Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Статистика
Общее количество статей:
11024
Распределение количества статей по годам:
517
490
469
411
345
329
302
266
295
311
285
292
278
262
263
259
256
277
251
260
244
294
288
284
279
295
305
301
303
316
330
309
287
248
203
135
117
68
Распределение количества просмотров по годам:
1195679
1117850
1077500
959587
823400
788808
721854
642980
765724
931983
921857
857454
856107
853074
832314
865751
887376
912400
804338
847847
794800
1002241
1014492
983393
954683
1028773
1034525
992099
952803
972231
881697
765895
581327
433002
312388
148913
84204
16388
Распределение количества авторов по годам:
1228
1240
1185
1078
885
882
744
715
727
800
756
791
761
773
802
802
826
907
876
892
763
962
1019
1010
968
1085
1151
1063
1156
1166
1310
1097
1124
952
833
548
556
340
Распределение количества организаций по годам:
143
55
131
107
117
125
151
174
159
167
148
175
163
181
187
187
227
154
216
211
211
237
252
286
241
275
269
295
249
323
260
170
109
93
69

Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов. Дата начала обработки информации по просмотрам - 27 января 2016 г.

За 1990 год:
Статья
Просмотров
Энергетическая щель и эффективная масса в твердых растворах FexHg1-xSe
54
Теплопроводность карбида кремния в области температур 300-3000 K
47
Изменение поверхностного потенциала полупроводника при освещении
44
Процессы рекомбинации носителей заряда в CdxHg1-xTe О б з о р
44
Метастабильные центры в низкоомных кристаллах CdTe : Cl n-типа
43
К теории переноса горячих электронов в гетероструктурных транзисторах
41
Новый способ обработки спектров DLTS
41
Пространственный перенос электронов в полевых транзисторах на гетероструктурах с селективным легированием
40
Спонтанное образование и эволюция локальных областей ударной ионизации в идеально однородных p-n-структурах
40
Проявление донорного характера примеси в монокристаллах PbTe : Tl под действием ИК лазерного излучения
40
Неомическая прыжковая проводимость слабо компенсированных полупроводников
39
Именной указатель
39
Резонансная зона в сплаве Pb1-xSnxSe (x=0.07), облученном электронами
39
Получение методом молекулярно-пучковой эпитаксии гетероструктур GaSb/InAs/GaSb с высокой подвижностью двумерных электронов
38
Насыщение фотопроводимости и особенности аннигиляции фотостимулированных дефектов в нелегированных пленках a-Si : H
38
Влияние давления на электрофизические свойства Pb1-xSnxSe (x=0.25), облученного электронами, в диэлектрической фазе
38
Особенности температурной зависимости фотопроводимости слабо легированного бором a-Si : H
38
Бесконтактный СВЧ метод исследования кинетики примесной фотопроводимости в кремнии
38
Теория локальной туннельной генерации носителей в p-n-переходах на основе узкозонных полупроводников
37
Биполяроны и преобразование солнечной энергии
37
Статья
Просмотров
Теплопроводность карбида кремния в области температур 300-3000 K
3316
Редкоземельные элементы в полупроводниках AIIIBV О б з о р
2888
Памяти Анатолия Робертовича Регеля (1915-1989)
2751
Кинетические явления в компенсированном n-InSb при низких температурах (О б з о р)
2706
Фотолюминесценция аморфных пленок a-Si1-xCx : H
2704
Влияние температуры облучения нейтронами на формирование дефектов структуры в кремнии, выращенном методом Чохральского
2674
Биполяроны и преобразование солнечной энергии
2644
Изменение поверхностного потенциала полупроводника при освещении
2635
Низкотемпературные фотолюминесценция и фотопроводимость в нелегированных аморфных полупроводниках
2626
Именной указатель
2615
Процессы рекомбинации носителей заряда в CdxHg1-xTe О б з о р
2592
Туннельный ток через контакт к двумерному электронному газу
2590
Критика и библиография
2562
Колебательные спектры кристаллов CdP2
2561
Скорость рекомбинации неравновесной электронно-дырочной плазмы в лазерных кристаллах CdS
2560
Ионизация примесей бризерами в сверхрешетке
2558
Спонтанное образование и эволюция локальных областей ударной ионизации в идеально однородных p-n-структурах
2557
Фотостимулированная диффузия золота в кремнии при импульсной фотонной обработке
2556
Оценка точности метода определения раздельной концентрации примесей из измерений постоянной Холла
2548
Поперечная фотопроводимость классических композиционных сверхрешеток
2547
Неомическая прыжковая проводимость слабо компенсированных полупроводников
2534
Механизмы снижения эффективности излучательной рекомбинации сильно легированного эпитаксиального p-GeAs : Ge
2522
Температурные и частотные зависимости электропроводности алмазных пленок
2522
Обнаружение нового метастабильного уровня DX-центра в тонких легированных Si слоях AlxGa1-xAs
2519
Влияние технологии приготовления пленок a-Si : H на излучательную рекомбинацию
2511
Влияние температуры на столкновительное уширение уровней Ландау
2509
Проводимость полупроводниковой сверхрешетки в магнитном поле, перпендикулярном ее оси
2506
Изучение комплексов бора и кислорода с литием в компенсированном кремнии
2502
Фотоэмиссия горячих электронов из диодов Шоттки p-InGaAs-Ag
2501
Циклотронный резонанс дырок германия с отрицательными массами при H-16pt||[001]
2497
К теории пограничных состояний в гетеропереходах
2494
Фотомагнитный эффект в системе n-AlxGa1-xAs/GaAs с 2D-электронами
2494
Распределение заряда и формирование глубоких уровней в полупроводниках по данным самосогласованного метода функций Грина: дефекты в кремнии и германии
2490
(In, Ga, Al)As ДГС РО лазеры на длину волны 1.1 мкм с (In, Ga)As напряженной квантовой ямой, ограниченной короткопериодной сверхрешеткой
2489
Влияние условий электронного облучения на скорость образования A-центров в n-кремнии
2487
Распределение атомов кремния по пороговой энергии смещения и его зависимость от температуры
2484
Фотопроводимость p-MnxHg1-xTe в магнитном поле
2481
Фотолюминесценция квантовых слоев InxGa1-xAs, выращенных на плоскостях (100) и (111)A арсенида галлия
2470
Фотолюминесценция и фото-ЭПР высокочистого селенида цинка, облученного электронами
2469
Пограничные состояния электронного типа в инверсных гетероструктурах
2466
Крупномасштабные электрически активные примесные скопления в кристаллах кремния, выращенных методом Чохральского
2465
Влияние Yb на остаточные донорные и акцепторные примеси в GaP
2463
Дрейфовая неустойчивость, вызываемая перезарядкой центров на поверхности монополярного полупроводника
2463
Влияние силовых полей на образование радиационных дефектов в кремнии при электронном облучении структур SiO2-Si
2459
Особенности поведения изовалентной примеси --- индия при легировании арсенида галлия в процессе газофазовой эпитаксии из металлоорганических соединений
2456
Пространственное распределение носителей заряда в условиях контактной эксклюзии
2456
Связь желтой электролюминесценции в 6H-SiC с глубокими центрами
2454
Эмиссионные характеристики полупроводниковых гетероструктур с барьером Шоттки InGaAs-InP-Ag
2450
Вольт-амперные характеристики тонких пленок Pb1-xSnxTe<In> при различных уровнях фоновых засветок
2450
Низкотемпературное облучение арсенида галлия
2444
Автор
Организация
Статей
Малютенко В.К.
9
Ломако В.М.
9
Копьев П.С.
7
Иванов-Омский В.И.
7
Леденцов Н.Н.
6
Грибников З.С.
6
Шаховцов В.И.
6
Иванов С.В.
5
Мельцер Б.Я.
5
Баранов А.Н.
5
Яковлев Ю.П.
5
Кадушкин В.И.
5
Кольченко Т.И.
5
Шик А.Я.
5
Ломасов В.Н.
5
Гельмонт Б.Л.
4
Алфёров Ж.И.
4
Хируненко Л.И.
4
Скипетров Е.П.
4
Немов С.А.
4
Казанский А.Г.
4
Капустин Ю.А.
4
Кернер Б.С.
4
Осипов В.В.
4
Пека Г.П.
4
Райчев О.Э.
4
Левинштейн М.Е.
4
Румянцев С.Л.
4
Чалдышев В.В.
4
Шмарцев Ю.В.
4
4
Конников С.Г.
4
Сеничкин А.П.
4
Георгицэ Е.И.
4
Берман Л.С.
4
Ткаченко В.Н.
4
Новиков С.В.
4
Крещук А.М.
4
Зебрев Г.И.
3
Яшник В.И.
3
Савельев И.Г.
3
Васько Ф.Т.
3
Герасименко Н.Н.
3
Хасиева Р.В.
3
Ковалюк З.Д.
3
Стельмах В.Ф.
3
Дьяконова Н.В.
3
Устинов В.М.
3
Клячкин Л.Е.
3
Суханов В.Л.
3
Рыжий В.И.
3
Толстихин В.И.
3
Житинская М.К.
3
Журавлев К.С.
3
Якушева Н.А.
3
Васильев В.А.
3
Пипа В.И.
3
Лашкарев Г.В.
3
Колокольников Б.М.
3
Андреев В.М.
3
Львова Т.В.
3
Шпинар Л.И.
3
Ясковец И.И.
3
Болгов С.С.
3
Савченко А.П.
3
Руссу Е.В.
3
Курова И.А.
3
Владимиров В.В.
3
Коллюх А.Г.
3
Беляев А.Е.
3
Медведев Б.К.
3
Архипов В.И.
3
Иванюкович В.А.
3
Карась В.И.
3
Ладыгин Е.А.
3
Дмитриев А.Г.
3
Ильичев Э.А.
3
Быковский В.А.
3
Царенков Б.В.
3
Гершензон Е.М.
3
Погорлецкий В.М.
3
Смирнов В.А.
3
Алешкин В.Я.
3
Гореленок А.Т.
3
Шмидт Н.М.
3
Витовский Н.А.
3
Крючков С.В.
3
Воробьева В.В.
3
Луценко М.Э.
2
Булах Б.М.
2
Кулиш Н.Р.
2
Лисица М.П.
2
Малыш Н.И.
2
Шапошников С.В.
2
Барышев Н.С.
2
Ибрагимова М.И.
2
Гольдман Е.И.
2
Ждан А.Г.
2
Афанасьева Н.П.
2
Цидильковский И.М.
2
Волков А.С.
2
Теруков Е.И.
2
Козловский С.И.
2
Абдукадыров А.Г.
2
Ивченко Е.Л.
2
Ашкинадзе Б.М.
2
Бельков В.В.
2
Красинская А.Г.
2
Олейник С.П.
2
Матына Л.И.
2
Варламов И.В.
2
Липшиц Т.Л.
2
Инкин В.Н.
2
Крылов Д.Г.
2
Берковиц В.Л.
2
Джуртанов Б.Е.
2
Лагунова Т.С.
2
Сиповская М.А.
2
Добровольский В.Н.
2
Фистуль В.И.
2
Сыродоев Г.А.
2
Покровский Я.Е.
2
Кюрегян А.С.
2
Голикова О.А.
2
Казанин М.М.
2
Емцев В.В.
2
Клингер П.М.
2
Гафийчук В.В.
2
Дацко Б.И.
2
Жиляев Ю.В.
2
Криволапчук В.В.
2
Машкевич О.Л.
2
Шейнкман М.К.
2
Стрельчук А.М.
2
Прошин В.И.
2
Лазоренко В.И.
2
Аветисян С.К.
2
Минасян Г.Р.
2
Захаренков Л.Ф.
2
Мусатов А.Л.
2
Филиппов С.Л.
2
Штельмах К.Ф.
2
Терлецкий И.А.
2
Романов В.В.
2
Пихтин А.Н.
2
Сурис Р.А.
2
Лагвилава Т.А.
2
Лютович К.Л.
2
Юнович А.Э.
2
Глинчук К.Д.
2
Свешников А.А.
2
Гуревич Ю.Г.
2
Смоляр А.Н.
2
Хвостиков В.П.
2
Решина И.И.
2
Кикоин К.А.
2
Гольдберг Ю.А.
2
Трошков С.И.
2
Лубышев Д.И.
2
Мигаль В.П.
2
Семягин Б.Р.
2
Акопян А.А.
2
Козуб В.И.
2
Львин В.Э.
2
Гольдфарб М.В.
2
Молоцкий М.И.
2
Цэндин К.Д.
2
Викулин И.М.
2
Мороз С.Е.
2
Корольков В.И.
2
Соболев М.М.
2
Кисин М.В.
2
Звягин И.П.
2
Мелешко Н.В.
2
Ормонт Н.Н.
2
Каплан Б.И.
2
Зуев В.В.
2
Цыпленков И.Н.
2
Фукс Б.И.
2
Дашевский З.М.
2
Руленко М.П.
2
Велиюлин Э.И.
2
Шикина Н.И.
2
Шикин В.Б.
2
Джаманбалин К.К.
2
Поссе Е.А.
2
Заячук Д.М.
2
Литвак-Горская Л.Б.
2
Шастин В.Н.
2
Вейс А.Н.
2
Мастеров В.Ф.
2
Пиотровский Т.
2
Мокина И.А.
2
Рудь Ю.В.
2
Дмитриев А.П.
2
Талипов Ф.М.
2
Шубников М.Л.
2
Гицу Д.В.
2
Вывенко О.Ф.
2
Бирюлин Ю.Ф.
2

Учредители

Издатель

© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme