Вышедшие номера
Оптические переходы в квантовых ямах на основе CdxHg1-xTe и их анализ с учетом особенностей зонной структуры
Баженов Н.Л.1, Шиляев А.В.1, Мынбаев К.Д.1, Зегря Г.Г.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 16 ноября 2011 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2012 г.

Проведен расчет положения уровней размерного квантования носителей заряда в прямоугольной квантовой яме в твердых растворах CdxHg1-xTe в рамках четырехзонной модели Кейна, учитывающей подмешивание состояний электронов и трех видов дырок (тяжелых, легких и спин-отщепленных). Сравнение результатов расчета с эекспериментальными данными по фотолюминесценции квантовых ям на основе CdxHg1-xTe показывает возможность регистрации оптических переходов с участием электронов и легких дырок.