Челноков В.Е.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
14
Лебедев А.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
13
Рудь Ю.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
12
Аникин М.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
9
Сыркин А.Л.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
9
Рудь В.Ю.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
9
Стрельчук А.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
7
Леденцов Н.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
6
Теруков Е.И.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
6
Иванов П.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
5
Андреев А.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
5
Устинов В.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
5
Максимов М.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
5
Копьев П.С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
5
Полетаев Н.К.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
5
Мокеров В.Г.
Институт радиотехники и электроники Российской академии наук,, Москва, Россия
5
Голикова О.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
5
Боднарь И.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
5
Игнатьев А.С.
Институт кристаллографии РАН, Москва, Россия
4
Немцев Г.З.
Институт кристаллографии РАН, Москва, Россия
4
Егоров А.Ю.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Жуков А.Е.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Малютенко В.К.
Институт полупроводников НАН Украины, Киев, Украина
4
Немов С.А.
Санкт-Петербургский государственный технический университет,, Санкт-Петербург, Россия
4
Трапезникова И.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Назаров Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Грибников З.С.
Институт физики полупроводников Академии наук Украины,, Киев, Украина
4
Новиков С.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Савельев И.Г.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Кузнецов Н.И.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Слободчиков С.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Ковалевская Г.Г.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Куценко А.Б.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Карачевцева М.В.
Институт радиотехники и электроники Российской академии наук,, Фрязино, Россия
3
Страхов В.А.
Институт радиотехники и электроники Российской академии наук,, Фрязино, Россия
3
Яременко Н.Г.
Институт радиотехники и электроники Российской академии наук,, Фрязино, Россия
3
Алиев К.М.
Институт физики им. Х.И. Амирханова Дагестанского научного центра РАН, Махачкала, Россия
3
Баширов Р.И.
Институт физики им. Х.И. Амирханова Дагестанского научного центра РАН, Махачкала, Россия
3
Табатадзе И.Г.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Казанин М.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Равич Ю.И.
Санкт-Петербургский государственный технический университет,, Санкт-Петербург, Россия
3
Хакимов З.М.
Институт общей и неорганической химии им. Н.С. Курнакова Российской академии наук, Москва, Россия
3
Мухтаров А.П.
Институт общей и неорганической химии им. Н.С. Курнакова Российской академии наук, Москва, Россия
3
Савкина Н.С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Резников Б.И.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Царенков Г.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Жиляев Ю.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Федоров Л.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Коршак А.Н.
Институт физики полупроводников Академии наук Украины,, Киев, Украина
3
Принц В.Я.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
3
Соболев Н.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Шек Е.И.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Баграев Н.Т.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Попов А.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Чукичев М.В.
Молдавский государственный университет,, Кишинев, Молдова
3
Резванов Р.Р.
Молдавский государственный университет,, Кишинев, Молдова
3
Юсупов А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Быстров С.Д.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Туан Ле
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Крещук А.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Салихов X.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Белов С.В.
Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе Российской академии наук,, Санкт-Петербург, Россия Центральный научно-исследовательский институт "Электрон"
2
Астрова Е.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Ременюк А.Д.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Коршунов Ф.П.
Институт физики твердого тела и полупроводников Академии наук Беларуси,, Минск, Беларусь
2
Ободников В.И.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2
Гуревич Ю.Г.
Институт радиофизики и электроники Академии наук Украины,, Харьков, Украина
2
Стафеев В.И.
Институт проблем сенсорики Академии технологических наук,, Москва, Россия
2
Симашкевич А.А.
Институт прикладной физики АН Молдовы, Кишинев, Молдова
2
Шутов С.Д.
Институт прикладной физики АН Молдовы, Кишинев, Молдова
2
Калинушкин В.П.
Институт общей физики Российской академии наук,, Москва, Россия
2
Мурин Д.И.
Институт общей физики Российской академии наук,, Москва, Россия
2
Добровольский В.Н.
Киевский национальный университет им. Тараса Шевченко, Киев, Украина
2
Варданян Б.Р.
Институт физики полупроводников Академии наук Украины,, Киев, Украина Московский государственный университет, Москва, Россия
2
Юнович А.Э.
Институт физики полупроводников Академии наук Украины,, Киев, Украина Московский государственный университет, Москва, Россия
2
Гулямов Г.
Наманганский индустриально-технологический институт,, Наманган, Узбекистан
2
Гурьянов Г.М.
Институт аналитического приборостроения Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
2
Цырлин Г.Э.
Институт аналитического приборостроения Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
2
Петров В.Н.
Институт аналитического приборостроения Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
2
Самсоненко Ю.Б.
Институт аналитического приборостроения Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
2
Голубок А.О.
Институт аналитического приборостроения Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
2
Типисев С.Я.
Институт аналитического приборостроения Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
2
Голант Е.И.
Государственное научно-производственное предприятие ''Исток'', Фрязино, Россия
2
Пашковский А.Б.
Государственное научно-производственное предприятие ''Исток'', Фрязино, Россия
2
Евстропов В.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Иванов С.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Мельцер Б.Я.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Курова И.А.
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
2
Лупачева А.Н.
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
2
Мелешко Н.В.
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
2
Константинов А.О.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Ильинский А.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Мельников М.Б.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Пышная Н.Б.
Институт прикладной физики АН Молдовы, Кишинев, Молдова
2
Тигиняну И.М.
Институт прикладной физики АН Молдовы, Кишинев, Молдова
2
Домашевская Э.П.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Терехов В.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Константинов О.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Меркулов И.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Российской академии наук,, Санкт-Петербург, Россия
2
Родина А.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Российской академии наук,, Санкт-Петербург, Россия
2
Энтин М.В.
Новосибирский государственный технический университет, Новосибирск, Россия
2
Мавлянов Х.Ю.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Гаджиалиев М.М.
Институт физики им. Х.И. Амирханова Дагестанского научного центра РАН, Махачкала, Россия
2
Караваев Г.Ф.
Сибирский физико-технический институт им. акад. В.Д. Кузнецова Томского государственного университета, Томск, Россия
2
Коньков О.И.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Мальханов С.Е.
Технический университет,, Санкт-Петербург, Россия
2
Попов В.В.
Институт радиотехники и электроники Российской академии наук,, Саратов, Россия
2
Оконечников А.П.
Уральский политехнический институт им. С.М.Кирова, Екатеринбург, Россия
2
Мельник Н.Н.
Уральский политехнический институт им. С.М.Кирова, Екатеринбург, Россия
2
Акопян А.А.
Институт физики полупроводников Академии наук Украины,, Киев, Украина
2
Берман Л.С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Каримов И.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Беляев А.Е.
Институт физики полупроводников Академии наук Украины,, Киев, Украина
2
Явич Б.С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Шелушинина Н.Г.
Институт физики металлов им. М.Н. Михеева Уральского отделения Российской академии наук, Екатеринбург, Россия
2
Гуревич С.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Кочнев И.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Усиков А.С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Скипетров Е.П.
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
2
Осадчий В.М.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2
Дощанов К.М.
Физико-технический институт НПО ”Физика−Солнце“ Академии наук Республики Узбекистан, Ташкент, Узбекистан
2
Назарова Л.Д.
Московский энергетический институт,, Москва, Россия
2
Левин А.А.
Институт общей и неорганической химии им. Н.С. Курнакова Российской академии наук, Москва, Россия
2
Хохлов А.Ф.
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
2
Павлов Д.А.
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
2
Растегаева М.Г.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Архипов В.И.
Московский инженерно-физический институт,, Москва, Россия
2
Данишевский А.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Левченко В.И.
Институт физики твердого тела и полупроводников Академии наук Беларуси,, Минск, Беларусь
2
Постнова Л.И.
Институт физики твердого тела и полупроводников Академии наук Беларуси,, Минск, Беларусь
2
Дикарева В.В.
Институт физики твердого тела и полупроводников Академии наук Беларуси,, Минск, Беларусь
2
Врубель М.М.
Белорусский государственный университет,, Минск, Беларусь
2
Богданов Е.В.
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
2
Ломако В.М.
Научно-исследовательский институт прикладных физических проблем им. А.Н. Севченко,, Минск, Беларусь
2
Журавлев К.С.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2
Ждан А.Г.
Институт радиотехники и электроники Российской академии наук,, Фрязино, Россия
2
Яковлев Ю.П.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Дубровский Ю.В.
Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов Российской академии наук, Черноголовка, Россия
2
Емцев В.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Полоскин Д.С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Колчанова Н.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Катеринчук В.Н.
Институт проблем материаловедения им. И.Н. Францевича Национальной академии наук Украины, Черновицкое отделение, Черновцы, Украина
2
Огородник А.Д.
Институт проблем материаловедения им. И.Н. Францевича Национальной академии наук Украины, Черновицкое отделение, Черновцы, Украина
2
Булдыгин А.Ф.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2
Ремесник В.Г.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2
Вывенко О.Ф.
Научно-исследовательский институт физики при Санкт-Петербургском государственном университете,, Санкт-Петербург, Россия
2
Вавилов В.С.
Молдавский государственный университет,, Кишинев, Молдова
2
Лигачев В.А.
Московский энергетический институт (Технический университет), Москва, Россия
2
Феклисова О.В.
Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов Российской академии наук, Черноголовка, Россия
2
Ярыкин Н.А.
Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов Российской академии наук, Черноголовка, Россия
2
Шик А.Я.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Тарасик М.И.
Белорусский государственный университет,, Минск, Беларусь
1
Горелкинский Ю.В.
Физико-технический институт Академии наук Казахстана,, Алмааты, Казахстан
1
Бенекинг К.
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
1
Логвинов Г.Н.
Тернопольский государственный педагогический институт им. Я. О. Галана,, Тернополь, Украина
1
Пляцко С.В.
Институт полупроводников НАН Украины, Киев, Украина
1
Руссу E.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Ульяшин А.Г.
Белорусская государственная политехническая академия,, Минск, Беларусь
1
Бородицкий М.Л.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Ильинская Н.Д.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Соколовский Б.С.
Львовский национальный университет им. Ивана Франко, Львов, Украина
1
Лантратов В.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Львова Т.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Комаров Б.А.
Институт физики твердого тела и полупроводников Академии наук Беларуси,, Минск, Беларусь
1
Степанов М.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Петрусенко В.Н.
Киевский национальный университет им. Тараса Шевченко, Киев, Украина
1
Копылов В.Б.
Институт радиотехники и электроники Российской академии наук,, Москва, Россия
1
Фурсенко Т.А.
Научно-исследовательский институт ''Электрон'',, Санкт-Петербург, Россия
1
Казанский А.Г.
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
1
Жерздев А.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Сулаймонов Н.Т.
Институт ядерной физики АН Республики Узбекистан, Улугбек, Ташкент, Узбекистан
1
Пулатова Д.С.
Институт ядерной физики АН Республики Узбекистан, Улугбек, Ташкент, Узбекистан
1
Салихов Х.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Пантелеев В.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Любченко А.В.
Институт физики полупроводников Академии наук Украины,, Киев, Украина
1
Моисеев А.Г.
Новосибирский государственный технический университет, Новосибирск, Россия
1
Подливаев А.И.
Московский инженерно-физический институт,, Москва, Россия
1
Имамов Р.М.
Институт кристаллографии РАН, Москва, Россия
1
Гавалешко Н.П.
Институт физики металлов им. М.Н. Михеева Уральского отделения Российской академии наук, Екатеринбург, Россия
1
Шамуратов Х.А.
Физико-технический институт НПО ”Физика−Солнце“ Академии наук Республики Узбекистан, Ташкент, Узбекистан
1
Минтаиров А.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Мазуренко Д.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Объедков Е.В.
Институт ядерной физики Академии наук Узбекистана,, Улукбек, Узбекистан
1
Травников В.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Трошков С.И.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Гусаков Г.А.
Белорусский государственный университет,, Минск, Беларусь
1
Опря С.В.
Молдавский государственный университет,, Кишинев, Молдова
1
Болдырев С.Н.
Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов Российской академии наук, Черноголовка, Россия
1
Мордкович В.Н.
Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов Российской академии наук, Черноголовка, Россия
1
Огенко В.М.
Институт химии поверхности Академии наук Украины,, Киев, Украина
1
Сарсембинов Ш.Ш.
Ярославский государственный университет,, Ярославль, Россия
1
Ашмонтас С.
(Институт физики полупроводников Академии наук Литвы,, Вильнюс, Литва)
1
Градаускас И.
(Институт физики полупроводников Академии наук Литвы,, Вильнюс, Литва)
1
Джуртанов Б.Е.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Пустовит А.Н.
Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов Российской академии наук, Черноголовка, Россия
1
Ларкин И.А.
Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов Российской академии наук, Черноголовка, Россия
1
Богданюк Н.С.
Волынский государственный университет им. Леси Украинки,, Луцк, Украина
1
Тагирджанов М.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Тарбаев Н.И.
Институт физики полупроводников Академии наук Украины,, Киев, Украина
1
Биленко Д.И.
Научно-исследовательский институт механики и физики при Саратовском государственном университете им. Н.Г.Чернышевского,, Саратов, Россия
1
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук