Копьев П.С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
13
Максимов М.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
11
Леденцов Н.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
9
Егоров А.Ю.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
8
Жуков А.Е.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
8
Устинов В.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
8
Лебедев А.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
8
Новиков С.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
7
Цацульников А.Ф.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
7
Алферов Ж.И.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
7
Немов С.А.
Санкт-Петербургский государственный технический университет, Санкт-Петербург, Россия
7
Давыдов С.Ю.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
5
Тихонов С.К.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
5
Корсунская Н.Е.
Институт физики полупроводников Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
5
Теруков Е.И.
Физико-технический институт Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
5
Рудь Ю.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
5
Иванов С.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Сорокин С.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Яковлев Ю.П.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Слободчиков С.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Крестников И.Л.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Кудоярова В.Х.
Физико-техничекий институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
4
Берт Н.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Алексеева Г.Т.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Константинов П.П.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Прошин В.И.
Санкт-Петербургский государственный технический университет, Санкт-Петербург, Россия
4
Аверкиев Н.С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Шерняков Ю.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Меркулов А.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Соболев Н.А.
Белорусский государственный университет, Минск, Республика Беларусь
3
Калитеевский М.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Гулямов Г.
Наманганский индустриально-технологический институт, Наманган, Узбекистан
3
Foxon C.T.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Cheng T.S.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Руссу Е.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Салихов Х.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Мередов М.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Язлыева А.И.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Яссиевич И.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Расулов Р.Я.
Ферганский государственный университет, Фергана, Республика Узбекистан
3
Михайлова М.П.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Сахаров А.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Векслер М.И.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Баграев Н.Т.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Маркевич И.В.
Институт физики полупроводников Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
3
Шейнкман М.К.
Институт физики полупроводников Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
3
Рудь В.Ю.
Санкт-Петербургский государственный технический университет, Санкт-Петербург, Россия
3
Голубев В.Г.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Челноков В.Е.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Ременюк А.Д.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Шик А.Я.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Коньков О.И.
Физико-технический институт Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
3
Онопко Д.Е.
Всероссийский научный центр ''ГОИ им. С.И. Вавилова'', Санкт-Петербург, Россия
3
Рыскин А.И.
Всероссийский научный центр ''ГОИ им. С.И. Вавилова'', Санкт-Петербург, Россия
3
Евстропов В.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Хашимов Г.Х.
Ферганский государственный университет, Фергана, Республика Узбекистан
2
Холиддинов Х.
Ферганский государственный университет, Фергана, Республика Узбекистан
2
Лунев А.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Витман Р.Ф.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Бер Б.Я.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Третьяков В.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Онаркулов К.Э.
Ферганский государственный университет, Фергана, Республика Узбекистан
2
Торопов А.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Шубина Т.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Феклисова О.В.
Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов Российской академии наук, Черноголовка, Россия
2
Ярыкин Н.А.
Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов Российской академии наук, Черноголовка, Россия
2
Родина А.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Романов О.В.
Научно-исследовательский институт физики, Петродворец, Россия
2
Курова И.А.
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
2
Шаховцова С.И.
Институт физики Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
2
Мастеров В.Ф.
Санкт-Петербургский государственный технический университет, Санкт-Петербург, Россия
2
Насрединов Ф.С.
Санкт-Петербургский государственный технический университет, Санкт-Петербург, Россия
2
Серегин П.П.
Санкт-Петербургский государственный технический университет, Санкт-Петербург, Россия
2
Захарченя Б.П.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Шек Е.И.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Крещук А.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Савельев И.Г.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Гарнык В.С.
Институт металлургии и материаловедения им. А.А. Байкова Российской академии наук, Москва, Россия
2
Моисеев К.Д.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Шепельский Г.А.
Институт физики полупроводников Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
2
Саидов А.С.
Физико-технический институт НПО ”Физика−Солнце“ Академии наук Республики Узбекистан, Ташкент, Узбекистан
2
Холоднов В.А.
Государственный научный центр НПО ''Орион'', Москва, Россия
2
Данишевский А.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Рогачев А.Ю.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Шмидт Н.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Кавокин А.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Белогорохов А.И.
Государственный институт редких металлов, Москва, Россия
2
Маркевич В.П.
Институт физики твердого тела и полупроводников Академии наук Белоруссии, Минск, Белоруссия
2
Мурин Л.И.
Институт физики твердого тела и полупроводников Академии наук Белоруссии, Минск, Белоруссия
2
Дмитриев С.Г.
Институт радиотехники и электроники Российской академии наук, Фрязино, Россия
2
Данилова Т.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Ершов О.Г.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Именков А.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Шуман В.Б.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Быковский В.А.
Минский научно-исследовательский институт радиоматериалов, Минск, Белоруссия
2
Утенко В.И.
Минский научно-исследовательский институт радиоматериалов, Минск, Белоруссия
2
Шох В.Ф.
Минский научно-исследовательский институт радиоматериалов, Минск, Белоруссия
2
Жмерик В.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Кузнецов В.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Бреслер М.С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Гусев О.Б.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Власенко А.И.
Институт физики полупроводников Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
2
Кашкаров П.К.
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
2
Тимошенко В.Ю.
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
2
Дроздов С.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Кипшидзе Г.Д.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Лебедев В.Б.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Шаронова Л.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Резников Б.И.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Джумаев Б.Р.
Институт физики полупроводников Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
2
Александров О.В.
Воронежский государственный педагогический университет, Воронеж, Россия
2
Саидов М.С.
Ферганский государственный университет, Фергана, Узбекистан Научно-производственное объединение ''Физика солнца'' при Физико-техническом институте Академии наук Узбекистана, Ташкент, Узбекистан
2
Стусь Н.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Зотова Н.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Матвеев Б.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Талалакин Г.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Кадушкин В.И.
Научно-исследовательский технологический институт, Рязань, Россия
2
Шангина Е.Л.
Научно-исследовательский технологический институт, Рязань, Россия
2
Косогов А.О.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Мошегов Н.Т.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2
Торопов А.И.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2
Лейдерман А.Ю.
Научно-производственное объединение ''Физика солнца'', Физико-технический институт Академии наук Узбекистана, Ташкент, Узбекистан
2
Овсюк В.Н.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2
Карумидзе Г.С.
Институт стабильных изотопов им. И.Г.Гвердцители, Тбилиси, Грузия
2
Карпович И.А.
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
2
Рувимов С.С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Комин В.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Кочнев И.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Мальцев А.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Полетаев Н.К.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Стрельчук А.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Грехов И.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Шулекин А.Ф.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Голикова О.А.
Физико-техничекий институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
2
Казанин М.М.
Физико-техничекий институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
2
Сингаевский А.Ф.
Институт физики полупроводников Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
2
Чалдышев В.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Коржуев М.А.
Институт металлургии и материаловедения им. А.А. Байкова Российской академии наук, Москва, Россия
2
Косарев А.И.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Пацекин А.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Покутний С.И.
Украинский государственный морской университет, Николаев, Украина
2
Антонова И.В.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2
Качурин Г.А.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2
Тысченко И.Е.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2
Шаймеев С.С.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2
Глинчук К.Д.
Институт физики полупроводников Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
2
Прохорович А.В.
Институт физики полупроводников Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
2
Гуцуляк Л.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Иванов-Омский В.И.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Цыпишка Д.И.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Растегаева М.Г.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Вейс А.Н.
Санкт-Петербургский государственный технический университет, Санкт-Петербург, Россия
2
Лебедев Э.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Паранчич С.Ю.
Институт физики металлов им. М.Н. Михеева Уральского отделения Российской академии наук, Екатеринбург, Россия
2
Свердлова А.М.
Саратовский национальный исследовательский государственный университет им. Н.Г. Чернышевского, Саратов, Россия
2
Гуриева Е.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Прокофьева Л.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Абайдулина Т.Г.
Санкт-Петербургский государственный технический университет, Санкт-Петербург, Россия
2
Равич Ю.И.
Санкт-Петербургский государственный технический университет, Санкт-Петербург, Россия
2
Трапезникова И.Н.
Физико-технический институт Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
2
Гурошев В.И.
Государственное научно-производственное предприятие ''Исток'', Фрязино, Россия
2
Будагян Б.Г.
Московский институт электронной техники, Москва, Россия
2
Айвазов А.А.
Московский институт электронной техники, Москва, Россия
2
Ильяшенко И.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Строкан Н.Б.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Федоров Д.Л.
Балтийский государственный технический университет, Санкт-Петербург, Россия
2
де Виссер А.
Физический факультет, университет Амстердама, Нидерланды
2
Раренко И.М.
Черновицкий государственный университет, Черновцы, Украина
2
Карпов Ю.А.
Государственный институт редкометаллической промышленности, Москва, Россия
2
Алешкин В.Я.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
2
Полисский Г.
Technical University of Munich, Physics Department E16, Garching, Germany
2
Петрова-Кох В.
Technical University of Munich, Physics Department E16, Garching, Germany
2
Пырков Ю.Н.
Институт общей физики Российской академии наук, Москва, Россия
1
Евлахов Н.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Лашкарев Г.В.
Институт проблем материаловедения Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
1
Чубаров А.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Орлов В.И.
Институт проблем технологии микроэлектроники Российской академии наук, Черноголовка, Россия
1
Дроздова И.А.
Институт физики полупроводников Национальной академии наук, Киев, Украина
1
Шикина Ю.В.
Институт физики твердого тела Российской академии наук, Черноголовка, Московская обл., Россия
1
Офицерова Н.В.
Дагестанский государственный университет, Махачкала, Россия
1
Смирнов Д.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Бершев Н.Е.
Научно-исследовательский институт физики, Петродворец, Россия
1
Селиванов Ю.Г.
Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук, Москва, Россия
1
Мельник Н.Н.
Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук, Москва, Россия
1
Валишева Н.А.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
1
Тупицын В.Е.
Кемеровский государственный университет, Кемерово, Россия
1
Джотян А.П.
Ереванский государственный университет, Ереван, Армения
1
Абрамов А.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Вертий А.А.
Институт радиофизики и электроники Национальной академии наук Украины, Харьков, Украина
1
Игнатьев А.С.
Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук, Москва, Россия
1
Кондаков О.В.
Санкт-Петербургский государственный иниверситет технологии и дизайна, Санкт-Петербург Россия
1
Сайко С.В.
Киевский национальный университет им. Тараса Шевченко, Киев, Украина
1
Степихова М.В.
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
1
Игнатьев К.И.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Кесаманлы Ф.П.
Санкт-Петербургский государственный технический университет, Санкт-Петербург, Россия
1
Донецкий Д.В.
Санкт-Петербургский государственный технический университет, Санкт-Петербург, Россия
1
Сабирзянова Л.Д.
Институт физики металлов им. М.Н. Михеева Уральского отделения Российской академии наук, Екатеринбург, Россия
1
Шерченков А.А.
Московский институт электронной техники, Москва, Россия
1
Караванский В.А.
Институт общей физики Российской академии наук, Москва, Россия
1
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук