Вышедшие номера
Влияние отжига на спектры ядерного квадрупольного резонанса селенидов галлия-индия и характеристики структур на их основе
Ковалюк З.Д.1, Сидор О.Н.1, Ластивка Г.И.2, Хандожко А.Г.2
1Институт проблем материаловедения им. И.Н. Францевича Национальной академии наук Украины, Черновицкое отделение, Черновцы, Украина
2Черновицкий национальный университет им. Ю. Федьковича, Черновцы, Украина
Поступила в редакцию: 29 февраля 2012 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2012 г.

Представлены результаты исследования влияния низкотемпературного отжига (до 250oC) на спектры ядерного квадрупольного резонанса в слоистых монокристаллах GaSe и InSe, а также электрические и фотоэлектрические характеристики структуры p-GaSe-n-InSe. Показано, что с понижением температуры отжига вплоть до комнатной качество образцов улучшается за счет уменьшения дефектности кристаллов и упорядочения в системе политипов. Определены температурные режимы термообработки, при которых происходит улучшение основных параметров гетероперехода. Обсуждаются механизмы, оказывающие влияние на поведение структуры p-GaSe-n-InSe при отжиге.