Теруков Е.И.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
13
Устинов В.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
13
Рудь В.Ю.
Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия
10
Рудь Ю.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
10
Яковлев Ю.П.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
10
Николаев Ю.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
9
Леденцов Н.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
9
Вайполин А.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
6
Цырлин Г.Э.
Институт аналитического приборостроения Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
6
Жуков А.Е.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
6
Васильев А.П.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
6
Ковш А.Р.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
6
Михрин С.С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
6
Алфёров Ж.И.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
6
Михайлова М.П.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
5
Мокеров В.Г.
Институт СВЧ полупроводниковой электроники Российской академии наук, Москва, Россия
5
Fernelius N.
Air Force Wright Lab., Wright Patterson AFB, OH, USA
5
Антонова И.В.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
5
Попов В.П.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
5
Копьев П.С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
5
Серегин П.П.
Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия
5
Тарасов И.С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
5
Брудный В.Н.
Сибирский физико-технический институт им. акад. В.Д. Кузнецова Томского государственного университета, Томск, Россия
4
Астахова А.П.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Мусихин Ю.Г.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Камилов И.К.
Институт физики Дагестанского научного центра Российской академии наук, Махачкала, Россия
4
Моисеев К.Д.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Иванов-Омский В.И.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Клевков Ю.В.
Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук, Москва, Россия
4
Полушина И.К.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Наумова О.В.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
4
Цацульников А.Ф.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Иванов С.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Никифоров А.И.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
4
Кожанова Ю.В.
Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия
4
Серегин Н.П.
Институт аналитического приборостроения Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
4
Кудоярова В.Х.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Егоров В.А.
Институт аналитического приборостроения Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Малеев Н.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Крыжановская Н.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Гладышев А.Г.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Шерняков Ю.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Максимов М.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Именков А.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Шамахов В.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Ковалюк З.Д.
Институт проблем материаловедения им. И.Н. Францевича Национальной академии наук Украины, Черновицкое отделение, Черновцы, Украина
3
Гриняев С.Н.
Сибирский физико-технический институт им. акад. В.Д. Кузнецова Томского государственного университета, Томск, Россия
3
Лебедев А.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Галиев Г.Б.
Институт радиотехники и электроники Российской академии наук, Москва, Россия
3
Кульбачинский В.А.
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
3
Александрова Е.Л.
Институт высокомолекулярных соединений Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
3
Гойхман М.Я.
Институт высокомолекулярных соединений Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
3
Кудрявцев В.В.
Институт высокомолекулярных соединений Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
3
Саморуков Б.Е.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Казанский А.Г.
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
3
Форш П.А.
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
3
Литвин П.М.
Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
3
Ястребов С.Г.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Стрельчук А.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Боднарь И.В.
Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники, Минск, Беларусь
3
Валах М.Я.
Институт физики полупроводников Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
3
Шубина Т.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Соболев Н.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Немов С.А.
Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия
3
Косяченко Л.А.
Черновицкий национальный университет, Черновцы, Украина
3
Маслянчук Е.Л.
Черновицкий национальный университет, Черновцы, Украина
3
Склярчук В.М.
Черновицкий национальный университет, Черновцы, Украина
3
Тонких А.А.
Институт аналитического приборостроения Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Поляков Н.К.
Институт аналитического приборостроения Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Самсоненко Ю.Б.
Институт аналитического приборостроения Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Семенова Е.С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Винокуров Д.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Пихтин Н.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Пешев В.В.
Национальный исследовательский Томский политехнический университет, Томск, Россия
2
Нетяга В.В.
Институт проблем материаловедения им. И.Н. Францевича Национальной академии наук Украины, Черновицкое отделение, Черновцы, Украина
2
Грушка О.Г.
Черновицкий национальный университет им. Ю. Федьковича, Черновцы, Украина
2
Мартовицкий В.П.
Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук, Москва, Россия
2
Грузинцев А.Н.
Институт проблем технологии микроэлектроники Российской академии наук, Черноголовка, Россия
2
Волков В.Т.
Институт проблем технологии микроэлектроники Российской академии наук, Черноголовка, Россия
2
Якимов Е.Е.
Институт проблем технологии микроэлектроники Российской академии наук, Черноголовка, Россия
2
Зегря Г.Г.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Хабаров Ю.В.
Институт радиотехники и электроники Российской академии наук, Москва, Россия
2
Бирюлин Ю.Ф.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Згонник В.Н.
Институт высокомолекулярных соединений Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
2
Меленевская Е.Ю.
Институт высокомолекулярных соединений Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
2
Миков С.Н.
Ульяновский государственный университет, Ульяновск, Россия
2
Орлов С.Е.
Ульяновский государственный университет, Ульяновск, Россия
2
Петриков В.Д.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Сыкманов Д.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Андронов А.А.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
2
Астрова Е.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Ременюк А.Д.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Матвеева Л.А.
Институт физики полупроводников Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
2
Оберемок А.С.
Институт физики полупроводников Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
2
Склярчук Е.Ф.
Черновицкий национальный университет, Черновцы, Украина
2
Савкина Н.С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Зайцев В.В.
Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук, Москва, Россия
2
Колин Н.Г.
Филиал ГНЦ РФ "Научно-исследовательский физико-химический институт им. Л.Я. Карпова", Обнинск, Россия
2
Смагулова С.А.
Якутский государственный университет, Якутск, Россия
2
Караваев Г.Ф.
Сибирский физико-технический институт им. акад. В.Д. Кузнецова Томского государственного университета, Томск, Россия
2
Чернышов В.Н.
Сибирский физико-технический институт им. акад. В.Д. Кузнецова Томского государственного университета, Томск, Россия
2
Кузнецов А.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Беляев А.П.
Санкт-Петербургский государственный технологический институт (Технический университет), Санкт-Петербург, Россия
2
Рубец В.П.
Санкт-Петербургский государственный технологический институт (Технический университет), Санкт-Петербург, Россия
2
Нуждин М.Ю.
Санкт-Петербургский государственный технологический институт (Технический университет), Санкт-Петербург, Россия
2
Каминский В.Э.
Институт радиотехники и электроники Российской академии наук, Москва, Россия
2
Лунин Р.А.
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
2
Звонков Б.Н.
Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
2
Файзрахманов И.А.
Казанский физико-технический институт Казанского научного центра Российской академии наук, Казань, Россия
2
Базаров В.В.
Казанский физико-технический институт Казанского научного центра Российской академии наук, Казань, Россия
2
Степанов А.Л.
Институт физики 1, Технический университет Аахена, Аахен, Германия
2
Хайбуллин И.Б.
Казанский физико-технический институт Казанского научного центра Российской академии наук, Казань, Россия
2
Курова И.А.
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова (физический факультет), Москва, Россия
2
Ормонт Н.Н.
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова (физический факультет), Москва, Россия
2
Громадин А.Л.
Гиредмет, Москва, Россия
2
Соловьев В.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Сорокин С.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Соболев В.В.
Удмуртский государственный университет, Ижевск, Россия
2
Мелл Х.
Philipps-Universitat Marburg, Fachbereich Physik, Marburg, Germany
2
Сморгонская Э.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Бабаев А.А.
Институт физики Дагестанского научного центра Российской академии наук, Махачкала, Россия
2
Вагабова З.В.
Институт физики Дагестанского научного центра Российской академии наук, Махачкала, Россия
2
Султанов С.М.
Институт физики Дагестанского научного центра Российской академии наук, Махачкала, Россия
2
Асхабов А.М.
Институт физики Дагестанского научного центра Российской академии наук, Махачкала, Россия
2
Трапезникова И.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Шаманин В.В.
Институт высокомолекулярных соединений Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
2
Подешво И.В.
Институт высокомолекулярных соединений Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
2
Макаров А.Г.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Гуткин А.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Степанова Т.Р.
Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия
2
Волков В.П.
Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия
2
Штельмах К.Ф.
Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия
2
Дунаевский М.С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Слободчиков С.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Салихов Х.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Константинов О.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Зотова Н.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Воронина Т.И.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Лагунова Т.С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Колчанова Н.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Стоянов Н.Д.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Улин В.П.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Бланк Т.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Гольдберг Ю.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Назыров Д.Э.
Национальный университет Узбекистана (НУУз), Ташкент, Узбекистан
2
Полетаев Н.К.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Борисенко С.И.
Сибирский физико-технический институт им. акад. В.Д. Кузнецова Томского государственного университета, Томск, Россия
2
Емельянов А.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Красильник З.Ф.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
2
Конакова Р.В.
Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
2
Литвин О.С.
Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
2
Миленин В.В.
Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
2
Венгер Е.Ф.
Институт физики полупроводников Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
2
Абрамов И.И.
Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники, Минск, Беларусь
2
Игнатенко С.А.
Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники, Минск, Беларусь
2
Новик Е.Г.
Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники, Минск, Беларусь
2
Аверкиев Н.С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Федоров Ю.В.
Институт СВЧ полупроводниковой электроники Российской академии наук, Москва, Россия
2
Калинина Е.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Давыдов Д.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Новиков И.И.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Гордеев Н.Ю.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Бимберг Д.
Institut fur Festkorperphysik, Technische Universitat Berlin, Berlin, Germany
2
Ушаков В.В.
Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук, Москва, Россия
2
Кидалов В.В.
Бердянский государственный педагогический университет, Бердянск, Украина
2
Сукач Г.А.
Институт физики полупроводников Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
2
Потапенко Е.П.
Институт физики полупроводников Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
2
Николаев Д.В.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2
Володин В.А.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2
Гацкевич Е.И.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2
Ефремов М.Д.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2
Ивлев Г.Д.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2
Орехов Д.А.
Новосибирский государственный университет, Новосибирск, Россия
2
Журавлев К.С.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2
Стрельчук В.В.
Институт физики полупроводников Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
2
Вуйчик Н.В.
Институт физики полупроводников Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
2
Торопов А.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Тетельбаум Д.И.
Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
2
Михайлов А.Н.
Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
2
Якимов А.И.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2
Двуреченский А.В.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2
Слипченко С.О.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Александров О.В.
Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
2
Раренко И.М.
Черновицкий национальный университет, Черновцы, Украина
2
Андреев Б.А.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
2
Голубев В.Г.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Медведев А.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Певцов А.Б.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Селькин А.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Werner P.
Max Planck Institute of Microstructure Physics, Halle Weinberg 2, Halle, Germany
2
Никитина Е.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Гребенщикова Е.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Журтанов Б.Е.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Данилова Т.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Капитонов В.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Лешко А.Ю.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Лютецкий А.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Фетисова Н.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Козлов В.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Рожков А.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук