Подоскин А.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
6
Слипченко С.О.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
6
Шушканов И.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
5
Пихтин Н.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
5
Багаев Т.А.
"НИИ "Полюс" им. М.Ф. Стельмаха", Москва, Россия
4
Ладугин М.А.
"НИИ "Полюс" им. М.Ф. Стельмаха", Москва, Россия
4
Мармалюк А.А.
"НИИ "Полюс" им. М.Ф. Стельмаха", Москва, Россия
4
Калюжный Н.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Сахаров А.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Цацульников А.Ф.
НТЦ микроэлектроники Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
4
Симаков В.А.
Акционерное общество "Научно-исследовательский институт "Полюс" им. М.Ф. Стельмаха", Москва, Россия
3
Аргунов Е.В.
Национальный исследовательский технологический университет "МИСиС", Москва, Россия
3
Ховайло В.В.
Национальный исследовательский технологический университет "МИСиС", Москва, Россия
3
Новиков И.И.
Университет ИТМО, Санкт-Петербург, Россия
3
Карачинский Л.Я.
Университет ИТМО, Санкт-Петербург, Россия
3
Минтаиров С.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Надточий А.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Бабичев А.В.
Университет ИТМО, Санкт-Петербург, Россия
3
Голяшов В.А.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
3
Крючков В.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Чернышова Е.В.
Национальный исследовательский технологический университет "МИСиС", Москва, Россия
2
Светогоров В.Н.
Акционерное общество "Научно-исследовательский институт "Полюс" им. М.Ф. Стельмаха", Москва, Россия
2
Хабибуллин Р.А.
Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук, Москва, Россия
Московский физико-технический институт (Государственный университет), Долгопрудный, Московская обл., Россия
2
Жукавин Р.Х.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, д. Афонино, Кстовский р-н, Нижегородская обл., Россия
2
Кочаровская Е.Р.
Федеральный исследовательский центр Институт прикладной физики Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
2
Кочаровский Вл.В.
Федеральный исследовательский центр Институт прикладной физики Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
2
Родякина Е.Е.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Новосибирский государственный университет, Новосибирск, Россия
2
Новиков А.В.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
2
Кулагина М.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Крыжановская Н.В.
Национальный исследовательский университет "Высшая школа экономики", Санкт-Петербург, Россия
2
Юсупова Ш.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Векслер М.И.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Журавлев К.С.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2
Коваленко Ю.Е.
Институт физики металлов им. М.Н. Михеева Уральского отделения Российской академии наук, Екатеринбург, Россия
2
Терещенко О.Е.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Центр коллективного пользования "Сибирский кольцевой источник фотонов" Федерального государственного бюджетного учреждения науки "Федеральный исследовательский центр "Институт катализа им. Г.К. Борескова Сибирского отделения Российской академии наук", р. п. Кольцово, Россия
2
Кузнецова Т.В.
Уральский федеральный университет им. первого Президента России Б.Н. Ельцина, Екатеринбург, Россия
Институт физики металлов им. М.Н. Михеева Уральского отделения Российской академии наук, Екатеринбург, Россия
2
Еремин И.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Фадеева Н.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Еремин В.К.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Дворецкий С.А.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2
Михайлов Н.Н.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2
Лебедев Д.В.
Институт аналитического приборостроения Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет имени Ж.И. Алфёрова Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
2
Мухин И.С.
Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия
Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет имени Ж.И. Алфёрова Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
2
Бессолов В.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Коненкова Е.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Соломникова А.В.
Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
2
Козловский В.В.
Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия
2
Неведомский В.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Егоров А.Ю.
ООО "Коннектор Оптикс", Санкт-Петербург, Россия
2
Якушев М.В.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2
Николаев В.И.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Баранов А.И.
Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет имени Ж.И. Алфёрова Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
2
Малевский Д.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Karczewski G.
Institute of Physics PAN, Polish Academy of Sciences, Warsaw, PL-02-668 Poland
2
Николаев А.Е.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Заварин Е.Е.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Лундин В.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Пономарев С.А.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Новосибирский государственный университет, Новосибирск, Россия
2
Рогило Д.И.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Новосибирский государственный университет, Новосибирск, Россия
2
Кох К.А.
Институт геологии и минералогии им. В.С. Соболева СО РАН, Новосибирск, Россия
2
Щеглов Д.В.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2
Латышев А.В.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Новосибирский государственный университет, Новосибирск, Россия
2
Дунаевский М.С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Университет ИТМО (физико-технический мегафакультет), Санкт-Петербург, Россия
2
Смирнов А.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Лебедев М.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Львова Т.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Седова И.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Королева А.В.
Санкт-Петербургский государственный университет, Санкт-Петербург, Россия
2
Жижин Е.В.
Санкт-Петербургский государственный университет, Санкт-Петербург, Россия
2
Лебедев С.В.
Санкт-Петербургский государственный университет, Санкт-Петербург, Россия
2
Давидович М.В.
Саратовский национальный исследовательский государственный университет им. Н.Г. Чернышевского, Саратов, Россия
2
Фефелов С.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Казакова Л.П.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Санкт-Петербургский государственный лесотехнический университет им. С.М. Кирова, Санкт-Петербург, Россия
2
Богословский Н.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Былев А.Б.
Санкт-Петербургский государственный лесотехнический университет им. С.М. Кирова, Санкт-Петербург, Россия
2
Николаев Д.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Самарцев И.В.
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
2
Байдусь Н.В.
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
2
Жидяев К.С.
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
2
Здоровейщев А.В.
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
2
Бекин Н.А.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
1
Цыпленков В.В.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
1
Шастин В.Н.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
1
Сидоров В.Г.
ООО "АИБИ", Санкт-Петербург, Россия
1
Гребенщикова Е.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Яковлев Ю.П.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Камеш П.П.
Новосибирский государственный технический университет, Новосибирск, Россия
1
Свит К.А.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
1
Дмитриев Д.В.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
1
Макеева А.А.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
1
Шуман В.Б.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Астров Ю.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Лодыгин А.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Курдюков Д.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Гаврина П.С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Шашкин И.С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Комаров С.Д.
Национальный исследовательский университет "Высшая школа экономики", Санкт-Петербург, Россия
1
Махов И.С.
Национальный исследовательский университет "Высшая школа экономики", Санкт-Петербург, Россия
1
Качоровский В.Ю.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Краснова И.А.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
1
Закиров Е.Р.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
1
Сидоров Г.Ю.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
1
Дричко И.Л.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Смирнов И.Ю.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Иванов С.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Шестериков А.Е.
Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники, Томск, Россия
1
Афоненко Ан.А.
Белорусский государственный университет, Минск, Республика Беларусь
1
Афоненко А.А.
Белорусский государственный университет, Минск, Республика Беларусь
1
Ушаков Д.В.
Белорусский государственный университет, Минск, Республика Беларусь
1
Пушкарев С.С.
Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук, Москва, Россия
Московский физико-технический институт (Государственный университет), Долгопрудный, Московская обл., Россия
1
Гавриленко В.И.
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
Институт физики микроструктур Российской академии наук, д. Афонино, Кстовский р-н, Нижегородская обл., Россия
1
Курицын Д.И.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, д. Афонино, Кстовский р-н, Нижегородская обл., Россия
1
Юнин П.А.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
1
Скороходов Е.В.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
1
Астанкова К.Н.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
1
Барышникова К.В.
Университет ИТМО, Санкт-Петербург, Россия
1
Петров М.И.
Университет ИТМО, Санкт-Петербург, Россия
1
Михайловский М.С.
Университет ИТМО, Санкт-Петербург, Россия
1
Карпенков Д.Ю.
Национальный исследовательский технологический университет "МИСиС", Москва, Россия
1
Власенко Л.С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Kawahala N.M.
Instituto de Fisica da Universidade de Sao Paulo,135960-170, Sao Paulo, SP, Brazil
1
Гусев Г.М.
Instituto de Fisica da Universidade de Sao Paulo,135960-170, Sao Paulo, SP, Brazil
1
Кукушкин В.А.
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
Федеральный исследовательский центр Институт прикладной физики им. А.В. Гапонова-Грехова РАН, Нижний Новгород, Россия
1
Кукушкин Ю.В.
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
1
Шерняков Ю.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Гордеев Н.Ю.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Паюсов А.С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Бекман А.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Кардо-Сысоев А.Ф.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Черенёв М.Н.
Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Люблинский А.Г.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Василькова Е.И.
Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет имени Ж.И. Алфёрова Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
1
Баранцев О.В.
Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет имени Ж.И. Алфёрова Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
1
Пирогов Е.В.
Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет имени Ж.И. Алфёрова Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
1
Милехин А.Г.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
1
Кузнецов Ю.М.
Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
1
Блошкин А.А.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Новосибирский государственный университет, Новосибирск, Россия
1
Двуреченский А.В.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Новосибирский государственный университет, Новосибирск, Россия
1
Уткин Д.Е.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Новосибирский государственный университет, Новосибирск, Россия
1
Архипова Е.А.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
1
Дроздов М.Н.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
1
Краев С.А.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
1
Хрыкин О.И.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
1
Лупарев Н.В.
Технологический институт сверхтвердых и новых углеродных материалов, Москва, Троицк, Россия
1
Носухин С.А.
Технологический институт сверхтвердых и новых углеродных материалов, Москва, Троицк, Россия
1
Кульницкий Б.А.
Московский физико-технический институт, Долгопрудный, Московская обл., Россия
Технологический институт сверхтвердых и новых углеродных материалов, Москва, Троицк, Россия
1
Приходько Д.Д.
Московский физико-технический институт, Долгопрудный, Московская обл., Россия
Технологический институт сверхтвердых и новых углеродных материалов, Москва, Троицк, Россия
1
Приходько О.Ю.
Казахский национальный университет им. Аль-Фараби, Алматы, Казахстан
1
Николаенко Ю.М.
Донецкий физико-технический институт им. А.А. Галкина, Донецк, Россия
1
Эфрос Н.Б.
Донецкий физико-технический институт им. А.А. Галкина, Донецк, Россия
1
Моисеев С.Г.
Ульяновский государственный университет, Ульяновск, Россия
Ульяновский филиал Института радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова Российской академии наук, Ульяновск, Россия
1
Рожлейс И.А.
Ульяновский государственный университет, Ульяновск, Россия
1
Санников Д.Г.
Ульяновский государственный университет, Ульяновск, Россия
1
Тертышникова Г.В.
Ульяновский государственный университет, Ульяновск, Россия
1
Стенькин Ю.А.
Омский научный центр Сибирского отделения Российской академии наук, Омск, Россия
1
Несов С.Н.
Омский научный центр Сибирского отделения Российской академии наук, Омск, Россия
1
Росликова Е.А.
Омский научный центр Сибирского отделения Российской академии наук, Омск, Россия
1
Давыдов С.Ю.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Стрельчук А.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Калинина Е.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Кудояров М.Ф.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Патрова М.Я.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Клевцов А.И.
Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия
1
Титов А.И.
Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия
1
Андреева В.Д.
Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия
1
Шахмин А.Л.
Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия
1
Хорьков К.С.
Владимирский государственный университет им. А.Г. и Н.Г. Столетовых, Владимир, Россия
1
Андрюшкин В.В.
Университет ИТМО, Санкт-Петербург, Россия
1
Гладышев А.Г.
Университет ИТМО, Санкт-Петербург, Россия
1
Ружевич М.С.
Университет ИТМО, Санкт-Петербург, Россия
1
Мынбаев К.Д.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Университет ИТМО, Санкт-Петербург, Россия
1
Фирсов Д.Д.
Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
1
Чуманов И.В.
Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
1
Давыдов В.Ю.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Евтихиев В.П.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Кособукин В.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Дейсадзе Г.Р.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Гудовских А.С.
Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет имени Ж.И. Алфёрова Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
1
Малевская А.Д.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Минтаиров М.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Евстропов В.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Уткина Е.А.
Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники, Минск, Беларусь
1
Меледина М.В.
Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники, Минск, Беларусь
1
Таболич А.А.
Институт физики Национальной академии наук Беларуси, Минск, Республика Беларусь
1
Гагарина А.Ю.
Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
1
Насимов Д.А.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
1
Манцурова C.В.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Новосибирский государственный технический университет, Новосибирск, Россия
1
Спирина А.А.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
1
Шварц Н.Л.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Новосибирский государственный технический университет, Новосибирск, Россия
1
Пузанов А.С.
Российский федеральный ядерный центр --- Всероссийский научно-исследовательский институт экспериментальной физики, Саров, Нижегородская обл., Россия
Национальный исследовательский Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
1
Забавичев И.Ю.
Российский федеральный ядерный центр --- Всероссийский научно-исследовательский институт экспериментальной физики, Саров, Нижегородская обл., Россия
Национальный исследовательский Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
1
Абросимова Н.Д.
Российский федеральный ядерный центр --- Всероссийский научно-исследовательский институт экспериментальной физики, Саров, Нижегородская обл., Россия
1
Бибикова В.В.
Российский федеральный ядерный центр --- Всероссийский научно-исследовательский институт экспериментальной физики, Саров, Нижегородская обл., Россия
Национальный исследовательский Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
1
Оболенский С.В.
Российский федеральный ядерный центр --- Всероссийский научно-исследовательский институт экспериментальной физики, Саров, Нижегородская обл., Россия
Национальный исследовательский Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
1
Иешкин А.Е.
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова (физический факультет), Москва, Россия
1
Татаринцев А.А.
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова (физический факультет), Москва, Россия
1
Сенатулин Б.Р.
Национальный исследовательский технологический университет "МИСиС", Москва, Россия
1
Тимофеева Н.А.
Институт химии высокочистых веществ им. Г.Г. Девятых РАН, Нижний Новгород, Россия
1
Ризаев А.Е.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Зубков С.Ю.
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
1
© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук