Исследовано пространственное распределение комплексов точечных дефектов по глубине в монокристаллическом кремнии, облученном ионами ксенона с энергией 167 МэВ и флюенсом 5·10¹¹ см^-2 и отожженном в интервале температур 400-600 ^oC. Установлено, что по всей глубине области имплантации образуется большое число различных вакансионных комплексов, а на проекционной глубине имплантированных ионов возникает потенциальный барьер для протекания тока. Обнаружено, что высокая интенсивность спектральной линии люминесценции W/W', соответствующей межузельным комплексам, сохраняется и на глубинах, намного превосходящих проекционную длину, что может быть объяснено участием механизмов ускоренной диффузии собственных дефектов. Ключевые слова: кремний, ионная имплантация, катодолюминесценция, электронная микроскопия.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.