Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Год 2012, выпуск 6 » Статья стр. 761
<<<>>>
Глубокий уровень ванадия в разбавленных магнитных полупроводниках Pb1-x-ySnxVyTe
Скипетров Е.П.1, Голованов А.Н.1, Кнотько А.В.2, Слынько Е.И.3, Слынько В.Е.3
1Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова (физический факультет), Москва, Россия
2Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова (химический факультет), Москва, Россия
3Институт проблем материаловедения им. И.Н. Францевича Национальной академии наук Украины, Черновицкое отделение, Черновцы, Украина
Поступила в редакцию: 8 декабря 2011 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2012 г.
PDF версия
Исследованы кристаллическая структура, распределение олова и ванадия по длине монокристаллических слитков и гальваномагнитные эффекты в слабых магнитных полях (4.2=<q T=<q300 K, B=<q0.07 Тл) в твердых растворах Pb1-x-ySnxVyTe (x =0.05-0.21, y=<q0.015). Показано, что все образцы однофазны, а концентрации олова и ванадия экспоненциально увеличиваются от начала к концу слитков. При легировании ванадием обнаружены уменьшение концентрации свободных дырок и переход металл-диэлектрик, связанные с возникновением глубокого примесного уровня ванадия в запрещенной зоне, перераспределением электронов между уровнем и валентной зоной и стабилизацией уровня Ферми примесным уровнем. Определена скорость движения уровня ванадия относительно дна зоны проводимости и предложена диаграмма перестройки электронной структуры Pb1-x-ySnxVyTe при изменении состава матрицы.
  1. T. Story, R.R. Galazka, R.B. Frankel, P.A. Wolff. Phys. Rev. Lett., 56, 777 (1986)
  2. H.J.M. Swagten, W.J.M. de Jonge, R.R. Galazka, P. Warmenbol, J.T.Devreese. Phys. Rev. B, 37, 9907 (1988)
  3. T. Story, G. Karczewski, L. Swierkowska, R.R. Galazka. Phys. Rev. B, 42, 10 477 (1990)
  4. G. Bauer, H. Pascher. In: Diluted magnetic semiconductors, ed. by M. Jain (Singapore--N. Y.--London Hong Kong, World Scientific Publishing, 1991) p. 340
  5. T. Story, E. Grodzicka, B. Witkowska, J. Gorecka, W. Dobrowolski. Acta Phys. Polon. A, 82, 879 (1992)
  6. T. Story. Acta Phys. Polon. A, 92, 173 (1997)
  7. T. Story. Acta Phys. Polon. A, 92, 663 (1997)
  8. W. Dobrowolski. In: Proc. 9th Int. Conf. on Narrow Gap Semiconductors (Berlin, Germany, 1999) p. 39
  9. E.P. Skipetrov, N.A. Chernova, L.A. Skipetrova, E.I. Slyn'ko. Mater. Sci. Eng. B, 91--92C, 412 (2002)
  10. E.P. Skipetrov, N.A. Chernova, E.I. Slyn'ko. Phys. Rev. B, 66, 085 204 (2002)
  11. T. Story. In: Lead Chalcogenides: Physic and Applications, ed. by D.R. Khokhlov (N. Y.--London, Taylor and Francies, 2003) p. 385
  12. E. Skipetrov, E. Zvereva, L. Skipetrova, B. Kovalev, O. Volkova, A. Golubev, E. Slyn'ko. Phys. Status Solidi. B, 241, 1100 (2004)
  13. Е.П. Скипетров, М.Г. Михеев, Ф.А. Пакпур, Л.А. Скипетрова, Н.А. Пичугин, Е.И. Слынько, В.Е. Слынько. ФТП, 43, 316 (2009)
  14. Л.М. Каширская, Л.И. Рябова, О.И. Тананаева, Н.А. Широкова. ФТП, 24, 1349 (1990)
  15. W. Mac, T. Story, A. Twardowski. Acta Phys. Polon. A, 87, 492 (1995)
  16. E. Grodzicka, W. Dobrowolski, T. Story, Z. Wilamowski, B. Witkowska. Cryst. Res. Technol., 31, 651 (1996)
  17. Е.П. Скипетров, Н.А. Пичугин, Е.И. Слынько, В.Е. Слынько. ФНТ, 37, 269 (2011)
  18. А.А. Винокуров, С.Г. Дорофеев, О.И. Тананаева, А.И. Артамкин, Т.А. Кузнецова, В.П. Зломанов. Неорг. матер., 42, 1445 (2006)
  19. А.А. Винокуров, А.И. Артамкин, С.Г. Дорофеев, Т.А. Кузнецова, В.П. Зломанов. Неорг. матер., 44, 666 (2008)
  20. E.P. Skipetrov, E.A. Zvereva, A.E. Primenko, O.A. Savelieva, N.A. Pichugin, A.N. Golovanov, V.V. Gorbachev, V.P. Zlomanov, A.A. Vinokurov. Mold. J. Phys. Sci., 8, 63 (2009)
  21. А.И. Артамкин, А.А. Добровольский, А.А. Винокуров, В.П. Зломанов, С.Ю. Гаврилкин, О.М. Иваненко, К.В. Мицен, Л.И. Рябова, Д.Р. Хохлов. ФТП, 44, 1591 (2010)
  22. E.P. Skipetrov, E.A. Zvereva, A.N. Golovanov, N.A. Pichugin, A.E. Primenko, O.A. Savelieva, V.P. Zlomanov, A.A. Vinokurov. Sol. St. Phenomena, 152--153, 291 (2009)
  23. A.A. Dobrovolsky, A.I. Artamkin, P. Dziawa, T. Story, E.I. Slyn'ko, V.E. Slyn'ko, L.I. Ryabova, D.R. Khokhlov. Semicond. Sci. Technol., 23, 055 004 (2008)
  24. E.P. Skipetrov, A.N. Golovanov, E.A. Zvereva, E.I. Slyn'ko, V.E. Slyn'ko. Physica B, 404, 5262 (2009)
  25. В.Е. Слынько. Вестн. Львов. ун-та. Сер. физ., 34, 291 (2001)
  26. В.Е. Слынько, W. Dobrowolski. Вест. Нац. ун-та "Львовская политехника", Электроника, N 681, 144 (2010)
  27. G. Nimtz, B. Schlicht. In: Narrow-gap semiconductrors, ed. by R. Dornhaus, G. Nimtz and B. Schlicht (Berlin--Heidelberg--N. Y.--Tokyo, Springer, 1983) p. 1

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme