Модификация высоты барьера в диодах Шоттки на кремнии при использовании сильно легированных 3D- и 2D-слоев
Мурель А.В.1, Новиков А.В.1, Шашкин В.И.1, Юрасов Д.В.1
1Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
Поступила в редакцию: 25 апреля 2012 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2012 г.
Экспериментально исследована возможность управления эффективной высотой барьера в диодах Шоттки на кремниевых структурах, выращенных методом молекулярно-пучковой эпитаксии. Показано, что управление возможно как при использовании сильно легированных поверхностных однородных (3D) слоев (~1020 см-3), так и приповерхностных (2D) delta-слоев (~1013 см-2), обеспечивающих туннельное прохождение тока через барьер на границе металл-полупроводник. Изучены зависимости эффективной высоты барьера от параметров сильно легированных слоев. Проведенное моделирование электронного транспорта в структурах позволило качественно объяснить наблюдаемые экспериментальные результаты.
- V.I. Shashkin, Y.A. Drjagin, V.R. Zakamov, S.V. Krivov, L.M. Kukin, A.V. Murel, Y.I. Chechenin. Int. J. Infr. Milliwaves, 28, 945 (2007)
- T. Hariu, Y. Shibata. Proc. IEEE, 63, 1523 (1975)
- H.J. Gossmann, E.F. Schubert. Critical Rev. Solid State and Mater. Sci., 18, 1 (1993)
- В.И. Шашкин, А.В. Мурель. Микроэлектроника, 39, 348 (2010)
- D.V. Yurasov, M.N. Drozdov, A.V. Murel, M.V. Shaleev, N.D. Zakharov, A.V. Novikov. J. Appl. Phys., 109, 113 533 (2011)
- I.H. Tan, G.L. Snider, E.L. Hu. J. Appl. Phys., 68, 4071 (1990)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
