Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Год 2012, выпуск 9 » Статья стр. 1224
<<<>>>
Перегрев SiC фототиристора в процессе включения и распространения включенного состояния
Левинштейн М.Е.1, Мнацаканов Т.Т.2, Юрков С.Н.2, Palmour J.W.3
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Всероссийский электротехнический институт им. В.И. Ленина, Москва, Россия
3CREE Inc., Silicon Dr., Durham NC, USA
Поступила в редакцию: 7 февраля 2012 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2012 г.
PDF версия
Развита простая адиабатическая модель включения и распространения включенного состояния в SiC-фототиристоре, позволяющая оценить перегрев структуры с учетом величины коммутируемого тока Imax, скорости нарастания тока dI/dt, мощности/энергии используемого для коммутации ультрафиолетового источника света, площади, первоначально включаемой светом, и постоянной времени включения тиристора tau. Обоснована применимость адиабатического приближения при оценке перегрева структур. Показано, что мгновенная максимальная плотность мощности приблизительно обратно пропорциональна площади первоначального включения тиристора. Полученные оценки показывают, что во избежание недопустимого перегрева структуры значение максимальной плотности тока при включении jmax не должно превышать ~(2-3)·104 А/см2. Принимая для оценки jmax~ Imax/pi r20~ U0/pi r20Rl, можно для заданного напряжения, с которого включается структура, U0 и выбранного сопротивления нагрузки Rl оценить радиус оптического окна r0.
  1. D.H. Auston. Appl. Phys. Lett., 26, 101 (1975)
  2. J.H. Hur, R. Hadizad, S.G. Hummel, K.M. Dzurko, P.D. Dapkus, H.R. Fetterman, M.A. Gundersen. IEEE Trans. Electron Dev., ED-37, 2520 (1990)
  3. G. Bickel, P. Heremans, M. Kuijk, R. Vounkx, G. Gorghs. Appl. Phys. Lett., 70, 750 (1997)
  4. V. Korobovand, V. Mitin. J. Appl. Phys., 79, 1143 (1996)
  5. J.-P.Jensen, W. Merz. Proc. 2003 Particle Accelerator Conf. (May 12--16 Portland Oregon, USA, 2003) p. 749
  6. В. Мартыненко, А. Хапугин, А. Гришанин, В. Чибиркин. Силовая электроника, N 5, 8 (2009)
  7. M.E. Levinshtein, P.A. Ivanov, A.K. Agarwal, J.W. Palmour. Electron. Lett., 38, 529 (2002)
  8. M.E. Levinshtein, P.A. Ivanov, A.K. Agarwal, J.W. Palmour. Proc. 2002 Eur. Conf. on Silicon Carbide and Related Materials ECSCRM2002. Linkoping, Sweden. Mater. Sci. Forum, 433--436, 851 (2003)
  9. S.L. Rumyantsev, M.E. Levinshtein, M.S. Shur, T. Saxena, Q.J. Zhang, A.K. Agarwal, J.W. Palmour. Semicond. Sci. Technol., 27, 015 012 (2012)
  10. N. Mapham. Electronics, 35, 50 (1962)
  11. N. Dheilly, G. Paques, S. Scharnholz, P. Bevilacqua, C. Raynaud, D. Nguyen, R.W. DeDoncker, D. Planson. Electron. Lett., 47, 459 (2011)
  12. N. Dheilly, G. Paques, S. Scharnholz, D. Planson. Abstracts 2011 Int. Conf. on Silicon Carbide and Related Materials ICSCR-2011 (Cleveland, Ohio, USA, 2011) p. 409
  13. M.E. Levinshtein, S.L. Rumyantsev, T.T. Mnatsakanov, A.K. Agarwal, J.W. Palmour. In: SiC Materials and Devices, ed. by M.S. Shur, S.L. Rumyantsev and M.E. Levinshtein (World Scientific, Singapore, 2006) v. 1
  14. H.S. Carslow, J.C. Jager. Conduction of Heat in Solids (Oxford, 1959) [Г. Карслоу, Д. Егер. Теплопроводность твердых тел (М., Мир, 1964)]
  15. Properties of Advanced Semiconductor Materials: GaN, AIN, InN, BN, SiC, SiGe eds. M.E. Levinshtein, S.L. Rumyantsev, M.S. Shur. (John Wiley \& Sons, Inc. N. Y.--Singapore--Toronto, 2001)
  16. М.И. Дьяконов, М.Е. Левинштейн. ФТП, 12, 729 (1978)
  17. M. Suzuki, N. Sowaki, K. Iwata, T. Nishinaga. IEEE Trans. Electron Dev., ED-29, 1222 (1982)
  18. Q. Zhang, A. Agarwal, C. Capell, M. O'Loughlin, A. Burk, J.W. Palmour, V. Temple, A. Ogunniyi, H. O'Brein, C.J. Scozzie. Proc. 2011 Int. Conf. on Silicon Carbide and Related Materials ICSCRM2011, September 11-16, Cleveland, Ohio, USA, (2011) p. 409
  19. T. Mnatsakanov, I. Rostovtsev, N. Philatov. Sol. St. Electron., 30, 579 (1987)
  20. M.E. Levinshtein, T.T. Mnatsakanov, P.A. Ivanov, J.W. Palmour, S.L. Rumyantsev, R. Singh, S.N. Yurkov. IEEE Trans Electron Dev., 48, 1703 (2001)
  21. M.E. Levinshtein, T.T. Mnatsakanov, P.A. Ivanov, R. Singh, J.W. Palmour, S.N. Yurkov. Sol. St. Electron., 48, 807 (2004)
  22. П.А. Иванов, М.Е. Левинштейн, Т.Т. Мнацаканов, J.W. Palmour, A.K. Agarwal. ФТП, 39, 897 (2005)
  23. A.I. Uvarov. In: Physics of Electron-Hole Junctions and Semiconductor Devices, eds S.M. Ryvkin, Yu.V. Shnartsev (New York, NY: Consultants Bureau, 1971) p. 170--179, 216--223.
  24. M.E. Levinshtein, J.W. Palmour, S.L. Rumyantsev, R. Singh. IEEE Trans. Electron. Dev., 45, 307 (1998)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme