Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Гетероструктуры GaAs/InGaAsN для многопереходных солнечных элементов
1Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет имени Ж.И. Алфёрова Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия 
2Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
3Университет ИТМО, Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
3Университет ИТМО, Санкт-Петербург, Россия
Email: nikitina@mail.ru
Поступила в редакцию: 7 октября 2015 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2016 г.
Исследованы гетероструктуры солнечных элементов на основе материалов GaAs/InGaAsN cо сверхрешеткой InAs/GaAsN, выращенные методом молекулярно-пучковой эпитаксии. Тестовый солнечный элемент p-GaAs/i-(InAs/GaAsN)/n-GaAs с активным слоем InGaAsN толщиной 0.9 мкм имеет напряжение холостого хода 0.4 В (при освещенности АМ1.5G) и квантовую эффективность >0.75 на длине волны 940 нм (при нулевых потерях на отражение), что соответствует току короткого замыкания 26.58 мА/см2 (АМ1.5G, 100 мВт/см2). Высокое значение напряжения холостого хода показывает возможность использования InGaAsN как материала с шириной запрещенной зоны 1 эВ в четырехкаскадных солнечных элементах.
- R.R. King, D.C. Law, K.M. Edmondson, C.M. Fetzer, G.S. Kinsey, H. Yoor, R.A. Sherif, N.H. Karam. Appl. Phys. Lett., 90, 183 516 (2007)
- D.J. Friedman, J.F. Geisz, S.R. Kurtz, J.M. Olson. J. Cryst. Growth, 195, 409 (1998)
- S.R. Kurtz, A.A. Allerman, E.D. Jones, J.M. Gee, J.J. Banas, B.E. Hammons. Appl. Phys. Lett., 74, 729 (1999)
- S.R. Kurtz, A.A. Allerman, C.H. Seager, R.M. Sieg, E.D. Jones. Appl. Phys. Lett., 77, 400 (2000)
- A. Khan, S.R. Kurtz, S. Prasad, S.W. Johnston, J. Gou. Appl. Phys. Lett., 90, 243 509 (2007)
- Reported timeline of solar cell energy conversion efficiencies from National Renewable Energy Laboratory (National Center for Photovoltaics, USA). http://www.nrel.gov/ncpv/
- M.A. Green, K. Emery, Y. Hishikawa, W. Warta, E.D. Dunlop. Progr. Photovolt.: Res. Appl., 21, 827 (2013)
- А.И. Баранов, А.С. Гудовских, Е.В. Никитина, А.Ю. Егоров. Письма ЖТФ, 39 (24), 88 (2013)
- W. Walukiewicz, W. Shan, K.M. Yu, J.W. Ager. In: Dilute Nitride Semiconductors, ed. by M. Henini (Elsevier, Amsterdam, 2005) p. 325
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
