Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Электрофизические и фотолюминесцентные исследования сверхрешeток \LT-GaAs/GaAs : Si\, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии на подложках GaAs с ориентацией (100) и (111)А
Переводная версия: 10.1134/S1063782619020088 
Галиев Г.Б.1, Климов Е.А.
1, Клочков А.Н.
1, Копылов В.Б.1, Пушкарев C.C.1
1Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук, Москва, Россия 
Email: klimov_evgenyi@mail.ru, klochkov_alexey@mail.ru, serp456207@gmail.com
Поступила в редакцию: 24 мая 2018 г.
Выставление онлайн: 20 января 2019 г.
Представлены результаты исследования впервые предложенных и выращенных полупроводниковых структур, сочетающих свойства LT-GaAs и p-тип проводимости при легировании кремнием. Структуры представляют собой сверхрешeтки LT-GaAs/GaAs:Si, где слои LT-GaAs выращены при низкой температуре, в диапазоне 280-350oС, а слои GaAs:Si - при более высокой температуре, 470oС. Дырочный тип проводимости при легировании кремнием обеспечивался использованием подложек GaAs (111)A, выбором температуры роста и соотношения потоков As4 и Ga. Концентрация дырок монотонно уменьшается с понижением температуры роста слоeв LT-GaAs от 350 до 280oС, что объясняется увеличением шероховатости границ раздела слоeв и формированием обеднeнных носителями заряда областей на границах слоeв GaAs:Si и LT-GaAs. Эволюция спектров фотолюминесценции при 77 K, вызванная изменением температуры роста LT-GaAs, интерпретирована как обусловленная изменением концентрации точечных дефектов GaAs, VGa, а также комплексов SiGa-VGa, VAs-SiAs, SiAs-SiGa.
- A. Krotkus. J. Phys. D: Appl. Phys., 43, 273001 (2010)
- I. Kostakis, M. Missous. AIP Adv., 3, 092131 (2013)
- N. Kim, S.-P. Han, H. Ko, Y.A. Leem, H.-C. Ryu, C.W. Lee, D. Lee, M.Y. Jeon, S.K. Noh, K.H. Park. Opt. Express, 19 (16), 15397 (2011)
- H. Roehle, R.J.B. Dietz, H.J. Hensel, J. Bottcher, H. Kunzel, D. Stanze, M. Schell, B. Sartorius. Opt. Express, 18 (3), 2296 (2010)
- I.S. Gregory, C. Baker, W.R. Tribe, M.J. Evans, H.E. Beere, E.H. Linfield, A.G. Davies, M. Missous. Appl. Phys. Lett., 83, 4199 (2003)
- M. Missous, S. O'Hagan. J. Appl. Phys., 75 (7), 3396 (1994)
- X. Liu, A. Prasad, W.M. Chen, A. Kurpiewski, A. Stoschek, Z. Liliental-Weber, E.R. Weber. Appl. Phys. Lett., 65, 3002 (1994)
- X. Liu, A. Prasad, J. Nishio, E.R. Weber, Z. Liliental-Weber, W. Walukiewicz. Appl. Phys. Lett., 67, 279 (1995)
- A. Krotkus, K. Bertulis, L. Dapkus, U. Olin, S. Marcinkevicius. Appl. Phys. Lett., 75, 3336 (1999)
- M. Haiml, U. Siegner, F. Morier-Genoud, U. Keller, M. Luysberg, P. Specht, E.R. Weber. Appl. Phys. Lett., 74, 1269 (1999)
- P. Specht, R.C. Lutz, R. Zhao, E.R. Weber, W.K. Liu, K. Bacher, F.J. Towner, T.R. Stewart, M. Luysberg. J. Vac. Sci. Technol. B, 17, 1200 (1999)
- F. Piazza, L. Pavesi, M. Henini, D. Johnston. Semicond. Sci. Technol., 7, 1504 (1992)
- T. Ohachi, J.M. Feng, K. Asai, M. Uwani, M. Tateuchi, P.O. Vaccaro, K. Fujita. Microelectronics J., 30, 471 (1999)
- Г.Б. Галиев, В.Г. Мокеров, Ю.В. Слепнев, Ю.В. Хабаров, А.А. Ломов, Р.М. Имамов. ЖТФ, 69 (7), 68 (1999)
- Г.Б. Галиев, В.Э. Каминский, В.Г. Мокеров, Л.Э. Велиховский. ФТП, 35 (4), 427 (2001)
- L. Pavesi, M. Henini, D. Johnston. Appl. Phys. Lett., 66, 2846 (1995)
- K. Agawa, K. Hirakawa, N. Sakamoto, Y. Hashimoto, T. Ikoma. Appl. Phys. Lett., 65, 1171 (1994)
- A. Miyagawa, T. Yamomoto, Y. Ohnishi, J.T. Nelson, Y. Ohachi. J. Cryst. Growth, 237- 239, 1434 (2002)
- Г.Б. Галиев, Е.А. Климов, А.Л. Васильев, Р.М. Имамов, С.С. Пушкарев, И.Н. Трунькин, П.П. Мальцев. Кристаллография, 62 (1), 77 (2017)
- D.I. Khusyainov, C. Dekeyser, A.M. Buryakov, E.D. Mishina, G.B. Galiev, E.A. Klimov, S.S. Pushkarev, A.N. Klochkov. Intern. J. Mod. Phys. B, 31, 1750195 (2017)
- Г.Б. Галиев, Е.А. Климов, А.Н. Клочков, С.С. Пушкарев, П.П. Мальцев. ФТП, 52 (3), 395 (2018)
- C.D. Yerino, B. Lang, D.L. Huffaker, P.J. Simmonds, M.L. Lee. J. Vac. Sci. Technol. B, 35 (1), 010801 (2017)
- Л.Л. Анисимова, А.К. Гутаковский, И.В. Ивонин, В.В. Преображенский, М.А. Путято, Б.Р. Семягин, С.В. Субач. Журнал структурной химии, 45, 96 (2004)
- Paul J. Simmonds, Minjoo Larry Lee. J. Appl. Phys., 112, 054313 (2012)
- N.H. Ku, F.K. Reinhart. J. Appl. Phys., 83 (2), 718 (1998)
- D. Johnston, L. Pavesi, M. Henini. Microelectronics J., 26, 759 (1995)
- И.А. Бобровникова, М.Д. Вилисова, И.В. Ивонин, Л.Г. Лаврентьева, В.В. Преображенский, М.А. Путято, Б.Р. Семягин, С.В. Субач, С.Е. Торопов. ФТП, 37 (9), 1072 (2003)
- M. Luysberg, H. Sohn, A. Prasad, P. Specht, Z. Liliental-Weber, E.R. Weber, J. Gebauer, R. Krause-Rehberg. J. Appl. Phys., 83, 561 (1998)
- Г.Б. Галиев, И.С. Васильевский, Е.А. Климов, А.Н. Клочков, Д.В. Лаврухин, С.С. Пушкарeв, П.П. Мальцев. ФТП, 49 (9), 1243 (2015)
- D.C. Look, D.C. Walters, G.D. Robinson, J.R. Sizelove, M.G. Mier, C.E. Stutz. J. Appl. Phys., 74, 306 (1993)
- E.A.P. Prieto, S.A.B. Vizcara, A.S. Somintac, A.A. Salvador, E.S. Estacio, C.T. Que, K. Yamamoto, M. Tani. J. Opt. Soc. Am. B, 31 (2), 291 (2014)
- M. Stellmacher, J. Nagle, J.F. Lampin, P. Santoro, J. Vaneecloo, A. Alexandrou. J. Appl. Phys., 88, 6026 (2000)
- Г.Б. Галиев, Е.А. Климов, М.М. Грехов, С.С. Пушкарев, Д.В. Лаврухин, П.П. Мальцев. ФТП, 50 (2), 195 (2016)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
