Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Исследования времен жизни и релаксации фотопроводимости в гетероструктурах с квантовыми ямами HgxCd1-xTe/CdyHg1-yTe
1Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия 
2Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
3Institute of Ion Beam Physics and Materials Research, Helmholtz-zentrum Dresden
2Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
3Institute of Ion Beam Physics and Materials Research, Helmholtz-zentrum Dresden
Поступила в редакцию: 25 апреля 2012 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2012 г.
Методом терагерцовой спектроскопии накачка-зондирование (pump-probe) исследовались времена жизни носителей в континууме квантовой ямы гетероструктур HgxCd1-xTe/CdyHg1-yTe. Обнаружено, что длительность релаксации сигнала пропускания составляет ~65 пс и не зависит от мощности накачки. Такая быстрая релаксация в данных структурах скорее всего определяется процессами взаимодействия дырок с акустическими фононами вследствие высокой плотности состояний в валентной зоне и большей по сравнению с электронами эффективной массы. По полученным данным определены времена межзонной безызлучательной рекомбинации дырок. В работе представлены результаты численного расчета энергетического спектра модельной структуры, в которой проанализирована возможность получения инверсной населенности при заданных концентрациях неравновесных носителей.
- A. Rogalski. Rep. Prog. Phys., 68, 2267 (2005)
- C.H. Grein, H. Jung, R. Singh, M.E. Flatte. J. Electron. Mater., 34 (6), 905 (2005)
- S. Dvoretsky, N. Mikhailov, Yu. Sidorov, V. Shvets, S. Danilov, B. Wittman, S. Ganichev. J. Electron. Mater., 39, 918 (2010)
- Z.D. Kvon, S.N. Danilov, N.N. Mikhailov, S.A. Dvoretsky, W. Prettla, S.D. Ganichev. Physica E, 40, 1885 (2008)
- V. Ryzhii, M. Ryzhii, A. Satou, T. Otsuji, A.A. Dubinov, V.Ya. Aleshkin. J. Appl. Phys., 106, 084 507 (2009)
- V. Ryzhii, A.A. Dubinov, T. Otsuji, V. Mitin, M.S. Shur. J. Appl. Phys., 107, 054 505 (2010)
- S. Winnerl, M. Orlita, P. Plochocka, P. Kossacki, M. Potemski, T. Winzer, E. Malic, A. Knorr, M. Sprinkle, C. Berger, W.A. de Heer, H. Schneider, M. Helm. Phys. Rev. Lett., 107, 237 401 (2011)
- D.N. Talwar, M. Vandevyver. J. Appl. Phys., 56, 1601 (1984)
- А.В. Иконников, М.С. Жолудев, К.В. Маремьянин, O. Drachenko, M. Orlita, F. Teppe, К.Е. Спирин, А.В. Антонов, А.А. Ластовкин, В.И. Гавриленко, С.А. Дворецкий, Н.Н. Михайлов, M. Goiran, M. Helm, J. Wosnitza, W. Knap. Тр. XVI Междунар. симп. "Нанофизика и наноэлектроника" (Нижний Новгород, 2012) с. 255
- A.V. Ikonnikov, M.S. Zholudev, K.E. Spirin, A.A. Lastovkin, K.V. Maremyanin, V.Ya. Aleshkin, V.I. Gavrilenko, O. Drachenko, M. Helm, J. Wosnitza, M. Goiran, N.N. Mikhailov, S.A. Dvoretskii, F. Teppe, N. Diakonova, C. Consejo, B. Chenaud, W. Knap. Semicond. Sci. Technol., 26, 125 011 (2011)
- А.В. Иконников, А.А. Ластовкин, К.Е. Спирин, М.С. Жолудев, В.В. Румянцев, К.В. Маремьянин, А.В. Антонов, В.Я. Алешкин, В.И. Гавриленко, С.А. Дворецкий, Н.Н. Михайлов, Ю.Г. Садофьев, N. Samal. Письма ЖЭТФ, 92 (11), 837 (2010).
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
