Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Создание и исследования фоточувствительности гетероструктур Ox/n-GaP

Рудь В.Ю.¹, Рудь Ю.В.², Теруков Е.И.², Ушакова Т.Н.²

¹Санкт-Петербургский государственный политехнический университет, Санкт-Петербург
²Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

Поступила в редакцию: 22 ноября 2011 г.

Выставление онлайн: 20 мая 2012 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Методом безвакуумного термического взаимодействия кристаллов фосфида галлия с окружающей воздушной средой созданы первые фоточувствительные гетероструктуры Ox/n-GaP (Ox - естественный окисел). Выявлен фотовольтаический эффект гетероструктур, который преобладает при их освещении со стороны окисной пленки. Анализируются первые спектральные зависимости относительной квантовой эффективности фотопреобразования полученных гетероструктур, определен характер межзонных переходов и оценены значения ширины запрещенной зоны фосфида галлия. Сделан вывод о возможностях применения безвакуумного термического окисления гомогенных монокристаллов n-GaP в окружающей воздушной атмосфере для создания широкодиапазонных фотопреобразователей оптических излучений.

Т. Мосс, Г. Баррел, Б. Эллис. Полупроводниковая оптоэлектроника (М., Мир, 1976)
Zh.I. Alferov, V.M. Andreev, N.N. Ledentsov. Ioffe Institute 1918--1998. Development and Research Activities (Ioffe Institute, 1998) p. 68.
В.Ю. Рудь, Ю.В. Рудь. ФТП, 33, 954 (1999)
Ю.А. Николаев, В.Ю. Рудь, Ю.В. Рудь, Е.И. Теруков. Письма ЖТФ, 33 (7), 87 (2007)
C. Tatsuyama, S. Ichimura, H. Ivakuro. Jpn. J. Appl. Phys., 21, L25 (1982)
С. Зи. Физика полупроводниковых приборов: В 2-х кн., под ред. Р.А. Суриса (М., Мир, 1984)
П.И. Баранский, В.П. Клочков, И.В. Потыкевич. Полупроводниковая электроника. Справочник (Киев, Наук. думка, 1975)
Физико-химические свойства полупроводниковых веществ. Справочник. под ред. А.В. Новоселовой (М., Наука, 1978)
Ж. Панков. Оптические процессы в полупроводниках (М., Мир, 1973)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель