Роль эффекта поверхностной сегрегации в формировании резких границ слоев в гетерокомпозициях Si/Si1-xGex, выращиваемых методом молекулярно-лучевой эпитаксии с комбинированными источниками
Орлов Л.К.1, Ивина Н.Л.1
1Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
Поступила в редакцию: 18 мая 2001 г.
Выставление онлайн: 20 января 2002 г.
Для системы Si1-xGex, выращенной методом молекулярно-лучевой эпитаксии с комбинированными источниками Si-GeH4 в условиях эффективного заполнения поверхностных связей продуктами распада гидридов, измерены коэффициенты сегрегации атомов германия, что позволило в свою очередь впервые на основании разработанной кинетической модели роста определить для рассматриваемого метода эпитаксии отношение коэффициентов встраивания атомов Si и Ge в растущий слой Si1-xGex. Для структур Si-Si1-xGex, выращиваемых методом молекулярно-лучевой эпитаксии с комбинированными источниками Si-GeH4, для широкой области значений технологических параметров проведено сопоставление роли различных механизмов (пиролиза, сегрегации и других) в формировании профиля металлургических границ слоев.
- D.W. Greve. Meter. Sci. Eng. B, 18, 22 (1993)
- J. Thiesen, E. Iwaniczko, K.M. Jones, A. Mahan, R. Grandall. Appl. Phys. Lett., 75, 992 (1999)
- L.K. Orlov, V.A. Tolomasov, A.V. Potapov, Yu.N. Drozdov, V.I. Vdovin. IEEE, SIMC-9, 215 (1996)
- O.P. Karpenko, S.M. Yalisove, D.J. Eaglesham. J. Appl. Phys., 82, 1157 (1997)
- В.И. Вдовин, К.Д. Щербачев, М. Миронов, К. Парри, Э.Н.С. Паркер. Кристаллография, 45 (4), 1 (2000)
- W.C. Tsai, C.Y. Chang, T.G. Jung, T.S. Liou, G.W. Huang, T.C. Chang, L.P. Chen, H.C. Lin. Appl. Phys. Lett., 67, 1092 (1995)
- J.M. Baribeau, D.J. Lockwood, R.L. Headrick. J. Electron. Mater., 24, 341 (1995)
- В.А. Толомасов, Л.К. Орлов, С.П. Светлов, А.Д. Гудкова, А.В. Корнаухов, Р.А. Рубцова, А.В. Потапов, Ю.Н. Дроздов. Кристаллография, 43, 535 (1998)
- Л.К. Орлов, А.В. Потапов, С.В. Ивин. ЖТФ, 70 (6), 102 (2000)
- Л.К. Орлов, Н.Л. Ивина, А.В. Потапов. ФТП, 34, 1153 (2000)
- A.V. Potapov, L.K. Orlov, S.V. Ivin. Thin Sol. Films, 336, 191 (1998)
- Y.J. Zheng, A.M. Lam, J.R. Engstrom. Appl. Phys. Lett., 75, 817 (1999)
- Л.К. Орлов, С.В. Ивин, А.В. Потапов, Н.Л. Ивина. ЖТФ, 71 (4), 53 (2001)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук