Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Моделирование гистерезиса структуры металл--сегнетоэлектрик--полупроводник
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
Поступила в редакцию: 16 июня 2000 г.
Выставление онлайн: 20 января 2001 г.
Выполнено моделирование гистерезиса зависимости поляризации P от электрического поля E для структуры металл-сегнетоэлектрик-полупроводник применительно к перовскитным материалам. Моделирование основано на анализе экспериментальной петли гистерезиса P(E) для структуры металл-сегнетоэлектрик-металл, которая аппроксимируется гиперболическим тангенсом. Выполнено численное интегрирование уравнения Пуассона с учетом зависимости диэлектрической проницаемости сегнетоэлектрика от электрического поля. Показано, что деполяризующее действие полупроводника уменьшает остаточную поляризацию в несколько раз, причем эффект деполяризации сильнее в случае полупроводника с меньшей концентрацией примеси.
- J. Moll, Y. Tarui. IEEE Trans. Electron. Dev., ED-10, 338 (1963)
- R. Zuleeg, H.H. Wider. Sol. St. Electron., 9, 657 (1966)
- S.Y. Wu. IEEE Trans. Electron. Dev., ED-21, 499 (1974)
- K. Sugibuchi, Y. Kurogi, N. Endo. J. Appl. Phys., 46, 2877 (1975)
- S.Y. Wu. Ferroelectrics, 11, 379 (1976)
- Y. Higuma, Y. Matsui, M. Okuyama, Y. Nakagawa, Y. Hamakagava. Japan. J. Appl. Phys., 17, Suppl. 17-1, 209 (1978)
- J.F. Scott, D.A. Araujo. Science, 246, 1400 (1989)
- J.T. Evans, R. Womack. IEEE J. Sol. St. Cirquits, 23, 1171 (1988)
- Y. Watanabe. Appl. Phys. Lett., 66, 1770 (1995)
- Y. Watanabe, M. Tanamura, Y. Matsumoto. Japan. J. Appl. Phys., 35, Pt 1, 1564 (1996)
- Y. Watanabe. Phys. Rev. B, 59, 11 257 (1999)
- Y. Watanabe, M. Tanamura, Y. Matsumoto, H. Asami. Appl. Phys. Lett., 66, 299 (1995)
- Б.М. Вул, Г.М. Гуро, И.И. Иванчик. ФТП, 4, 162 (1970)
- Б.В. Сандомирский, Ш.С. Хохлов, Е.В. Ченский. ФТП, 16, 440 (1982)
- R.R. Mehta, B.D. Silverman, J.T. Jacobs. J. Appl. Phys., 44, 3379 (1973)
- I.P. Batra, P. Wurfel. Phys. Rev. B, 8, 3257 (1973)
- P. Wurfel, I.P. Batra. Phys. Rev. B, 8, 5126 (1973)
- Y. Watanabe. J. Appl. Phys., 83, 2179 (1988)
- Y. Watanabe. Phys. Rev. B, 57, 789 (1998)
- S.L. Miller, P.J. Mc Whorter. J. Appl. Phys., 72, 5999 (1992)
- E. Tokumitsu, K. Itani, B.-K. Moon, H. Ishiwara. Japan. J. Appl. Phys., 34, Pt 1, 5202 (1995)
- Y. Watanabe, Y. Matsumoto, M. Tanamura. Japan. J. Appl. Phys., 34, Pt 1. 5254 (1995)
- Y. Watanabe. Appl. Phys. Lett., 66, 28 (1995)
- Л.Д. Ландау, Е.М. Лифшиц. Статистическая физика (М., Наука, 1995) ч. 1
- В.М. Фридкин. Фотосегнетоэлектрики (М., Наука, 1979)
- И.Е. Тамм. Основы теории электричества (М., Наука, 1989)
- С. Зи. Физика полупроводниковых приборов (М., Мир, 1981) т. 1
- P.W.M. Bloom, R.M. Wolf, J.F.M. Cilessen, M.P.C.M. Krijn. Phys. Rev. Lett., 73, 2107 (1994)
- S.L. Miller, J.R. Schwank, R.D. Nasby, M.S. Rodgers. J. Appl. Phys., 68, 6463 (1990)
- S.L. Miller, J.R. Schwank, R.D. Nasby, M.S. Rodgers. J. Appl. Phys., 70, 2849 (1991)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
