Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Статистика
Общее количество статей:
10976
Распределение количества статей по годам:
517
490
469
411
345
329
302
266
295
311
285
292
278
262
263
259
256
277
251
260
244
294
288
284
279
295
305
301
303
316
330
309
287
248
203
135
117
20
Распределение количества просмотров по годам:
1083669
1014450
976677
868798
749790
716635
656635
583525
699891
863414
855731
791927
793303
793487
771842
804477
829202
850615
748805
788809
739925
935353
948534
915864
887051
949467
961524
916633
885428
892724
801908
689714
513185
372608
257009
112240
52748
3259
Распределение количества авторов по годам:
1228
1240
1185
1078
885
882
744
715
727
800
756
791
761
773
802
802
826
907
876
892
763
962
1019
1010
968
1085
1151
1063
1156
1166
1310
1097
1124
952
833
548
556
133
Распределение количества организаций по годам:
143
55
131
107
117
125
151
174
159
167
148
175
163
181
187
187
227
154
216
211
211
237
252
286
241
275
269
295
249
323
260
170
109
93
35

Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов. Дата начала обработки информации по просмотрам - 27 января 2016 г.

За 1989 год:
Статья
Просмотров
Деформация поверхности полупроводника при локальном освещении
36
Аномальный эффект Стеблера-Вронского в легированных бором пленках a-Si : Н
33
Увлечение дырок ИК излучением в одноосно деформированном полупроводнике
29
Фотостимулированная трансформация внутризонных состояний халькогенидных стеклообразных полупроводников
27
Влияние состава на электронную структуру аморфного AsxSe1-x
26
Новые книги по полупроводникам
24
Немонотонность вольтъемкостной зависимости тонкопленочных полупроводниковых структур с барьером Шоттки
24
Изменение свойств приповерхностных слоев кристаллов CdxHg1-xTe под воздействием электронного пучка
24
Механизмы нестационарной фотопроводимости в селективно легированных гетероструктурах GaAs/n-(Al, Ga)As
24
Оже-рекомбинация в сильно легированном германии
23
О природе радиационных дефектов в n-кремнии, облученном электронами с энергией вблизи порога дефектообразования
23
Численный расчет профилей радиационно-стимулированной диффузии примесей для случая быстрого термического отжига
23
Температурная инверсия флуктуации тока
22
Фиолетовый SiC-4C-светодиод
22
Изменение электрических параметров полуизолирующего GaAs при термообработке
22
Влияние плотности ионного тока при имплантации на эффект дальнодействия в кристаллах кремния с примесью железа
22
Влияние температуры на эффективность аннигиляции первичных радиационных дефектов в высокоомном кремнии при gamma-облучении
22
Накопление и отжиг основных компенсирующих радиационных дефектов в p-Si<Ge>
22
Спин-поляризованный расчет электронной структуры примесей переходных элементов в полупроводниках. Хром в арсениде и фосфиде галлия
22
Анизотропные флуктуации подвижности носителей тока и 1/f-шум магнитосопротивления в полупроводниках
21
Статья
Просмотров
Две модели туннельной излучательной рекомбинации в неупорядоченных полупроводниках
2698
Исследование температурной зависимости скорости звука и сжимаемости в расплавленном кремнии
2645
Влияние быстроосциллирующего движения электронов в сильном магнитном поле или в высокочастотном электрическом поле на ударную ионизацию
2536
Твердофазное легирование кремния под действием непрерывного излучения CO2-лазера
2511
Квантовые поправки к проводимости в полупроводниках с двумерным и трехмерным электронным газом. Эксперимент О б з о р
2457
Оже-рекомбинация в сильно легированном германии
2428
Однородный лавинный пробой в кремниевых диодах
2396
Напряжение лавинного пробоя p-n-переходов на основе Si, Ge, SiC, GaAs, GaP и InP при комнатной температуре
2386
О природе радиационных дефектов в n-кремнии, облученном электронами с энергией вблизи порога дефектообразования
2383
Температурная зависимость формы линии фототермической ионизации примесей в слабо легированном слабо компенсированном полупроводнике
2380
Барьерная фотопроводимость в эпитаксиальных пленках GaAs и InP
2359
Влияние конечной ширины зоны проводимости на ионизацию примесных центров в условиях воздействия сильных внешних полей
2357
Именной указатель
2352
Исследование центров фоточувствительности в инжекционных слоях CdSe
2341
"Оптическая откачка" спинов носителей заряда стимулированной люминесценцией
2331
Токовая деградация гетероструктур на основе a-Si : H
2321
Диффузия ванадия в кремнии
2310
Влияние примеси бора на дрейф вакансий в областях пространственного заряда диодов Шоттки Al-p-Si
2304
Фиолетовый SiC-4C-светодиод
2304
"Моттовское" плато на вольтъемкостной характеристике диода Шоттки с гетеропереходом
2301
Спектроскопия горячей фотолюминесценции в полупроводниках О б з о р
2294
Влияние температуры на эффективность аннигиляции первичных радиационных дефектов в высокоомном кремнии при gamma-облучении
2292
Спектроскопическое определение степени компенсации и концентрации примесей в высокочистом GaAs
2291
Высокотемпературная пластическая деформация и электрофизические свойства эпитаксиальных структур арсенида галлия
2285
Новые книги по полупроводникам
2285
Резонансные состояния в монокристаллах РbТе<Тl>, выращенных методом Чохральского
2283
Фотолюминесценция в пленках a-Si1-xCx : H и a-Si1-xNx : H
2283
Имплантация азота в кремний при 700-1100oC
2278
Температурная зависимость напряжения лавинного пробоя p-n-переходов с глубокими уровнями Режим релаксационной задержки пробоя
2277
Спин-поляризованный расчет электронной структуры примесей переходных элементов в полупроводниках. Хром в арсениде и фосфиде галлия
2276
Энергетический спектр многозарядных примесных центров в кубических полупроводниках
2276
Умножение фотовозбужденных носителей заряда при ударной ионизации примесных атомов в полупроводниках
2275
Энергетический спектр носителей, описываемых моделью Дирака, в квантовой яме
2262
Механизм туннельной термостимулированной релаксации тока
2257
Фотоэлектрические свойства эпитаксиальных арсенид-галлиевых p+-nu-pi-n+-структур
2254
Определение электрофизических параметров тонких гетероэпитаксиальных слоев в растровом электронном микроскопе (эксперимент)
2251
Фотоэлектрическое усиление лавинных гетероструктур с тонким широкозонным слоем
2250
Отрицательное дифференциальное сопротивление при охлаждении электронов в неоднородно легированном полупроводнике
2248
Светоизлучающие приборы с длиной волны 520/550 нм на основе Ga1-xAlxP
2246
Влияние кислорода и углерода на поведение марганца в n-Si
2243
Емкостные характеристики барьера на границе Ме-ХСП
2242
Влияние зарядовых состояний вакансий на накопление дивакансий в кремнии при электронном облучении
2241
Электрические и фотоэлектрические свойства пленок стеклообразного сульфида мышьяка, фототермолегированного цинком
2241
Поведение меди в процессе распада ее пересыщенного твердого раствора в германии
2237
Емкостная модуляционная спектроскопия глубоких уровней в полупроводниках
2236
Кластерный расчет деформационных зарядов дефектов в кремнии
2234
Переменная валентность в твердом растворе Pb1-xSnxSe (x=0.15), легированном натрием
2232
Расслоение инжектированной электронно-дырочной плазмы высокой плотности в пленках арсенида галлия
2229
Магнитная восприимчивость полупроводников в жидком состоянии О б з о р
2228
Влияние термообработки на люминесцентные свойства эпитаксиальных слоев GaAs, легированных Sn или Te
2227

Учредители

Издатель

© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme