Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Год 2012, выпуск 10 » Статья стр. 1339
<<<>>>
Излучательная и безызлучательная рекомбинация в активных слоях мощных лазерных диодов InGaAs/GaAs/AlGaAs
Кабанов В.В.1, Лебедок Е.В.1, Рябцев Г.И.1, Смаль А.С.1, Щемелев М.А.1, Винокуров Д.А.2, Слипченко С.О.2, Соколова З.Н.2, Тарасов И.С.2
1Институт физики им. Б.И. Степанова Национальной академии наук Беларуси, Минск, Беларусь
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 28 марта 2012 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2012 г.
PDF версия
Для лазеров на основе асимметричной гетероструктуры InGaAs/GaAs/AlGaAs с расширенным волноводом в предпороговой области определены скорости рекомбинации, обусловленные излучательными и безызлучательными процессами, а также рекомбинации, индуцируемой усиленной люминесценцией. Показано, что значение квантового выхода люминесценции для исследованных лазерных образцов составляет не менее 91.5%.
  1. С.О. Слипченко, Д.А. Винокуров, Н.А. Пихтин, З.Н. Соколова, А.Л. Станкевич, И.С. Тарасов, Ж.И. Алфёров. ФТП, 38, 1477 (2004)
  2. С.О. Слипченко, З.Н. Соколова, Н.А. Пихтин, К.С. Борщев, Д.А. Винокуров, И.С. Тарасов. ФТП, 40, 1017 (2006)
  3. I.S. Tarasov, N.A. Pikhtin, S.O. Slipchenko, Z.N. Sokolova, D.A. Vinokurov, K.S. Borschev, V.A. Kapitonov, M.A. Khomylev, A.Yu. Leshko, A.V. Lyutetskiy, A.L. Stankevich. Spectrochimica Acta pt A, 66, 819 (2007)
  4. И.С. Тарасов. Квант. электроника, 40, 661 (2010)
  5. D.A. Livshits, I.V. Kochnev, V.M. Lantratov, N.N. Ledentsov, T.A. Nalyot, I.S. Tarasov, Zh.I. Alferov. Electron. Lett., 36, 1848 (2000)
  6. Л.И. Буров, Е.В. Лебедок, В.К. Кононенко, А.Г. Рябцев, Г.И. Рябцев. Журн. прикл. спектроскопии, 74, 790 (2007)
  7. В.В. Кабанов, Е.В. Лебедок, А.Г. Рябцев, Г.И. Рябцев, М.А. Щемелев, В.В. Шерстнев, А.П. Астахова, Ю.П. Яковлев. ФТП, 43, 522 (2009)
  8. P.T. Landsberg, M.S. Abrahams, M. Osinski. IEEE J. Quant. Electron., 21, 24 (1985)
  9. А.А. Афоненко, В.К. Кононенко, И.С. Манак, В.А. Шевцов. ФТП, 31, 1087 (1997)
  10. M.P. Krijn. Semicond. Sci. Technol., 6, 27 (1991)
  11. L.A. Coldren, S.W. Corzine. Diode lasers and photonic integrated circuits (N.Y., John Wiley \& Sons Inc., 1995)
  12. Х. Кейси, М. Паниш. Лазеры на гетероструктурах (М., Мир, 1981) т. 2. [Пер. с англ.: H.C. Casey, M.B. Panish. Heterostructure Lasers (N.Y., Academic Press, 1978) pt B]
  13. В.П. Грибковский. Теория поглощения и испускания света в полупроводниках (Минск, Наука и техника, 1975)
  14. В.К. Кононенко, В.П. Грибковский. ФТП, 5, 1875 (1971)
  15. Л.И. Буров, И.Н. Варакса, С.В. Войтиков, М.И. Крамар, А.Г. Рябцев, Г.И. Рябцев. Квант. электроника, 32, 260 (2002)
  16. Г.И. Рябцев, А.С. Смаль. Журн. прикл. спектроскопии, 70, 490 (2002)
  17. G.I. Ryabtsev, T.V. Bezyazychnaya, M.V. Bogdanovich, V.V. Parastchuk, A.I. Yenzhyieuski, L.I. Burov, A.S. Gorbatsevich, A.G. Ryabtsev, M.A. Shchemelev, V.V. Bezotosnyi, K.A. Shore, S. Banerjee. Appl. Phys. B, 90, 471 (2008)
  18. G.R. Hadley, J.P. Hohimer, A. Owyoung. IEEE J. Quant. Electron., 24, 2138 (1988)
  19. З.Н. Соколова, В.Б. Халфин. ФТП, 23, 1806 (1989)
  20. L.V.T. Nguyen, P.C.R. Gurnev. IEEE J. Select. Topics Quant. Electron., 1, 494 (1995)
  21. Б.Л. Гельмонт, З.Н. Соколова. ФТП, 16, 1670 (1982)
  22. С.О. Слипченко, А.А. Подоскин, Н.А. Пихтин, З.Н. Соколова, А.Ю. Лешко, И.С. Тарасов. ФТП, 45, 672 (2011)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme