Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Влияние отжига на спектры ядерного квадрупольного резонанса селенидов галлия-индия и характеристики структур на их основе
1Институт проблем материаловедения им. И.Н. Францевича Национальной академии наук Украины, Черновицкое отделение, Черновцы, Украина 
2Черновицкий национальный университет им. Ю. Федьковича, Черновцы, Украина
2Черновицкий национальный университет им. Ю. Федьковича, Черновцы, Украина
Поступила в редакцию: 29 февраля 2012 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2012 г.
Представлены результаты исследования влияния низкотемпературного отжига (до 250oC) на спектры ядерного квадрупольного резонанса в слоистых монокристаллах GaSe и InSe, а также электрические и фотоэлектрические характеристики структуры p-GaSe-n-InSe. Показано, что с понижением температуры отжига вплоть до комнатной качество образцов улучшается за счет уменьшения дефектности кристаллов и упорядочения в системе политипов. Определены температурные режимы термообработки, при которых происходит улучшение основных параметров гетероперехода. Обсуждаются механизмы, оказывающие влияние на поведение структуры p-GaSe-n-InSe при отжиге.
- A. Segura, J.P. Guesdon, J.M. Besson, A. Chevy. J. Appl. Phys., 54, 876 (1983)
- А.Г. Кязым-заде, А.А. Агаева, В.М. Салманов, А.Г. Мохтари. ЖТФ, 77, 80 (2007)
- З.Д. Ковалюк, О.А. Политанская, П.Г. Литовченко, В.Ф. Ластовецкий, О.П. Литовченко, В.К. Дубовой, Л.А. Поливцев. Письма ЖТФ, 33, 14 (2007)
- В.Л. Бакуменко, З.Д. Ковалюк, Л.Н. Курбатов, В.Г. Тагаев, В.Ф. Чишко. ФТП, 12, 374 (1978)
- C. Blasi, D. Manno, S. Mongelli. Phys. Status Solidi A, 90, K5 (1985)
- Z.S. Basinski, D.B. Dove, E. Mooser. Helv. Phys. Acta, 34, 373 (1961)
- В.С. Гречишкин. Ядерные квадрупольные взаимодействия в твердых телах (М., Наука, 1973)
- M. Balkanski, R.F. Wallis. Semiconductor physics and applications (Oxford University Press, N.Y., 2000) p. 9
- T.J. Bastow, I.D. Cambell, H.J. Whitfeld. Sol. St. Commun., 39, 307 (1981)
- О.Г. Хандoжко, Г.I. Ластовка, З.Д. Ковалюк. Сенсор. эл. микросист. технол., (4), 40 (2008)
- Л.В. Вилков, Ю.А. Пентин. Физические методы исследования в химии. Резонансные и электрооптические методы (М., Высш. шк., 1989)
- П.И. Савицкий, З.Д. Ковалюк, И.В. Минтянский. Неорг. матер., 32, 405 (1996)
- V. Augelli, C. Manfredotti, R. Murri, A. Rizzo, L. Vasanelli. Nuovo Cimento B, 47, 113 (1978)
- С. Зи. Физика полупроводниковых приборов (М., Мир, 1984) т. 2
- A. Bosacchi, B. Bosacchi, S. Franchi. Phys. Rev. Lett., 36, 1086 (1976)
- М.Э. Райх, Э.М. Рузин. ФТП, 19, 1217 (1985)
- Б.Л. Шарма, Р.К. Пурохит. Полупроводниковые гетеропереходы (М., Сов. радио, 1979)
- B. Abay, H.S. Guder, H. Efeoglu, Y.K. Yogurt cu. J. Phys. D: Appl. Phys., 32, 2942 (1999)
- S. Shigetomi, T. Ikari, Y. Koga, S. Shigetomi. Phys. Status Solidi A, 86, K69 (1984)
- J. Martinez-Pastor, A. Segura, C. Julien, A. Chevy. Phys. Rev. B, 46, 4607 (1992)
- J. Martinez-Pastor, A. Segura, A. Chevy. J. Appl. Phys., 74, 3231 (1993)
- P.I. Savitskii, I.V. Mintyanskii, Z.D. Kovalyuk. Phys. Status Solidi A, 155, 451 (1996)
- S. Shigetomi, T. Ikari, N. Nishmura. Phys. Status Solidi A, 185, 341 (2001)
- П.Е. Мозоль, Н.А. Скубенко, П.А. Скубенко, Ю.П. Гнатенко, Е.А. Сальков, З.Д. Ковалюк. ФТП. 22, 1595 (1988)
- Ю.П. Гнатенко, Ю.И. Жирко. УФЖ, 44, 487 (1999)
- P. Houdy, J.L. Maurice, J.M. Besson, J.Y. Laval, A. Chevy, O. Gorochov. J. Appl. Phys., 61, 5267 (1987)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
