Вышедшие номера
Температурная делокализация носителей заряда в полупроводниковых лазерах (lambda=1010-1070 нм)
Шашкин И.С.1, Винокуров Д.А.1, Лютецкий А.В.1, Николаев Д.Н.1, Пихтин Н.А.1, Растегаева М.Г.1, Соколова З.Н.1, Слипченко С.О.1, Станкевич А.Л.1, Шамахов В.В.1, Веселов Д.А.1, Бондарев А.Д.1, Тарасов И.С.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 13 марта 2012 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2012 г.

Исследованы температурные зависимости излучательных характеристик полупроводниковых лазеров на основе асимметричных гетероструктур раздельного ограничения с расширенным волноводом, изготовленных методом МОС-гидридной эпитаксии (длины волн lambda=1010-1070 нм). Установлено, что в непрерывном режиме генерации основным механизмом насыщения ватт-амперной характеристики с ростом температуры активной области является процесс делокализации носителей заряда в волноводный слой. Экспериментально показано, что температурная делокализация носителей заряда зависит от энергетической глубины квантовой ямы активной области. Показано, что минимальные внутренние оптические потери при 140oC достигаются в лазерных структурах с максимальной энергетической глубиной квантовой ямы активной области.