A. Mitonneau, D. Pons, A. Mircea, D.W. Woodard. J. Phys. C, 13, 3855 (1980)
- A.Y. Polyakov, N.B. Smirnov, A.V. Govorkov, J.M. Redwing. Solid-State Electron., 42, 831 (1998)
- A.Y. Polyakov, N.B. Smirnov, A.S. Usikov, A.V. Govorkov, B.V. Pushnyi. Solid-State Electron., 42, 1959 (1998)
- A.Y. Polyakov, N.B. Smirnov, A.V. Govorkov, Z.-Q. Fang, D.C. Look, R.J. Molnar, A.V. Osinsky. J. Appl. Phys., 91, 6580 (2002)
- В.М. Бойко, С.С. Веревкин, Н.Г. Колин, А.В. Корулин, Д.И. Меркурисов, А.Я. Поляков, В.А. Чевычелов. ФТП, 45 (1), 136 (2011)
- A.Y. Polyakov, N.B. Smirnov, A.V. Govorkov, A.V. Markov, S.J. Pearton, N.G. Kolin, D.I. Merkurisov, V.M. Boiko, Cheul-Ro Lee, In-Hwan Lee. J. Vac. Sci. Technol. B, 25, 436 (2007)
- M.A. Reschikov, H. Morkoc. J. Appl. Phys., 97, 061 301 (2005)
- L. Polenta, Z.-Q. Fang, D.C. Look. Appl. Phys. Lett., 76, 2086 (2000)
- S.A. Goodman, F.D. Auret, F.K. Koschnick, J.-M. Spaeth, B. Beaumont, P. Gibart. Mater. Sci. Engin. B, 71, 100 (2000)
- D.C. Look, D.C. Reynolds, J.W. Hemsky, J.R. Sizelove, R.L. Jones, R.J. Molnar. Phys. Rev. Lett., 79, 2273 (1997)
- J. Neugebauer, C.G. Van de Walle. Phys. Rev. B, 50, 8067 (1994)
- A.Y. Polyakov, N.B. Smirnov, A.V. Govorkov, A.V. Markov, N.G. Kolin, D.I. Merkurisov, V.M. Boiko, K.D. Shcherbatchev, V.T. Bublik, M.I. Voronova, I.-H. Lee, C.R. Lee. J. Appl. Phys., 100, 093 715 (2006)
- A.Y. Polyakov, N.B. Smirnov, A.V. Govorkov, N.G. Kolin, D.I. Merkurisov, V.M. Boiko, A.V. Korulin, S.J. Pearton. J. Vac. Sci. Technol. B, 28, 608 (2010)
- V.N. Brudnyi, S.N. Grinyaev, N.G. Kolin. Physica B, 348, 213 (2004)
- В.Н. Брудный, А.В. Кособуцкий, Н.Г. Колин. Изв. вузов. Физика, 51 (12), 25 (2008)
- В.Н. Брудный, А.В. Кособуцкий, Н.Г. Колин. ФТП, 43 (10), 1312 (2009)
- A.Y. Polyakov, N.B. Smirnov, A.V. Govorkov, A.V. Markov, N.G. Kolin, D.I. Merkurisov, V.M. Boiko, K.D. Shcherbatchev, V.T. Bublik, M.I. Voronova, S.J. Pearton, A. Dabiran, A.V. Osinsky. J. Vac. Sci. Technol. B, 24 (5), 2256 (2006)
- В.Н. Брудный, Н.Г. Колин, Л.С. Смирнов. ФТП, 41 (9), 1031 (2007).
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
