Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Магнитное упорядочение в кристаллическом Si, имплантированном ионами Co промежуточных флюенсов
1Белорусский государственный университет, Минск, Республика Беларусь 
Поступила в редакцию: 6 февраля 2006 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2006 г.
Исследовался кристаллический Si, имплантированный ионами кобальта (флюенс Phi=1014-1016 см-2) с энергией 380 кэВ. Методом резерфордовского обратного рассеяния определен порог аморфизации Si (Phi= 3· 1014 см-2). При температуре T=78 K в имплантированном Co+ кремнии для Phi>=q3·1014 см-2 зарегистрирована квазирезонансная анизотропная линия электронного парамагнитного резонанса шириной порядка 170 мТл. На фоне этой линии наблюдался резонансный сигнал парамагнитных центров аморфных областей Si (g=2.0057, delta B=0.74 мТл). Квазирезонансная линия электронного парамагнитного резонанса от атомов Co и собственных дефектов Si при T=300 K не наблюдалась. PACS: 61.72.Hh, 61.72.Tt, 76.30.Lh, 81.05.Cy, 81.40.Rs
- Б.П. Захарченя, В.Л. Коренев. УФН, 175 (6), 629 (2005)
- С.А. Гусев, Ю.Н. Ноздрин, М.В. Сапожников, А.А. Фраерман. УФН, 70 (3), 331 (2000)
- Zh. Tan, F. Namavar, J.I. Budnick, F.H. Sanchez, A. Fasihuddin, S.M. Heald, C.E. Bouldin, J.C. Woicik. Phys. Rev. B, 46 (7), 4077 (1992)
- Zh. Tan, J.I. Budnick, F.H. Sanchez, G. Tourillov, F. Namavar, H.C. Hayden. Phys. Rev. B, 40 (9), 6368 (1989)
- A.E. White, K.T. Short, R.C. Dynes, J.P. Garno, J.M. Gibson. Appl. Phys. Lett., 50 (2), 95 (1987)
- A.P. Knights, G.R. Carlow, M. Zinke-Allmang, P.J. Simpson. Phys. Rev. B, 54 (19), 13 955 (1996)
- C. Choi, S. Chang, Y. Ok, T. Seong, H. Gan, G. Pan, K. Tu. J. Electron. Mater., 32 (10), 1072 (2003)
- M.A. Harry, G. Gurello, M.S. Finney, K.J. Reeson, B.J. Sealy. J. Phys. D: Appl. Phys., 29 (7), 1822 (1996)
- L.J. Chen, K.N. Tu. Mater. Sci. Rep., 6, 53 (1991)
- P. Murarka. Silicides for VLSI Applications (Academic, N. Y., 1983) p. 30
- Ф.Ф. Комаров, А.П. Новиков, В.С. Соловьев, С.Ю. Ширяев. Дефекты структуры в ионно-имплантированном кремнии (Минск, Университетское, 1990)
- В.Б. Гусева, А.Ф. Зацепин, В.А. Важенин, B. Schmidt, Н.В. Гаврилов, С.О. Чолах. ФТТ, 47 (4), 650 (2005)
- М.В. Власова, Н.Г. Каказей, А.М. Калиниченко, А.С. Литовченко. Радиоспектроскопические свойства неорганических материалов. Справочник (Киев, Наук. думка, 1987)
- С.И. Рембеза. Парамагнитный резонанс в полупроводниках (М., Металлургия, 1988)
- Н.А. Поклонский, Т.М. Лапчук, Н.И. Горбачук. ЖПС, 68 (4), 419 (2001)
- Н.А. Поклонский, Т.М. Лапчук, А.О. Коробко. Тез. докл. Межд. науч. конф. "Актуальные проблемы физики твердого тела", Минск, 4--6 ноября 2003 г. (ИФТТП НАНБ, Минск, 2003) с. 44
- N.A. Sobolev, M.A. Oliveira, V.S. Amaral, A. Neves, M.C. Carmo, W. Wesch, O. Picht, E. Wendler, U. Kaiser, J. Heindrich. Mater. Sci. Eng. B, 126, 148 (2006)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
