Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Влияние термополевой ионизации на формирование барьера Шоттки металл--<аморфный кремний>
1Удмуртский государственный университет, Ижевск, Россия 
Поступила в редакцию: 27 сентября 1999 г.
Выставление онлайн: 18 февраля 2000 г.
Получено выражение для функции распределения носителей заряда по глубоким уровням с учетом эффекта Френкеля-Пула в области объемного заряда, использование которого позволило рассчитать влияние термополевой ионизации на плотность объемного заряда, распределение потенциала в области объемного заряда, квазистатические вольт-фарадные характеристики контакта металл-<аморфный кремний>.
- А.А. Андреев, О.А. Голикова, М.М. Казанин, М.М. Мездрогина. ФТП, 13(9), 1859 (1979)
- А.К. Джоншер, Р.М. Хилл. Физика тонких пленок, 8, 180 (1978)
- J.L. Hartke. J. Appl. Phys., 39, 4871 (1968)
- M. Ieda, G. Sawa, S. Kato. J. Appl. Phys., 42, 3737 (1971)
- Справочник по специальным функциям, под ред. М. Абрамовица, И. Сигал (М., Наука, 1979)
- Аморфные полупроводники, под ред. М. Бродски (М., Мир, 1982)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
