Вышедшие номера
Отрицательно заряженные азотно-вакансионные центры в кристалле карбида кремния 6H-28SiC
Мурзаханов Ф.Ф.1, Мамин Г.В.1, Садовникова М.А.1, Шуртакова Д.В.1, Казарова О.П.2, Гафуров М.Р.1
1Институт физики, Казанский (Приволжский) федеральный университет, Казань, Россия
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: murzakhanov.fadis@yandex.ru
Поступила в редакцию: 19 апреля 2024 г.
В окончательной редакции: 14 августа 2024 г.
Принята к печати: 30 октября 2024 г.
Выставление онлайн: 16 декабря 2024 г.

Техниками высокочастотного электронного парамагнитного резонанса идентифицированы высокоспиновые (S=1) центры окраски в изотопно-модифицированном кристалле 6H-28SiC. Определены компоненты спинового гамильтониана (g, D, A) отрицательно заряженных азотно-вакансионных (NV-) центров и изучено влияние режимов оптического возбуждения на их релаксационные характеристики. Полученные результаты доказывают потенциальную возможность использования NV--дефектов в 6H-28SiC для материальной реализации кубитов и спин-фотонных интерфейсов. Ключевые слова: спиновые дефекты, карбид кремния, оптическая поляризация.