Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Лазерные диоды, излучающие на длине волны 850 нм, на основе гетероструктур AlGaAsP/GaAs

Винокуров Д.А.¹, Капитонов В.А.¹, Лютецкий А.В.¹, Николаев Д.Н.¹, Пихтин Н.А.¹, Слипченко С.О.¹, Станкевич А.Л.¹, Шамахов В.В.¹, Вавилова Л.С.¹, Тарасов И.С.¹

¹Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

Поступила в редакцию: 9 апреля 2012 г.

Выставление онлайн: 19 сентября 2012 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Методом МОС-гидридной эпитаксии на подложке GaAs выращены и исследованы лазерные гетероструктуры с волноводными и эмиттерными слоями из твердых растворов AlGaAs и AlGaAsP. Показано, что гетероструктура, содержащая слои AlGaAsP, имеет больший радиус кривизны по сравнению со структурой, состоящей из слоев AlGaAs. Из лазерной гетероструктуры AlGaAsP/GaAs изготовлены и исследованы мезаполосковые лазеры с апертурой 100 мкм. Лазеры имели внутренние оптические потери 0.75 см^-1 и характеристический параметр T₀=140 K в диапазоне температур 20-70^oC. Максимальная выходная оптическая мощность на одно зеркало достигала 4.1 Вт и генерация в непрерывном режиме сохранялась при температуре теплоотвода 120^oC.

K. Shighara, Y. Nagai, S. Karadida, A. Takami, Y. Kokubo, H. Matsufara, S. Kakimoto. IEEE J. Quant. Electron., 27, 1537 (1991)
А.Ю. Андреев, А.Ю. Лешко, А.В. Лютецкий, А.А. Мармалюк, Т.А. Налет, А.А. Падалица, Н.А. Пихтин, Д.Р. Сабитов, В.А. Симаков, С.О. Слипченко, М.А. Хомылев, И.С. Тарасов. ФТП, 40 (5), 628 (2006)
N. Tansu, D. Zhou, L.J. Mawst. IEEE Phot. Techn. Lett., 12 (6), 603 (2000)
W.E. Plano, J.S. Major, D.F. Welch. IEEE Phot. Techn. Lett., 6 (4), 465 (1994)
А.А. Мармалюк, М.А. Ладугин, И.В. Яроцкая, В.А. Панарин, Г.Т. Микаелян. Квант. электрон., 41 (1), 15 (2012)
В.В. Шамахов, Д.А. Винокуров, А.Л. Станкевич, В.А. Капитонов, С.А. Зорина, Д.Н. Киколаев, А.В. Мурашова, А.Д. Бондарев, И.С. Тарасов. ПЖТФ, 31 (23), 1 (2005)
Е.Г. Голикова, В.А. Горбылев, Ю.В. Ильин, В.А. Курешов, А.Ю. Лешко, А.В. Лютецкий, Н.А. Пихтин, Ю.А. Рябоштан, В.А. Симаков, И.С. Тарасов, Е.А. Третьякова, Н.В. Фетисова. ПЖТФ, 26 (6), 57 (2000)
А.Ю. Лешко, А.В. Лютецкий, Н.А. Пихтин, С.О. Слипченко, З.Н. Соколова, Н.В. Фетисова, Е.Г. Голикова, Ю.А. Рябоштан, И.С. Тарасов. ФТП, 36 (11), 1393 (2002).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель