Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Отрицательно заряженные азотно-вакансионные центры в кристалле карбида кремния 6H-28SiC
1Институт физики, Казанский (Приволжский) федеральный университет, Казань, Россия 
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: murzakhanov.fadis@yandex.ru
Поступила в редакцию: 19 апреля 2024 г.
В окончательной редакции: 14 августа 2024 г.
Принята к печати: 30 октября 2024 г.
Выставление онлайн: 16 декабря 2024 г.
Техниками высокочастотного электронного парамагнитного резонанса идентифицированы высокоспиновые (S=1) центры окраски в изотопно-модифицированном кристалле 6H-28SiC. Определены компоненты спинового гамильтониана (g, D, A) отрицательно заряженных азотно-вакансионных (NV-) центров и изучено влияние режимов оптического возбуждения на их релаксационные характеристики. Полученные результаты доказывают потенциальную возможность использования NV--дефектов в 6H-28SiC для материальной реализации кубитов и спин-фотонных интерфейсов. Ключевые слова: спиновые дефекты, карбид кремния, оптическая поляризация.
- T.D. Ladd, F. Jelezko, R. Laflamme, Y. Nakamura, C. Monroe, J.L. O'Brien. Nature, 464 (7285), 45 (2010). DOI: 10.1038/nature08812
- J.R. Weber, W.F. Koehl, J.B. Varley, A. Janotti, B.B. Buckley, C.G. Van de Walle, D.D. Awschalom. Proc. Natl. Acad. Sci., 107 (19), 8513 (2010). DOI: 10.1073/pnas.1003052107
- F.J. Heremans, C.G. Yale, D.D. Awschalom. Proc. IEEE, 104 (10), 2009 (2016). DOI: 10.1109/JPROC.2016.2561274
- F.F. Murzakhanov, G.V. Mamin, S.B. Orlinskii, U. Gerstmann, W.G. Schmidt, T. Biktagirov, I. Aharonovich, A. Gottscholl, A. Sperlich, V. Dyakonov, V.A. Soltamov. Nano Lett., 22 (7), 2718 (2022). DOI: 10.1021/acs.nanolett.1c04610
- F.F. Murzakhanov, B.V. Yavkin, G.V. Mamin, S.B. Orlinskii, H.J. von Bardeleben, T. Biktagirov, U. Gerstmann, V.A. Soltamov. Phys. Rev. B, 103 (24), 245203 (2021). DOI: 10.1103/PhysRevB.103.245203
- H.J. von Bardeleben, J.L. Cantin, A. Csore, A. Gali, E. Rauls, U. Gerstmann. Phys. Rev. B, 94 (12), 121202 (2016). DOI: 10.1103/PhysRevB.94.121202
- V.A. Soltamov, C. Kasper, A.V. Poshakinskiy, A.N. Anisimov, E.N. Mokhov, A. Sperlich, S.A. Tarasenko, P.G. Baranov, G.V. Astakhov, V. Dyakonov. Nature Commun., 10 (1), 1678 (2019). DOI: 10.1038/s41467-019-09429-x
- K. Khazen, H.J. Von Bardeleben, S.A. Zargaleh, J.L. Cantin, M. Zhao, W. Gao, T. Biktagirov, U. Gerstmann. Phys. Rev. B, 100 (20), 205202 (2019). DOI: 10.1103/PhysRevB.100.205202
- F.F. Murzakhanov, M.A. Sadovnikova, G.V. Mamin, S.S. Nagalyuk, H.J. von Bardeleben, Schmidt, W.G., T. Biktagirov, U. Gerstmann, V.A. Soltamov. J. Appl. Phys., 134 (12), 123906 (2023). DOI: 10.1063/5.0170099
- F. Murzakhanov, M. Sadovnikova, G. Mamin, K. Sannikov, A. Shakirov, H.J. von Bardeleben, E. Mokhov, S. Nagalyuk. Appl. Phys. Lett., 124 (3), 034001 (2024). DOI: 10.1063/5.0186997
- T. Takui, L. Berliner, G. Hanson. Electron spin resonance (ESR) based quantum computing (Springer, N. Y., 2016) v. 31, p. 255. DOI: 10.1007/978-1-4939-3658-8
- S. Agnello, R. Boscaino, M. Cannas, F.M. Gelardi. Phys. Rev. B, 64 (17), 174423 (2001). DOI: 10.1103/PhysRevB.64.174423H
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
