Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Изотермические вольт-амперные характеристики высоковольных 4H-SiC JBS-диодов Шоттки
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
2CREE Inc., Silicon Dr., Durham NC, USA
2CREE Inc., Silicon Dr., Durham NC, USA
Поступила в редакцию: 20 октября 2015 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2016 г.
Прямые импульсные изотермические вольт-амперные характеристики 4H-SiC JBS с номинальным блокирующим напряжением 1700 В измерены в температурном диапазоне от -80oC до + 90oC (193-363 K) вплоть до значений плотностей тока j~ 5600 А/см2 при - 80oC и 3000 А/см2 при + 90oC. При этих измерениях перегрев структуры по отношению к температуре окружающей среды Delta T не превышал нескольких градусов. При больших значениях плотности тока наблюдается эффективная инжекция неосновных носителей (дырок) в базу структуры, сопровождающаяся появлением S-образного дифференциального сопротивления. Измерены также импульсные изотермические вольт-амперные характеристики при температуре 77 K.
- L.M. Hillkirk. Sol. St. Electron., 48, 2181 (2004)
- M.E. Levinshtein, P.A. Ivanov, T.T. Mnatsakanov, J.W. Palmour, M.K. Das, B.A. Hull. Sol. St. Electron., 52, 1802 (2008)
- J. Baliga. IEEE Electron Dev. Lett., 8, 407 (1987)
- J. Wu, L. Fursin, Y. Li, P. Alexandrov, M. Weiner, J.H. Zhao, Semicond. Sci. Technol., 21, 987 (2006)
- П.А. Иванов, И.В. Грехов, А.С. Потапов, О.И. Коньков, Н.Д. Ильинская, Т.П. Самсонова, O. Korol'kov, N. Sleptsuk. ФТП, 46, 411 (2012)
- J.D. Caldwell, R.E. Stahlbush, E.A. Imhoff, K.D. Hobart, M.J. Tadjer, Q. Zhang, A. Agarwal. J. Apll. Phys., 106, 044 504 (2009)
- C. Buttay, C. Raynaud, H. Morel, G. Civrac, M.-L. Locatelli, F. Morel. IEEE Trans. Electron Dev., 59, 761 (2012)
- H. Carslow, J. Jager. Conduction of Heat in Solids (Clarendon Press, Oxford, 1959)
- F. Cappelluti, F. Bonani, G. Ghione. Proc. Int. Semicond. Dev. Res. Symp. ISDRS '09, Dec. 9-11 (College Park, MD, USA, 2009) p. 1
- B.L. Maas, N.D. Clements, V. Rinaldi. IEEE Trans. Magnetics, 29, 1017 (1993)
- R. Perez, N. Mestres, M. Vellveh, P. Godignon, J. Mill. Semicond. Sci. Technol., 21, 670 (2006)
- C.M. Johnson, M. Rahimo, N.G. Wright, D.A. Hinchley, A.B. Horsfall, D.J. Morrison, A. Knights. Industry Applications Conference, 2000. Conf. Record of the 2000 IEEE, 5, 2941 (2000)
- J.W. Palmour, M.E. Levinshtein, P.A. Ivanov, Q.J. Zhang. J. Phys. D: Appl. Phys., 48, 235 103 (2015)
- M. Berthou, B. Asllani, P. Brosselard, P. Godignon. Proc. 16th Int. Conf. on Silicon Carbide and Related Materials, ICSCRM'2014, Dubai, UAE. Nov. 25-26. Mater. Sci. Forum, 821-823, 583 (2015)
- T. Chailloux, C. Calvez, D. Tournier, D. Planson. Proc. 16th Int. Conf. on Silicon Carbide and Related Materials, ICSCRM'2014, Dubai, UAE, Nov. 25-26. Mater. Sci. Forum, 821-823, 814 (2015)
- http://www.cree.com/~/media/Files/Cree/Power/Data Sheets/ CPW31700S010B.pdf
- M.E. Levinshtein, S.L. Rumyantsev, M.S. Shur, eds., Properties of Advanced Semiconductor Materials: GaN, AIN, InN, BN, SiC, SiGe (John Wiley \& Sons, Inc. N. Y. 2001)
- G. Pensl, F. Giobanu, T. Frank, M. Krieger, S. Reshanov, F. Shmid, M. Weidner. SiC Material Properties. In: SiC Materials and Devices (M. Shur, S. Rumyantsev, M Levinshtein, eds (World Scientific, Singapore-New Jersey-London-Hong Kong, 2006)
- И.В. Грехов, Ю.Н. Сережкин. Лавинный пробой p-n-переходов в полупроводниках (Л., Энергия, 1980)
- M.E. Levinshtein, T.T. Mnatsakanov, P.A. Ivanov, J.W. Palmour, M.K. Das, B.A. Hull. Semicond. Sci. Technol., 22, 253 (2007)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
