Вышедшие номера
Изотермические вольт-амперные характеристики высоковольных 4H-SiC JBS-диодов Шоттки
Левинштейн М.Е.1, Иванов П.А.1, Zhang Q.J.2, Palmour J.W.2
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2CREE Inc., Silicon Dr., Durham NC, USA
Поступила в редакцию: 20 октября 2015 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2016 г.

Прямые импульсные изотермические вольт-амперные характеристики 4H-SiC JBS с номинальным блокирующим напряжением 1700 В измерены в температурном диапазоне от -80oC до + 90oC (193-363 K) вплоть до значений плотностей тока j~ 5600 А/см2 при - 80oC и 3000 А/см2 при + 90oC. При этих измерениях перегрев структуры по отношению к температуре окружающей среды Delta T не превышал нескольких градусов. При больших значениях плотности тока наблюдается эффективная инжекция неосновных носителей (дырок) в базу структуры, сопровождающаяся появлением S-образного дифференциального сопротивления. Измерены также импульсные изотермические вольт-амперные характеристики при температуре 77 K.