Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Влияние фемтосекундного лазерного облучения пленок аморфного гидрогенизированного кремния на их структурные, оптические и фотоэлектрические свойства
1Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова (физический факультет), Москва, Россия 
2Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт", Москва, Россия
3Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4Optoelectronics Research Centre, University of Southampton, UK
2Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт", Москва, Россия
3Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4Optoelectronics Research Centre, University of Southampton, UK
Поступила в редакцию: 1 декабря 2011 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2012 г.
Исследовано влияние фемтосекундного лазерного облучения пленок гидрогенизированного аморфного кремния (a-Si : H) на изменение их структурных, фотоэлектрических и оптических свойств. Использованные в работе условия проведения лазерной обработки различной интенсивности приводили к неоднородному по поверхности изменению структуры пленки. Рост интенсивности облучения приводил к увеличению вклада нанокристаллической фазы в усредненную по поверхности образца структуру, а также к увеличению проводимости и фотопроводимости исследованных образцов. В то же время спектральная зависимость коэффициента поглощения для всех исследованных образцов, полученная методом постоянного фототока, имела форму, характерную для пленок аморфного кремния. Полученные результаты указывают на возможность увеличения фотопроводимости в пленках a-Si : H в результате их облучения фемтосекундными лазерными импульсами.
- D.L. Staebler, C.R. Wronski. J. Appl. Phys., 51, 3262 (1980)
- Kenji Yamamoto, Akihiko Nakajima, Masashi Yoshimi, Toru Sawada, Susumu Fukuda, Takashi Suezaki, Mitsuru Ichikawa, Yohei Koi, Masahiro Goto, Tomomi Meguro, Takahiro Matsuda, Masataka Kondo, Toshiaki Sasaki, Yuko Tawada. Sol. Energy, 77, 939 (2004)
- S. Chen, I.C. Hsieh. Sol. St. Technol., 1, 113 (1996)
- A.A.D.T. Adikaan, S.P.R. Silva, J. Appl. Phys., 97, 114 305 (2005)
- T.Y. Choi, D.J. Hwang, C.P. Grigoropoulos. Opt. Eng., 42, 3383 (2003)
- J. Shieh, Z. Chen, B. Dai, Y. Wang, A. Zaitsev, C. Pan. Appl. Phys. Lett., 85, 1232 (2004)
- В.А. Володин, А.С. Качко. ФТП, 45, 268 (2011)
- S.D. Sundaram, E. Masur. Nature Mater. 1, 217 (2002)
- X.C. Wang, H.Y. Zheng, C.W. Tan, F. Wang, H.Y. Yu, K.L. Pey. Opt. Express, 18, 19 379 (2010)
- B.K. Nayak, M.C. Gupta. Appl. Phys. A, 89, 663
- H.Wang, P. Kongsuwan, G. Satoh, Y.L. Yao. Proc. MSEC2010, 34 271 (2010)
- J. Kocka, M. Vanecek, A. Traska. Adv. Amorphous Semicond., 11, 298 (1988)
- N.M. Liao, W. Li, Y.D. Jiang, Y.J. Kuang, K.C. Qi, Z.M. Wu, S.B. Li. Appl. Phys. A, 91, 349 (2008)
- С.В. Гайслер, Л.И. Семенова, Р.Г. Шарафутдинов, Б.А. Колесов. ФТТ, 46, 1484 (2004)
- Н.Е. Маслова, А.А. Антоновский, Д.М. Жигунов, В.Ю. Тимошенко, В.Н. Глебов, В.Н. Семиногов. ФТП, 44, 1074 (2010)
- В.Г. Голубев, В.Ю. Давыдов, А.В. Медведев, Н.А. Феоктистов. ФТТ, 39, 1348 (1997)
- D. Han, G. Yue, J.D. Lorentzen, J. Lin, H. Habuchi, Qi. Wang. J. Appl. Phys., 87, 1882 (2000)
- M. Stutzmann, J. Nunnenkamp, M.S. Brandt, A. Asano. Phys. Rev. Lett., 67, 2347 (1991)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
