Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Электрические свойства анизотипных гетеропереходов n-CdZnO/p-CdTe

Брус В.В.¹, Илащук М.И.², Хомяк В.В.², Ковалюк З.Д.¹, Марьянчук П.Д.², Ульяницкий К.С.²

¹Институт проблем материаловедения им. И.Н. Францевича Национальной академии наук Украины, Черновицкое отделение, Черновцы, Украина Institute of Materials Science Problems, National Academy of Sciences of Ukraine, Chernivtsy, Ukraine

Institute of Materials Science Problems, National Academy of Sciences of Ukraine, Chernivtsy, Ukraine

²Черновицкий национальный университет им. Ю. Федьковича, Черновцы, Украина Fed’kovich Chernovtsy National University, Chernovtsy, Ukraine

Поступила в редакцию: 13 февраля 2012 г.

Выставление онлайн: 20 августа 2012 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Изготовлены анизотипные поверхностно-барьерные гетеропереходы n-Cd_0.5Zn_0.5O/p-CdTe методом высокочастотного распыления тонкой пленки твердого раствора Cd_0.5Zn_0.5O на свежесколотую поверхность монокристаллического CdTe. Исследованы основные электрические свойства гетеропереходов и установлены доминирующие механизмы токопереноса: многоступенчатый туннельно-рекомбинационный механизм при прямом смещении, эмиссия Френкеля-Пула и туннелирование при обратном смещении. Также проанализировано влияние поверхностных электрически активных состояний на границе раздела гетероперехода и оценена их поверхностная концентрация: N_ss~10¹⁴ см^-2.

N. Romeo, A. Bosio, R. Tedeschi, A. Romeo, V. Canevari. Sol. Energy Mater. Solar Cells, 58, 209 (1999)
Л.А. Косяченко. ФТП, 40, 730 (2006)
V.V. Brus. Solar Energy, 86, 786 (2012)
Г.С. Хрипунов, Е.П. Чернух, Н.А. Ковтун, Е.К. Белоногов. ФТП, 43, 1084 (2009)
J.P. Enriquez, X. Mathew, G.P. Hernandez, U. Pal, C. Magana, D.R. Acosta, R. Guardian, J.A. Toledo, G.C. Puente, J.A. Chavez Carvayar. Sol. Energy. Mater. Solar Cells, 82, 307 (2004)
V.V. Brus, M.I. Ilashchuk, Z.D. Kovalyuk, P.D. Maryanchuk, K.S. Ulyanytsky. Semicond. Sci. Technol., 26, 125 006 (2011)
A.M. Mancini, P. Pierine, A. Valentini, L. Vasamelli. Thin Sol. Films, 124, 85 (1985)
U. Diebold. Surf. Sci. Reports, 43, 53 (2003)
B.S. Ridchards, S.R. Ridchards, M.B. Boreland, D.N. Jamieson. J. Vacuum Sci. Technol. A, 22, 339 (2004)
H. Natsuhara, K. Matsumoto, N. Yoshida, T. Itoh, S. Nonomura, M. Fukawa, K. Sato. Sol. Energy Mater. Solar Cells, 90, 2867 (2006)
A.K. Saxena, S.P. Singh, O.P. Agnihotri. Solar Cells, 19, 163 (1987)
C. Jagadish, S.J. Pearton. Zinc Oxide bulk, thin films and nanostructures: processing, properties and applications (Amsterdam, Elsevier, 2006)
R.S. Rusu, G.I. Rusu. J. Optoelectron. Adv. Mater., 7, 823 (2005)
O. Vigil, F. Cruz, A. Morales-Acevedo, G. Contreras-Puente, L. Vaillant, G. Santna. Mater. Chem. Phys., 68, 249 (2001)
V.V. Brus, L.I. Pidkamin, A.D. Arkhelyuk. Proc. SPIE, 8338, 83381A (2011)
D.W. Ma, Z.Z. Ye, J.Y. Huang, L.P. Zhu, B.H. Zhao, J.H. He. Mater. Sci. Engin. B, 111, 9 (2004)
Z. Ye, D. Ma, J. He, J. Huang, B. Zhao, X. Luo, Z. Xu. J. Cryst. Growth, 256, 78 (2003)
V.V. Khomyak, M.M. Slyotov, O.M. Slyotov. Sens. Electron. Microsystem Technol., 2 (8), 65 (2011)
H.A. Mohameda, H.M. Ali, S.H. Mohamed, M.M. Abd El-Raheem. Eur. Phys. J. Appl. Phys., 34, 7 (2006)
Б.Л. Шарма, Р.К. Пурохит. Полупроводниковые гетеропереходы (М., Сов. радио, 1979) [Пер. с англ.: B.L. Sharma, R.K. Purohit. Semiconductor heterojunctions (Pergamon Press, 1974)]
V.P. Makhniy, S.V. Khusnutdinov, V.V. Gorley. Acta Phys. Polon. A, 116, 859 (2009)
В.В. Брус, М.И. Илащук, З.Д. Ковалюк, П.Д. Марьянчук, К.С. Ульяницкий, Б.Н. Грицюк. ФТП, 45, 1109 (2011)
T. Makin, Y. Segawa, M. Kawasaki, A. Ohtomo, R. Shiroki, K. Tamura, T. Yasuda, H. Koinuma. Appl. Phys. Lett., 78, 1237 (2001)
M. Aven, J.S. Prener. Physics and Chemistry of II-VI Compaunds (Amsterdam, North-Holand, 1967)
S.M. Sze, K.K. Ng. Physics of semiconductor devices (N. J., Wiley, 2007)
W.G. Oldham, A.G. Milnes. Solid-State Electron., 7, 153 (1964)
I. Balberg. J. Appl. Phys., 58, 2603 (1985)
P. Chattopadhyay, D.P. Haldar. Appl. Surf. Sci., 171, 207 (2001)
J.P. Donnelly, A.G. Milnes. IEEE Trans. Electron. Dev., ED-14, 63 (1967)
L.A. Kosyachenko, X. Methew, V.V. Motushchuk, V.M. Sklyarchuk. Solar Energy, 80, 148 (2006)
B.K. Meyer, W. Stadler. J. Cryst. Growth, 161, 119 (1996)
A.V. Savitsky, M.I. Ilashchuk, O.A. Parfenyuk, K.S. Ulyanytsky, V.R. Burachek, R. Ciach, Z. Swiatek, Z. Kuznicki. Thin Sol. Films, 361-- 362, 203 (2000)
P.M. Gorley, Z.M. Grushka, V.P. Makhniy, O.G. Grushka, O.A. Chernvinsky, P.P. Horley, Yu.V. Vorobiev, J. Gonzalez-Hernandez. Phys. Status Solidi C, 5, 3622 (2008)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель